找到 5 条结果
一种基于三相展开式的铁路牵引固态变压器
A Three-Phase Unfolding-Based Solid-State Traction Transformer for Railway Application
Adnan Khan · Soumya Shubhra Nag · Bhim Singh · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年5月
本文提出了一种用于铁路牵引的基于固态变压器的三相展开式动力系统。固态变压器被视为铁路驱动系统中工频变压器的可行替代方案。传统方案后端采用低频两电平PWM逆变器驱动电机，易产生谐波及损耗问题，本文旨在通过新型拓扑优化牵引性能。
解读: 该文献探讨的固态变压器（SST）及多电平拓扑技术，与阳光电源在电力电子变换领域的核心技术栈高度重合。虽然目前主要针对铁路牵引，但其高功率密度、高效率的变换架构对阳光电源的集中式光伏逆变器及大型储能系统（如PowerTitan系列）的功率模块设计具有参考价值。建议关注该拓扑在降低开关损耗及提升电能质量...
基于耦合电感的低匝比高升压逆变器
A Coupled Inductor Based High Boost Inverter with Sub-unity Turns-Ratio Range
Soumya Shubhra Nag · Santanu Mishra · IEEE Transactions on Power Electronics · 2016年11月
传统电压源逆变器无法实现升压功能且需死区时间以防短路。阻抗源逆变器通过耦合电感技术解决了上述问题，不仅具备高升压能力，还提升了抗电磁干扰（EMI）性能。本文提出了一种具有低匝比范围的耦合电感高升压逆变器拓扑，有效优化了电路效率与功率密度。
解读: 该拓扑通过耦合电感实现高升压，对于阳光电源的组串式逆变器（String Inverters）产品线具有重要参考价值。在光伏组件电压不断提升及高功率密度设计趋势下，该技术可有效减少对高匝比变压器的依赖，降低磁性元件体积，从而提升逆变器整体功率密度。建议研发团队评估该拓扑在户用及工商业组串式逆变器中的应...
基于有源三次谐波电流注入的无电解电容三相车载充电机设计与控制
Design and Control of an Electrolytic Capacitorless Three-Phase On-Board Charger Based on Active Third-Harmonic Current Injection
Chandrima Chatterjee · Soumya Shubhra Nag · Thomas Ebel · IEEE Transactions on Power Electronics · 预计 2026年6月
传统两级式车载充电机（OBC）因体积庞大的滤波器和直流母线电容，导致功率密度受限。本文提出一种基于有源三次谐波注入和电流展开技术的无电解电容三相OBC拓扑，通过优化控制策略，显著提升了系统的功率密度与效率，并有效减小了无源器件体积。
解读: 该技术对阳光电源电动汽车充电桩业务具有重要参考价值。通过引入有源三次谐波注入技术，可有效消除OBC中寿命短、体积大的电解电容，提升充电桩的可靠性与功率密度。这与阳光电源追求高集成度、长寿命的充电解决方案战略高度契合。建议研发团队评估该拓扑在三相车载充电机产品中的应用潜力，特别是在提升系统紧凑型设计及...
基于磁通平衡原理合成非隔离型DC-DC变换器的理论
A Theory to Synthesize Nonisolated DC–DC Converters Using Flux Balance Principle
Soumya Shubhra Nag · Ramanuja Panigrahi · Santanu K. Mishra · Avinash Joshi 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年11月
本文提出了一种合成非隔离型DC-DC变换器的理论方法。该方法以电感上的基本磁通平衡方程为出发点，将磁通平衡方程转化为输入电压、电容电压和占空比的线性方程组，并通过有限集合选择系数来推导变换器拓扑。
解读: 该理论为阳光电源的研发团队提供了一种系统化的拓扑生成工具，有助于在光伏逆变器（如组串式逆变器中的升压电路）和储能系统（如PowerTitan、PowerStack中的DC-DC级）中探索更高效、高功率密度的非隔离拓扑。通过磁通平衡原理进行拓扑合成，可以优化变换器的占空比范围和应力分布，从而提升iSo...
GaN HEMT半桥故障瞬态的解析建模及其基于PCB嵌入式Rogowski线圈的过流保护
Analytical Modeling of Fault Transient in a GaN HEMT Half Bridge and Its Overcurrent Protection With PCB Embedded Rogowski Coils
P. T. Nandh Kishore · Sumit Kumar Pramanick · Soumya Shubhra Nag · IEEE Transactions on Industry Applications · 2024年10月
氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）的短路耐受时间（SCWT）较短，这对其可靠性提出了挑战，尤其在电动汽车充电器等中高功率应用中。本文基于电路中的状态变量和数据手册参数，对包含寄生元件的氮化镓高电子迁移率晶体管半桥结构中的短路故障瞬态进行建模。较高母线电压下的故障会导致瞬时功率损耗增加，进而使结温升高。这会导致器件的短路耐受时间缩短。该模型还用于估算不同直流母线电压下的故障清除时间。本文提出了一种用于氮化镓高电子迁移率晶体管的超快过流保护方案。该保护方案采用基于非侵入式印刷电路板嵌入式罗...
解读: 该研究对阳光电源的GaN器件应用具有重要参考价值。文中提出的PCB嵌入式Rogowski线圈过流保护方案可直接应用于ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器的GaN功率模块设计中,有助于提升产品可靠性。特别是在1500V高压系统中,纳秒级故障检测能力可有效防止GaN器件损坏。该技术也可优化车载OBC充...