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SiC MOSFET体二极管温度相关反向恢复特性用于半桥开关损耗评估
Temperature-Dependent Reverse Recovery Characterization of SiC MOSFETs Body Diode for Switching Loss Estimation in a Half-Bridge
Debiprasad Nayak · Ravi Kumar Yakala · Manish Kumar · Sumit Kumar Pramanick · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年5月
在硬开关MOSFET变换器中，开通损耗是总开关损耗的主要部分。在半桥配置中，随着结温升高，互补MOSFET体二极管的反向恢复效应会导致开通损耗进一步增加。在设计初期准确评估不同工况下的开关损耗对于优化变换器效率和热管理至关重要。
解读: 该研究直接服务于阳光电源的核心产品线，如组串式光伏逆变器和PowerTitan/PowerStack储能系统。随着公司产品向高功率密度和高效率演进，SiC MOSFET已成为提升逆变器效率的关键。该文献提出的温度相关损耗评估模型，能显著提升研发阶段对SiC功率模块热设计和效率预测的精度，有助于优化散...
利用低压堆叠与级联基本逆变单元生成高分辨率12边形电压空间矢量结构
Generation of High-Resolution 12-Sided Voltage Space Vector Structure Using Low-Voltage Stacked and Cascaded Basic Inverter Cells
Apurv Kumar Yadav · Mathews Boby · Sumit Kumar Pramanick · K. Gopakumar 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2018年9月
本文提出了一种用于星型连接感应电机驱动的15电平（14同心）十二边形电压空间矢量结构（DVSVS）。该结构通过级联主、副两个逆变器实现，其中主逆变器为由两个三电平飞跨电容堆叠而成的五电平结构，旨在提升输出电压质量并优化谐波性能。
解读: 该研究提出的多电平级联拓扑及十二边形空间矢量调制技术，主要针对电机驱动领域，旨在提升输出波形质量。对于阳光电源而言，该技术在光伏逆变器（尤其是大功率集中式逆变器）和风电变流器领域具有参考价值。通过采用多电平级联技术，可以有效降低输出谐波，减小滤波电感体积，从而提升系统功率密度。建议研发团队关注其在降...
通过改进隔离型电流源半桥AC-DC变换器的二次侧调制来降低环流
Reduction in Circulating Current With Improved Secondary Side Modulation in Isolated Current-Fed Half Bridge AC–DC Converter
Manish Kumar · Sumit Pramanick · B. K. Panigrahi · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年5月
本文针对车载充电应用，研究了一种高频变压器隔离的单级AC-DC变换器。该拓扑在交流侧采用双向开关，直流侧采用全桥变换器。通过改进二次侧调制策略，有效降低了变换器中的环流，并利用单相移调制（SPSM）实现了交流侧开关的零电流开关（ZCS）特性，提升了系统效率与性能。
解读: 该研究提出的电流源半桥拓扑及其调制优化策略，对阳光电源的电动汽车充电桩业务具有重要参考价值。车载充电（OBC）及大功率直流快充模块对高效率、高功率密度及低损耗有极高要求，通过优化调制策略降低环流，可显著提升功率模块的转换效率并降低温升。建议研发团队关注该拓扑在双向充电桩中的应用潜力，特别是在提升轻载...
基于不连续调制的主动热控制以提升并网逆变器类资源的kVA容量限制
Discontinuous Modulation-Based Active Thermal Control for Enhancing the KVA Limit of Grid-Connected Inverter-Based Resources
Debiprasad Nayak · Yakala Ravi Kumar · Sumit Pramanick · IEEE Transactions on Industrial Electronics · 2025年10月 · Vol.73
本文提出一种结合不连续脉宽调制（DPWM）与系统级电流控制器的闭环主动热控制（ATC）方法，通过调节钳位角α优化开关损耗，实现IGBT结温约束下提升并网逆变器kVA容量，并支持高温环境满功率运行；采用Foster热模型进行结温估算。
解读: 该技术高度适配阳光电源组串式逆变器（如SG系列）及ST系列储能变流器（PCS），可显著提升其在高温工况（如中东、澳洲地面电站）下的持续过载能力与降额容忍度。建议将ATC算法集成至iSolarCloud平台，结合实时环境温度与器件结温预测，动态优化DPWM策略，延长IGBT寿命并增强PowerTita...
GaN HEMT半桥故障瞬态的解析建模及其基于PCB嵌入式Rogowski线圈的过流保护
Analytical Modeling of Fault Transient in a GaN HEMT Half Bridge and Its Overcurrent Protection With PCB Embedded Rogowski Coils
P. T. Nandh Kishore · Sumit Kumar Pramanick · Soumya Shubhra Nag · IEEE Transactions on Industry Applications · 2024年10月
氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）的短路耐受时间（SCWT）较短，这对其可靠性提出了挑战，尤其在电动汽车充电器等中高功率应用中。本文基于电路中的状态变量和数据手册参数，对包含寄生元件的氮化镓高电子迁移率晶体管半桥结构中的短路故障瞬态进行建模。较高母线电压下的故障会导致瞬时功率损耗增加，进而使结温升高。这会导致器件的短路耐受时间缩短。该模型还用于估算不同直流母线电压下的故障清除时间。本文提出了一种用于氮化镓高电子迁移率晶体管的超快过流保护方案。该保护方案采用基于非侵入式印刷电路板嵌入式罗...
解读: 该研究对阳光电源的GaN器件应用具有重要参考价值。文中提出的PCB嵌入式Rogowski线圈过流保护方案可直接应用于ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器的GaN功率模块设计中,有助于提升产品可靠性。特别是在1500V高压系统中,纳秒级故障检测能力可有效防止GaN器件损坏。该技术也可优化车载OBC充...