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功率器件技术 GaN器件 可靠性分析 ★ 4.0

具有超薄势垒结构的6英寸高压GaN基增强型HEMT:界面质量及其可靠性

6-in. high-voltage GaN-based E-mode HEMTs with ultrathin barrier structures: Interface quality and its reliability

Nan Sun · Ronghua Wang · Runxin Microelectronics Corporation · Wuxi China Resources Huajing Microelectronics Corporation 等6人 · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.126

本文报道了基于6英寸硅衬底的高压增强型GaN高电子迁移率晶体管(E-HEMT),采用超薄势垒层结构。通过优化界面控制与材料生长工艺,显著提升了异质结界面质量,有效降低了界面态密度并改善了二维电子气特性。器件表现出优异的击穿电压与导通电阻平衡特性,并在高温反向偏压应力下展现出良好的长期可靠性,界面退化机制被系统分析。该研究为高性能、高可靠GaN功率器件的规模化制造提供了技术支撑。

解读: 该研究的超薄势垒GaN E-HEMT技术对阳光电源的功率变换产品具有重要应用价值。6英寸晶圆规模化制造工艺可降低GaN器件成本,有利于在SG系列逆变器和ST系列储能变流器中推广应用。优化的界面质量和可靠性特性可提升产品在高温、高压工况下的稳定性,特别适合PowerTitan等大功率储能系统。器件优异...

储能系统技术 储能系统 GaN器件 ★ 4.0

高压射频应力下GaN HEMT中阻抗依赖性退化:电热与陷阱机制

Impedance-dependent degradation in GaN HEMTs under high-voltage RF stress: Electro-thermal and trap mechanisms

Linling Xu · Hui Guo · Nanjing Electronic Devices Institute · Jiaofen Yang 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.127

研究了在高压射频应力下,不同负载阻抗条件下GaN高电子迁移率晶体管的退化行为。实验发现器件退化程度显著依赖于负载阻抗,低阻抗时退化更严重。结合电学与热学分析,表明高阻抗下自热效应更强,但低阻抗时更大的漏极电流导致焦耳热集中和电场加速,加剧了缺陷生成与载流子俘获。通过瞬态电流与脉冲I-V测试,识别出浅能级陷阱的激活是退化主因,并揭示了电热耦合与陷阱响应的协同作用机制。

解读: 该GaN HEMT阻抗依赖性退化机制研究对阳光电源功率器件应用具有重要价值。研究揭示的低阻抗下电流集中导致焦耳热与电场协同加速陷阱生成机制,可直接指导ST储能变流器和SG光伏逆变器中GaN器件的阻抗匹配设计。通过优化负载阻抗避开高退化区域,可提升PowerTitan储能系统和充电桩中GaN功率模块的...

储能系统技术 储能系统 多电平 ★ 4.0

通过氧等离子体处理改善三层HfO2/Al2O3/HfO2 RRAM的阻性开关特性

Improved Resistive Switching Characteristics by O2 Plasma Treatment in Tri-Layer HfO2/Al2O3/HfO2 RRAM

Shyh-Jer Huang · Wei-Hsuan Hsieh · Rong-Ming Ko · Zi-Hao Wang 等5人 · IEEE Access · 2025年1月

研究采用射频溅射工艺制备HfO2/Al2O3/HfO2三层结构7/6/7纳米并进行氧等离子体处理作为RRAM有源层。与单层HfO2和未处理三层结构相比,等离子体处理器件显著提升了性能:更高的开关电流比、超过1600次的耐久性、超过10^4秒的稳定保持特性,并通过调节限流实现可靠的多电平开关行为。该工作突显了等离子体处理对改善开关均匀性和电稳定性的有效性,为高密度多电平非易失性存储器应用提供了可扩展的工业友好制造工艺。

解读: 该RRAM研究对阳光电源储能系统的可靠性和寿命管理有重要参考价值。RRAM的多电平存储特性与阳光PowerTitan储能系统的电池管理算法优化需求一致,等离子体处理工艺提升的耐久性和稳定性为阳光储能BMS开发非易失性参数存储提供了技术路径。三层结构的低功耗高可靠性特点符合阳光电源在储能变流器PCS控...

储能系统技术 SiC器件 ★ 5.0

基于物理信息注意力残差网络的电池智能温度预警模型

Battery intelligent temperature warning model with physically-informed attention residual networks

Xue Ke · Lei Wang · Jun Wang · Anyang Wang 等12人 · Applied Energy · 2025年1月 · Vol.388

摘要 电动汽车的快速发展对锂离子电池的热安全管理提出了更高要求。传统的物理模型需要大量离线参数辨识,在计算效率与模型保真度之间难以平衡;而数据驱动方法虽然精度较高,但缺乏可解释性,且在不同工况下需要大量数据支持。为应对上述挑战,本文提出了一种物理信息引导的注意力残差网络(Physics-Informed Attention Residual Network, PIARN),该模型将改进的非线性双电容模型与热集总模型嵌入到物理引导的循环神经网络框架中,从而提升了模型的可解释性与泛化能力。所设计的残...

解读: 该物理信息引导的电池温度预警技术对阳光电源储能系统具有重要价值。PIARN模型结合物理模型与深度学习,可集成至ST系列PCS和PowerTitan储能系统的BMS热管理模块,实现0.1°C精度的在线温度预测和近100%准确率的热预警。其轻量化物理模型与残差网络架构适合边缘计算部署,可通过iSolar...

储能系统技术 储能系统 ★ 4.0

自适应抗饱和固定时间控制用于具有预定义性能的PS-HEV模式切换

Adaptive Antisaturation Fixed-Time Control for PS-HEV Mode Transition With Predefined Performance

Xiangwei Rong · Dehua Shi · Shaohua Wang · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年5月

本文针对功率分流式混合动力汽车模式转换过程(MTP)中严苛的瞬态性能要求和控制输入饱和挑战展开研究。提出了一种具有预设性能的固定时间控制器,该控制器可平衡动态响应和模式转换质量。所设计的控制器能确保模式转换过程系统的速度和角度跟踪误差在固定时间内收敛,同时被限制在预设性能函数范围内。引入非线性平滑饱和函数以满足更高的控制输入需求,并采用神经网络估计系统的未知部分。由此构建了一种具有预设性能和抗饱和能力的自适应固定时间控制器。李雅普诺夫稳定性分析证明了系统误差可实现实际固定时间稳定。最后,硬件在环...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,该论文提出的自适应抗饱和固定时间控制技术虽聚焦于混合动力汽车模式切换,但其核心控制理论对我司储能系统和新能源车载电源业务具有重要借鉴价值。 在储能系统应用层面,该技术的预定性能控制和抗饱和机制可直接迁移至我司储能变流器(PCS)的工况切换场景。当储能系统在充电、放电、并网...

系统并网技术 ★ 5.0

基于虚拟外部扰动的并网变流器阻抗测量

Virtual External Perturbance-Based Impedance Measurement of Grid-Connected Converter

Quansen Rong · Pengfei Hu · Yanxue Yu · Dong Wang 等6人 · IEEE Transactions on Industrial Electronics · 2024年8月

并网逆变器(GCC)的阻抗对于可再生能源系统的小信号稳定性分析至关重要。传统上,电力电子装置的阻抗是通过一次侧扰动法进行测量的,该方法需在主电路中接入实际的扰动源,成本高且操作复杂。因此,无需实际扰动源、将扰动注入控制回路的二次侧扰动阻抗测量方法受到了更多关注。本文提出了一种基于虚拟外部扰动的并网逆变器阻抗测量方法,将扰动注入公共连接点(PCC)的电压和电流采样值中。考虑到电网阻抗的影响,建立了并网逆变器的等效计算模型,并可通过并网逆变器的扰动响应来计算其阻抗。此外,比较了一次侧和二次侧扰动法的...

解读: 从阳光电源的业务实践来看,这项虚拟外部扰动阻抗测量技术具有显著的工程应用价值。在大规模光伏电站和储能系统并网运行中,准确获取变流器阻抗特性是保障系统小信号稳定性的关键前提,直接关系到我们产品在弱电网环境下的并网性能和可靠性。 该技术的核心创新在于通过在PCC点的电压电流采样值中注入扰动,实现了无需...

储能系统技术 储能系统 三电平 模型预测控制MPC ★ 5.0

基于字典序优化方法的T型三相三电平逆变器容错序列模型预测控制

Tolerant Sequential Model Predictive Control Based on Lexicographic Optimization Method for T-Type Three-Phase Three-Level Inverters

Shengwei Chen · Yong Yang · Rong Chen · Jiefeng Hu 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年11月

由于中性点(NP)电压的存在,三电平逆变器的控制本质上已成为一个多目标优化问题(MOOP),该问题需要为负载提供稳定的输出电压,同时维持中性点电压。传统上,这个多目标优化问题通过加权因子转化为单目标优化问题。然而,由于两个控制目标的物理量纲通常不同,根据特定理论选择合适的加权因子以获得令人满意的性能颇具挑战。为解决这一问题,本文提出了一种采用字典序优化方法的容错顺序模型预测控制(TSMPC)。该方法针对输出电压和中性点电压建立了两个不同的层次,根据控制目标的重要性对其进行排序,以评估所有电压矢量...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项基于词典优化方法的容错序贯模型预测控制技术对我们的三电平逆变器产品具有重要应用价值。T型三电平拓扑是我们光伏逆变器和储能变流器的核心技术架构,而中点电位平衡控制一直是制约系统性能和可靠性的关键技术瓶颈。 该技术的核心创新在于摒弃了传统加权因子方法,采用分层优先级策略处...

电动汽车驱动 宽禁带半导体 SiC器件 ★ 5.0

用于高温碳化硅功率器件的薄膜封装解决方案

Thin-Film Encapsulation Solution for High-Temperature SiC Power Devices

Rong Zhang · Zexin Liu · Kangyong Li · Li Fang 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年3月

像碳化硅(SiC)这样的宽带隙半导体能够在250°C以上的温度下工作。然而,目前的封装材料无法在175°C以上的温度下工作,这使得碳化硅器件的高温(≥250°C)封装仍然是一项挑战。本文介绍了一种创新的碳化硅功率器件高温封装方案,该方案采用了多层聚对二甲苯HT/Al₂O₃复合薄膜(MPACF)。通过采用交叉堆叠的有机聚对二甲苯HT和无机Al₂O₃多层结构,阻断了外部水分和氧气在高温下到达碳化硅芯片的路径,降低了水分/氧气接触的风险,并避免了与传统有机封装材料相关的热氧化过程。在用硅烷偶联剂进一步...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项SiC功率器件高温薄膜封装技术具有重要的战略价值。当前我们的光伏逆变器和储能变流器产品大量采用SiC功率器件以提升效率和功率密度,但传统封装材料175°C的温度限制严重制约了SiC器件在250°C以上高温环境的性能发挥,这在高功率密度设计和极端气候条件下尤为突出。 该...

储能系统技术 储能系统 SiC器件 深度学习 ★ 5.0

基于门控循环单元神经网络利用稀疏监测数据的车载超级电容器储能系统寿命预测

Life prediction of on-board supercapacitor energy storage system based on gate recurrent unit neural network using sparse monitoring data

Li Wei · Yu Wang · Tingrun Lin · Xuelin Huang 等5人 · Applied Energy · 2025年1月 · Vol.379

摘要 随着超级电容器在交通和能源领域的广泛应用,其服役寿命预测成为一个需要重点考虑的问题。由于车载超级电容器的老化过程与实际工况密切相关,其实际使用寿命可能与实验室测得的循环寿命不一致。然而,记录历史工作状况的车载监测数据质量较低,通常具有稀疏性和碎片化特征,导致难以提取有价值的信息。在我们前期的研究中,已成功从稀疏且碎片化的数据中获取了特征参数,但这些特征参数呈周期性变化,无法直接用于寿命预测。本文首先通过复合正弦函数与多项式时间序列分解模型,从特征参数中提取超级电容器的退化趋势项;其次,为弥...

解读: 该超级电容寿命预测技术对阳光电源储能系统和充电桩产品具有重要价值。针对车载及储能应用中监测数据稀疏问题,GRU神经网络结合时序分解模型可实现2.36%高精度预测,可直接应用于ST系列PCS和PowerTitan储能系统的健康管理。该方法通过提取特征电容、温度等退化趋势,能有效补偿iSolarClou...

储能系统技术 SiC器件 强化学习 ★ 5.0

基于AAV辅助协同干扰的认知无线电网络物理层安全增强:一种MAPPO-LSTM深度强化学习方法

Physical Layer Security Enhancement in AAV-Assisted Cooperative Jamming for Cognitive Radio Networks: A MAPPO-LSTM Deep Reinforcement Learning Approach

Jun Wang · Rong Wang · Zibin Zheng · Ruiquan Lin 等6人 · IEEE Transactions on Vehicular Technology · 2024年10月

认知无线电(CR)和能量收集(EH)技术为缓解频谱利用效率低下和能量存储容量有限等问题提供了思路。在认知无线电网络中,安全威胁,尤其是来自窃听者的威胁,可能导致信息泄露。本研究聚焦于通过自主飞行器(AAV)进行协作干扰,以提高具有能量收集功能的多用户物理层安全(PLS),从而最大化安全通信速率。在AAV辅助的EH - CR系统中,如果次用户(SUs)向主用户(PU)发送的协作干扰功率低于一定阈值,次用户就可以使用主用户占用的授权频谱频段。次用户可以从主发射机(PT)收集并使用射频(RF)能量。A...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,该论文提出的认知无线电网络物理层安全增强技术与公司在分布式能源管理和智能通信系统方面存在潜在协同价值。 **业务相关性分析**:论文中的能量收集(EH)技术与阳光电源的储能系统业务高度契合。在大规模光伏电站和储能电站的运营中,分布式设备间的安全通信至关重要。该研究提出的射...

光伏发电技术 ★ 5.0

通过界面增强实现高效光热转换、储能及优异形状稳定性的复合相变材料

Composite phase change materials with efficient solar-thermal energy conversion, storage and superior shape stability by interfacial enhancement

Rong Xu · Kaiyuan Wang · Zhongguo Zhao · Wenhu Li 等12人 · Energy Conversion and Management · 2025年1月 · Vol.334

摘要 相变材料在热管理领域具有广泛应用,但由于光热转换效率低和易泄漏等问题,其在新能源转换与存储领域的应用受到限制。本研究通过溶液共混、定向冷冻、化学气相沉积处理和真空浸渍方法制备了一种垂直取向的聚乙烯醇/MXene/正二十八烷复合相变材料。MXene的引入拓宽了材料的光吸收光谱,增加了复合相变材料的表面粗糙度,有助于形成额外的热传导通路并提高负载能力。通过化学气相沉积法对材料进行甲基三乙氧基硅烷改性后,显著增强了聚乙烯醇/MXene气凝胶与正二十八烷之间的相互作用,进一步提升了材料的负载能力、...

解读: 该复合相变材料技术对阳光电源储能系统具有重要应用价值。其97.1%的光热转换效率和236 J/g高焓值可优化PowerTitan储能柜的热管理系统,解决电池模组散热难题。垂直取向结构与MXene增强的0.42 W/(m·K)热导率,可应用于ST系列PCS功率器件散热设计,提升SiC/IGBT模块可靠...

系统并网技术 GaN器件 ★ 4.0

X射线辐照诱导的p-GaN肖特基栅HEMT阈值电压不稳定性

X-Ray Irradiation-Induced VTH Instability in Schottky-Gate p-GaN HEMTs

Yu Rong · Feng Zhou · Wenfeng Wang · Can Zou 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年3月

p型氮化镓(p - GaN)肖特基栅结构增强型(E - mode)高电子迁移率晶体管(HEMT)在辐照应用方面具有巨大潜力,但其阈值电压($V_{TH}$)的不稳定性仍在研究之中。在这项工作中,通过构建一个剂量可调且集成了外围偏置电路的X射线辐照在线监测系统,全面研究了阈值电压($V_{TH}$)的不稳定性与辐照剂量和漏极偏置的关系。在仅进行辐照的条件下,该器件在低剂量辐照时呈现出负的$V_{TH}$漂移,随后在高剂量辐照时出现正的$V_{TH}$漂移。通过进行数值模拟、霍尔测量和电容 - 电压...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项关于p-GaN肖特基栅结构HEMT器件在X射线辐照下阈值电压稳定性的研究具有重要的战略参考价值。GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)作为第三代宽禁带半导体器件,在光伏逆变器和储能变流器的功率转换环节具有显著优势,其高频开关特性和低导通损耗可直接提升系统效率和功率密度。...

储能系统技术 工商业光伏 ★ 4.0

基于多功能MoOx/TiON层的高存储、低变异性、低功耗读写后读取超晶格HfO2/ZrO2铁电场效应晶体管存储器件

High-Storage, Low-Variability, and Low-Power Read-After-Write Superlattice HfO2/ZrO2 FeFET Memory Device by Using a Multifunctional MoOx/TiON Layer

Zheng-Kai Chen · Miau-Hua Hsiung · Zi-Rong Huang · Sheng-Min Wang 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年5月

在本研究中,我们提出了一种与现有商用半导体器件完全兼容的多功能栅极氧化物铁电晶体管技术。与单电极不同,该电极采用了 TiN/Mo(30 纳米)/TiN 阻挡层(BL - TiN)(2.5 纳米)结构,其绝缘体由埃级层叠的 HfO₂/ZrO₂ 结构组成,每层厚度为 6.5 埃。基于界面态密度($D_{\text {it}}$)和 X 射线光电子能谱(XPS)结果,MoOx/TiOxNy 层的引入极大地抑制了金属 - 铁电体 - 绝缘体 - 半导体(MFIS)铁电场效应晶体管(FeFET)的电荷俘获...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项基于HfO2/ZrO2超晶格结构的铁电场效应晶体管(FeFET)存储技术虽然属于半导体存储领域,但其核心性能突破对我司光伏逆变器和储能系统的智能控制芯片具有重要的潜在应用价值。 该技术通过引入MoOx/TiOxNy多功能层实现的三大技术突破与我司产品需求高度契合:首先...