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一种基于去饱和检测的GaN HEMT超快响应保护电路
A Simple Desaturation-Based Protection Circuit for GaN HEMT With Ultrafast Response
Ruoyu Hou · Juncheng Lu · Zhongyi Quan · Yun Wei Li · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年6月
针对GaN增强型高电子迁移率晶体管（GaN E-HEMT）在实际应用中面临的短路保护（SCP）挑战，本文提出了一种基于去饱和检测的超快响应保护电路。由于GaN器件开关速度极快，传统保护方法响应滞后，该研究通过优化检测机制，有效解决了GaN器件在高频应用中的短路保护难题，提升了系统可靠性。
解读: 随着阳光电源在户用光伏逆变器及小型化充电桩产品中对高功率密度要求的提升，GaN器件的应用前景广阔。该文提出的超快响应保护电路能有效解决GaN器件在极端工况下的可靠性瓶颈，对提升阳光电源下一代高频化、小型化逆变器及充电桩产品的安全性具有重要参考价值。建议研发团队关注该去饱和检测技术在驱动电路集成化设计...
GaN HEMT损耗分布、分析与测量技术综述
Review of Loss Distribution, Analysis, and Measurement Techniques for GaN HEMTs
Jacob Gareau · Ruoyu Hou · Ali Emadi · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年7月
近年来，电力电子系统追求更高效率与功率密度，以硅（Si）为基础的器件已接近材料极限。氮化镓（GaN）等宽禁带半导体因具备更快的开关速度，成为提升系统性能的关键。本文综述了GaN HEMT器件的损耗分布、分析方法及测量技术，为高性能电力电子变换器的设计提供了理论支撑。
解读: GaN器件是实现光伏逆变器和储能系统高功率密度的核心驱动力。对于阳光电源的户用光伏逆变器及小型化充电桩产品线，引入GaN技术可显著降低开关损耗，减小磁性元件体积，从而提升整体效率。建议研发团队关注文中提到的损耗测量技术，以优化高频化拓扑下的热管理设计。在PowerStack等储能产品中，虽然目前以S...
用于电动汽车单相车载充电机的一种集成有源滤波辅助功率模块
Applied Integrated Active Filter Auxiliary Power Module for Electrified Vehicles With Single-Phase Onboard Chargers
Ruoyu Hou · Ali Emadi · IEEE Transactions on Power Electronics · 2017年3月
针对电动汽车单相车载充电机直流母线上的二倍频纹波问题，传统方案依赖大容量薄膜电容或额外有源滤波电路，限制了功率密度与成本优化。本文提出了一种简单高效的集成有源滤波辅助功率模块，旨在提升系统功率密度并降低成本。
解读: 该技术主要针对电动汽车车载充电机（OBC）的纹波抑制，与阳光电源的电动汽车充电桩业务具有技术关联性。通过集成有源滤波技术替代大体积电容，可显著提升充电模块的功率密度，符合阳光电源充电桩产品向小型化、高效率演进的趋势。建议研发团队关注该拓扑在提升充电桩模块可靠性及降低物料成本方面的潜力，并评估其在阳光...
电动汽车单相车载充电机中一种主全集成有源滤波辅助功率模块
A Primary Full-Integrated Active Filter Auxiliary Power Module in Electrified Vehicles With Single-Phase Onboard Chargers
Ruoyu Hou · Ali Emadi · IEEE Transactions on Power Electronics · 2017年11月
在单相交流高压车载充电机中，由于输入电流需与电压同相位，直流母线会出现两倍工频的脉动功率。为消除该谐波电流，通常需配置大容量电容或额外的有源滤波电路，这限制了系统的功率密度。本文提出了一种全集成有源滤波辅助功率模块，旨在优化车载充电机的功率密度与性能。
解读: 该技术主要针对车载充电系统（OBC）的功率密度优化，与阳光电源的电动汽车充电桩业务高度相关。通过集成有源滤波技术替代传统的笨重电容，能够显著减小充电桩及车载充电模块的体积，提升功率密度。建议研发团队关注该拓扑在阳光电源充电桩产品中的应用潜力，特别是在追求轻量化、小型化的高功率密度充电模块设计中，该方...
封闭式自然对流PFC-LLC氮化镓变换器中系统级热性能与功率密度的综合优化
Comprehensive System-Level Thermal Performance and Power Density Optimization in Enclosed Natural Convection PFC-LLC GaN Converters
Rahil Samani · Ignacio Galiano Zurbriggen · Ruoyu Hou · Juncheng Lu 等5人 · IEEE Transactions on Industry Applications · 2025年1月
氮化镓增强型高电子迁移率晶体管（e - HEMT）在将效率提升至可能的极致方面表现卓越。随着功率密度按需增加且效率趋近饱和点，对半导体可靠性和热管理的担忧也日益加剧。本文聚焦于基于氮化镓的两级功率因数校正（PFC） - LLC 变换器，这是自然冷却消费电子产品中常见的一种拓扑结构，并探索解决其热瓶颈问题的方案。本文提出了一种平衡热网络，该网络通过精确的与温度相关的损耗表征将热域和电域相互连接而建立。然后将这些损耗模型应用于功率变换器的热网络中。此外，主要在元件级研究中发展起来的热耦合概念被拓展到...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项基于GaN器件的PFC-LLC变换器热管理优化技术具有重要的战略价值。该研究针对自然冷却条件下的功率变换系统，提出了系统级热-电耦合网络模型和多目标优化框架，这与我司在光伏逆变器和储能变流器产品中追求高功率密度、高可靠性的技术路线高度契合。 GaN器件的应用是我司下一...