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关于非理想绕组变压器漏感的计算
On the Calculation of the Leakage Inductance in Transformers With Nonideal Windings
Morteza Aghaei · Sadegh Mohsenzade · Shahriyar Kaboli · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年8月
变压器漏感（TLI）是隔离式电源设计的关键参数。本文针对非理想绕组排列（WTA）下的变压器漏感计算进行了研究，旨在解决传统理想绕组假设带来的计算误差，为变压器设计阶段的精确建模提供理论支持。
解读: 该研究直接服务于阳光电源的核心产品线，如组串式/集中式光伏逆变器中的DC-DC级、PowerTitan/PowerStack储能变流器（PCS）以及电动汽车充电桩中的高频隔离变换器。在这些产品中，变压器漏感是决定软开关实现（如LLC谐振）和功率密度优化的核心因素。通过引入非理想绕组计算模型，研发团队...
利用关断延迟时间对IGBT栅极氧化层进行实时退化水平评估
Real-Time Degradation Level Assessment of IGBT Gate Oxide Layer Using Turn-Off Delay Time
Mojtaba Jazayeri · Sadegh Mohsenzade · Javad Naghibi · Kamyar Mehran · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年12月
针对电力电子变换器中最易失效的IGBT器件，本文提出了一种基于关断延迟时间的实时状态监测技术。该方法通过监测IGBT栅极氧化层的退化程度，旨在提升电力电子系统的长期运行可靠性，为关键功率器件的健康管理提供有效手段。
解读: IGBT是阳光电源光伏逆变器、储能PCS及风电变流器等核心产品的核心功率器件。该研究提出的实时状态监测技术，对于提升公司产品的全生命周期可靠性具有重要意义。通过在iSolarCloud智能运维平台中集成此类故障诊断算法，可实现对组串式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能系统中IGB...
一种具有短路故障鲁棒性的脉冲功率应用串联堆叠IGBT开关
A Series Stacked IGBT Switch With Robustness Against Short-Circuit Fault for Pulsed Power Applications
Sadegh Mohsenzade · Mostafa Zarghany · Shahriyar Kaboli · IEEE Transactions on Power Electronics · 2018年5月
针对高压功率变换器中IGBT阻断电压受限的问题，本文提出了一种IGBT串联堆叠方案。该方案在提升电压等级的同时，保持了器件的快速上升时间特性。研究重点在于实现串联器件间的电压均衡，并增强其在短路故障下的鲁棒性，为高压电力电子应用提供了有效解决方案。
解读: 该技术对于阳光电源的高压集中式光伏逆变器及大型储能系统（如PowerTitan系列）具有重要参考价值。随着光伏与储能系统向更高直流电压等级（如1500V甚至更高）演进，如何通过器件串联实现高压阻断并确保动态均压是核心难点。该论文提出的串联堆叠技术及短路保护策略，可提升大功率变流器在极端工况下的可靠性...
碳化硅功率MOSFET高频应用下的栅极氧化层退化状态监测技术
Gate Oxide Degradation Condition Monitoring Technique for High-Frequency Applications of Silicon Carbide Power MOSFETs
Javad Naghibi · Sadegh Mohsenzade · Kamyar Mehran · Martin P. Foster · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年1月
栅极氧化层退化是碳化硅（SiC）MOSFET的主要失效模式之一。由于SiC器件栅极氧化层较薄，其退化会显著影响开关动态特性。本文提出了一种针对高频应用场景的监测技术，旨在解决SiC器件在长期运行中的可靠性评估难题。
解读: 随着阳光电源在组串式光伏逆变器和PowerTitan/PowerStack储能系统中大规模应用SiC功率模块以提升功率密度和效率，SiC器件的长期可靠性至关重要。该技术提出的栅极氧化层退化监测方法，可集成于iSolarCloud智能运维平台，实现对逆变器及PCS核心功率器件的早期故障预警。建议研发团...
一种基于集中钳位模式缓冲器的脉冲功率应用串联堆叠IGBT开关
A Series Stacked IGBT Switch Based on a Concentrated Clamp Mode Snubber for Pulsed Power Applications
Mostafa Zarghani · Sadegh Mohsenzade · Shahriyar Kaboli · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年10月
本文提出了一种适用于脉冲功率应用中IGBT串联结构的集中钳位模式缓冲器。该技术不影响门极驱动，能实现IGBT的快速开关，并在短路故障下为器件提供安全的电压保护条件。
解读: 该技术对阳光电源的高压大功率产品线具有重要参考价值。在PowerTitan等大型储能系统及集中式光伏逆变器中，随着直流侧电压等级的不断提升，IGBT串联技术是实现高压耐受的关键。该研究提出的集中钳位缓冲器方案，能够有效解决串联IGBT的动态均压问题，并提升系统在短路故障下的可靠性。建议研发团队关注该...
一种用于碳化硅功率MOSFET栅氧化层退化的栅极驱动级隔离监测技术
A Gate Driver-Level Isolated Monitoring Technique for Gate Oxide Degradation in Silicon Carbide Power Mosfets
Javad Naghibi · Sadegh Mohsenzade · Kamyar Mehran · Martin P. Foster · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年12月
栅氧化层退化是Si和SiC功率MOSFET的主要失效模式之一。由于SiC MOSFET的栅氧化层结构更薄且SiC与SiO2之间的导带偏移量减小，其栅氧化层退化导致的器件失效问题更为突出。本文提出了一种在栅极驱动器层面实现的隔离监测技术，用于实时评估SiC MOSFET的栅氧化层健康状态。
解读: 随着阳光电源在光伏逆变器和PowerTitan/PowerStack储能系统中大规模应用SiC器件以提升功率密度和转换效率，器件的长期可靠性成为核心竞争力。该技术通过栅极驱动层面的监测，无需额外传感器即可实现对SiC栅氧化层退化的实时预警，极大地提升了系统的故障预测与健康管理（PHM）能力。建议研发...
用于脉冲电流应用的一种极低纹波高压电源
An Extremely Low Ripple High Voltage Power Supply for Pulsed Current Applications
Mostafa Zarghani · Sadegh Mohsenzade · Amirabbas Hadizade · Shahriyar Kaboli · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年8月
本文介绍了一种用于脉冲电流负载的18 kV、30 kW电源系统，最大电流为20 A，电流变化率(di/dt)达100 A/μs。该系统实现了小于0.01%的极低输出纹波。在如此高精度的要求下，瞬时功率与平均功率的巨大差异以及变换器的响应速度是设计的核心挑战。
解读: 该文献探讨的高压、极低纹波及高动态响应电源技术，在阳光电源现有光伏逆变器和储能PCS产品线中虽非直接应用，但其核心拓扑控制与瞬态功率处理技术具有参考价值。特别是在PowerTitan等大型储能系统及未来高压直流耦合应用中，对于提升系统在复杂负载下的输出质量和动态响应能力有借鉴意义。建议研发团队关注其...