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通用不平衡工况下抑制直流母线二次谐波电压的瞬时功率控制
Instantaneous Power Control for Suppressing the Second-Harmonic DC-Bus Voltage Under Generic Unbalanced Operating Conditions
Yashan Hu · Zi Qiang Zhu · Milijana Odavic · IEEE Transactions on Power Electronics · 2017年5月
本文提出了一种简化的瞬时输出功率控制策略，旨在抑制三相PWM变换器在不对称工况下产生的直流母线二次谐波电压。该方法无需进行复杂的正负序分量分解，通过直接控制瞬时功率，有效提升了系统在电网不平衡条件下的运行稳定性。
解读: 该技术对阳光电源的组串式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能变流器（PCS）具有重要价值。在弱电网或电网故障导致的不平衡工况下，直流母线二次谐波电压会严重影响电容寿命及系统稳定性。该控制策略无需复杂的序分量分解，降低了计算负担，有利于在嵌入式DSP中实现。建议研发团队将其集成至iS...
并联GaN器件误触发振荡的机理分析与抑制
Mechanism Analysis and Oscillation Suppression of the False Triggering Oscillation for Parallel-Connected GaN Devices
Jian Chen · Ziyang Wang · Wensheng Song · Hao Yue 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年11月
氮化镓（GaN）器件凭借高开关速度和低导通电阻优势被广泛应用，但其快速开关特性易引发误触发振荡，导致电压过冲、严重电磁干扰甚至器件损坏。本文深入分析了并联GaN器件误触发振荡的物理机理，并提出了相应的抑制策略，以提升电力电子系统的稳定性和可靠性。
解读: 随着阳光电源在户用光伏逆变器及小型化充电桩产品中对功率密度要求的不断提升，GaN器件的应用成为技术演进的重要方向。并联GaN器件的误触发振荡直接影响系统电磁兼容性（EMC）和功率模块的可靠性。该研究对于优化阳光电源高频逆变器及充电模块的驱动电路设计、改善PCB布局及寄生参数抑制具有重要指导意义。建议...
考虑温度相关特性的SiC MOSFET开关串扰建模与分析
Modeling and Analysis for Switching Crosstalk of SiC MOSFETs Considering Temperature- Dependent Characteristics
Hao Yue · Wensheng Song · Jian Chen · Tao Tang 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年8月
相比硅器件，碳化硅(SiC) MOSFET具有更快的开关速度和更低的损耗，是高压高频变换器的理想选择。然而，其极高的电压变化率(dv/dt)和反向恢复电流会导致严重的串扰问题，特别是在高温工况下。本文针对SiC MOSFET的开关串扰进行了建模与分析。
解读: SiC器件是阳光电源提升光伏逆变器和储能变流器（PCS）功率密度与效率的核心技术。随着PowerTitan等储能系统及组串式逆变器向更高电压等级和开关频率演进，SiC MOSFET的串扰问题直接影响系统的电磁兼容性(EMC)与可靠性。本文提出的温度相关串扰模型，对优化阳光电源功率模块的驱动电路设计、...
一种DCM Boost PFC变换器的新型控制方案
A Novel Control Scheme of DCM Boost PFC Converter
Kai Yao · Wenbin Hu · Qiang Li · Jianguo Lyu · IEEE Transactions on Power Electronics · 2015年10月
DCM模式下的Boost PFC变换器具有零电流开通、二极管无反向恢复及定频运行等优点。然而，在工频周期内保持恒定占空比会导致输入电流产生显著的三次谐波，且与基波存在π相位差。本文提出一种新型控制方案以抑制该谐波，优化输入电流质量。
解读: 该技术主要应用于阳光电源的户用光伏逆变器及电动汽车充电桩产品线。在户用逆变器前端PFC级中，DCM模式常用于提升轻载效率。通过优化占空比控制策略抑制三次谐波，可显著提升整机电能质量，满足严苛的电网谐波标准（如IEC 61000-3-2）。建议研发团队在下一代高功率密度户用逆变器及便携式充电桩中引入该...
半桥电路中GaN HEMT多模态无阻尼振荡的开关机制与影响分析
Switching Mechanism and Influence Analysis of Multimode Undamped Oscillation for GaN HEMTs in Half-Bridge Circuits
Jian Chen · Qiang Hu · Kexin Yang · Pengcheng Xu 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年4月
氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管因高开关速度和低导通电阻被广泛应用，但其高频特性易引发电路不稳定性。本文研究了半桥电路中无阻尼振荡的产生机制，该振荡会导致功率损耗增加甚至器件击穿，对电力电子系统的可靠性构成挑战。
解读: 随着阳光电源在户用光伏逆变器及小型化储能PCS中对功率密度要求的不断提升，GaN器件的应用成为技术演进的重要方向。本文揭示的半桥电路振荡机制对于优化逆变器功率模块的PCB布局、驱动电路设计及EMI抑制具有直接指导意义。建议研发团队在开发下一代高频紧凑型组串式逆变器或微型逆变器时，参考该研究成果，通过...
一种实现断续导通模式Boost PFC变换器电解电容纹波电流最优抑制的新型控制策略
A Novel Control to Achieve Optimal Reduction of the E-Cap's Ripple Current for Discontinuous-Conduction Mode Boost PFC Converter
Kai Yao · Xincheng Hu · Qiang Li · Minghui Yin · IEEE Transactions on Power Electronics · 2016年6月
在PFC变换器中，电解电容常用于平衡脉动输入功率与恒定输出功率。然而，电解电容存在等效串联电阻较大及寿命受限等问题。本文针对断续导通模式（DCM）Boost PFC变换器，提出了一种新型控制策略，旨在通过优化控制方式有效降低电解电容的纹波电流，从而提升变换器的整体可靠性与使用寿命。
解读: 该研究直接关联阳光电源户用光伏逆变器及充电桩产品线中的前级PFC电路设计。电解电容作为功率变换器中寿命最短的薄弱环节，其纹波电流抑制直接决定了产品的可靠性与质保成本。在户用逆变器追求高功率密度与长寿命的趋势下，该控制策略有助于在不增加额外硬件成本的前提下，通过软件算法优化降低电容热应力，提升系统在高...
具有AlN插入层的新型增强型p沟道GaN MOSFET
Novel Enhancement-Mode p-Channel GaN MOSFETs With an AlN Insert Layer
Hai Huang · Maolin Pan · Qiang Wang · Xinling Xie 等6人 · IEEE Electron Device Letters · 2025年2月
在本研究中，在专为 p - GaN 高电子迁移率晶体管（HEMT）设计的商用 GaN 晶圆上展示了一款增强型（E 型）p 沟道 GaN 金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管（p - MOSFET），其最大导通态电流（ ${I}_{\text {ON}}$ ）密度为 10.5 mA/mm，阈值电压（ ${V}_{\text {TH}}$ ）为 - 2.45 V， ${I}_{\text {ON}}/{I}_{\text {OFF}}$ 比为 $10^{{8}}$ 。此外，我们提出了一种新型 E...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项基于AlN插入层的增强型p沟道GaN MOSFET技术具有重要的战略意义。当前我们的光伏逆变器和储能变流器主要采用n沟道功率器件，而该技术突破为实现GaN基互补金属氧化物半导体（CMOS）架构提供了关键的p沟道器件解决方案。 该技术的核心价值在于显著改善的器件性能参数...