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功率器件技术 GaN器件 ★ 4.0

通过降低导通电阻的新方法单片集成GaN微LED与HEMT

Monolithically Integrating GaN MicroLEDs on HEMTs With a New Approach for Lower On-Resistance

Ran Zhang · Hongping Liu · Yuefei Cai · IEEE Electron Device Letters · 2025年5月

高电子迁移率晶体管(HEMT)驱动的微型发光二极管(microLED)在用于可见光通信、微显示和生物传感等领域的电压可控发光方面已有大量报道。现有的集成方法基于采用选择性区域生长法的n - 氮化镓(n - GaN)/二维电子气(2DEG)互连方案。由于微型发光二极管与高电子迁移率晶体管之间互连界面的面积有限,以及高电子迁移率晶体管缓冲层表面蚀刻损伤导致选择性外延生长质量不佳,集成器件存在导通电阻相对较大和电流扩展较差的问题。本文提出了一种将高电子迁移率晶体管与微型发光二极管集成的新方法。该方法无...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项GaN HEMT与microLED单片集成技术虽然当前主要应用于可见光通信、微显示等领域,但其底层技术突破对我司功率电子产品具有重要的潜在价值。 该技术的核心创新在于优化了GaN器件的集成工艺,通过在AlGaN/GaN HEMT表面直接选择性外延生长microLED,...

储能系统技术 储能系统 机器学习 ★ 4.0

面向不确定环境下电力系统决策的决策导向学习

Decision-Focused Learning for Power System Decision-Making Under Uncertainty

Haipeng Zhang · Ran Li · Qintao Du · Junyi Tao 等6人 · IEEE Transactions on Power Systems · 2025年8月

更精确的预测未必带来更优的决策。为此,决策导向学习(DFL)被提出,通过以决策损失替代传统统计损失,构建端到端的学习范式。近年来,DFL在电力系统中有所应用,但现有研究仍零散,缺乏系统的方法论梳理与比较基准。本文通过情景、分类、应用与对比分析,揭示统计精度与运行决策间的内在错配,建立基于模型结构(直接/间接)与梯度处理(基于/无需梯度)的DFL方法体系,综述现有应用,并开发开源基准平台,采用成本降低、预测精度和决策速度等电力指标评估模型性能,最后指出应用挑战并展望未来方向,为推动DFL向电网定制...

解读: 决策导向学习技术对阳光电源储能系统和智能运维平台具有重要应用价值。在PowerTitan大型储能系统中,可将DFL应用于充放电策略优化,通过直接优化运行成本而非预测精度,提升电网调峰调频的经济性。对于ST系列储能变流器,该方法可优化功率分配决策,在不确定性环境下降低决策损失。在iSolarCloud...

储能系统技术 ★ 5.0

液态CO2电池在SOFC能源系统负荷管理中的性能评估

Performance evaluation of liquid CO2 battery for SOFC energy system load management

Ronghe Wang · Panpan Song · Mingshan Wei · Ran Tian 等7人 · Applied Energy · 2025年1月 · Vol.377

固体氧化物燃料电池(SOFC)与储能机制的集成是实现能源基础设施转型以及节能减碳的关键方法。当与储能方案相结合时,SOFC能够实现动态功率输出调节,从而灵活匹配昼夜变化的电力需求。本研究首次提出将一种基于二氧化碳液化循环的新型二氧化碳电池应用于SOFC发电系统中。建立了结合热能回收的液态二氧化碳电池与SOFC系统的数学模型,并通过能量和㶲分析对系统性能进行了全面评估。参数敏感性分析结果表明,液态二氧化碳电池可实现最高62.88%的往返效率和14.26 kW·h/m³的能量存储密度,说明其在往返效...

解读: 该液态CO2储能技术为阳光电源储能系统提供创新思路。其62.88%往返效率和14.26kW·h/m³能量密度特性,可与ST系列PCS协同优化。SOFC动态负载管理经验可借鉴至PowerTitan储能系统的削峰填谷策略。多相流换热器的冷却水流量调控机制,对提升储能系统热管理效率具有参考价值。建议在iS...

储能系统技术 储能系统 可靠性分析 ★ 4.0

邻近高压对汽车应用SOI功率器件特性与可靠性的影响

Influences of Adjacent High Voltage on the Characteristics and Reliability of SOI Power Devices for Automotive Application

Ran Ye · Jiaojing Bian · Hao Luo · Qiao Kang 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2024年12月

基于0.18微米工艺节点的绝缘体上硅(SOI)双极互补金属氧化物半导体 - 双扩散金属氧化物半导体(BCD)技术因其卓越的特性在汽车应用中广受欢迎。在实际的集成电路中,为了平衡性能和芯片面积,器件通常会紧密排列。对于p型横向双扩散金属氧化物半导体(pLDMOS)而言,无论采用何种布局配置,其漏极和源极均会施加高电压。如此一来,如果功率器件与pLDMOS相邻,施加在pLDMOS上的高电压将对功率器件的特性产生不可预测的影响。在本研究中,针对汽车应用,全面研究了这种相邻高电压在室温(25°C)和高温...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项针对SOI BCD工艺中功率器件邻近高压影响的研究具有重要的技术参考价值。在光伏逆变器和储能变流器等核心产品中,功率半导体器件的可靠性直接影响系统效率和使用寿命,而该研究揭示的邻近高压效应正是高功率密度设计中的关键挑战。 该论文系统分析了pLDMOS器件在不同布局配置...