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利用关断延迟时间对IGBT栅极氧化层进行实时退化水平评估
Real-Time Degradation Level Assessment of IGBT Gate Oxide Layer Using Turn-Off Delay Time
| 作者 | Mojtaba Jazayeri · Sadegh Mohsenzade · Javad Naghibi · Kamyar Mehran |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2023年12月 |
| 技术分类 | 可靠性与测试 |
| 技术标签 | IGBT 可靠性分析 故障诊断 功率模块 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | IGBT 状态监测 栅极氧化层 老化评估 关断延迟时间 电力电子 可靠性 |
语言:
中文摘要
针对电力电子变换器中最易失效的IGBT器件，本文提出了一种基于关断延迟时间的实时状态监测技术。该方法通过监测IGBT栅极氧化层的退化程度，旨在提升电力电子系统的长期运行可靠性，为关键功率器件的健康管理提供有效手段。
English Abstract
Condition monitoring (CM) of the components with highest probability of failure in converter circuits can significantly contribute to having a long-term reliable operation. Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs) are considered as one of the most fragile parts with the highest failure rates in many power electronics applications. This article proposes a real-time CM technique for assessing the ...
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SunView 深度解读
IGBT是阳光电源光伏逆变器、储能PCS及风电变流器等核心产品的核心功率器件。该研究提出的实时状态监测技术，对于提升公司产品的全生命周期可靠性具有重要意义。通过在iSolarCloud智能运维平台中集成此类故障诊断算法，可实现对组串式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能系统中IGBT模块的早期预警，有效降低运维成本，减少非计划停机，从而提升电站资产的长期收益率。建议研发团队关注该技术在实际工况下的抗干扰能力，并探索其在功率模块健康管理系统中的应用。