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功率器件技术 SiC器件 功率模块 多物理场耦合 ★ 5.0

一种基于PSpice-MATLAB-COMSOL的SiC功率模块自动化场路耦合仿真方法

An Automated Field-Circuit Coupling Simulation Method Based on PSpice-MATLAB-COMSOL for SiC Power Module Design

Yayong Yang · Zhiqiang Wang · Yuxin Ge · Guoqing Xin 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年10月

多物理场仿真对碳化硅(SiC)功率模块设计至关重要。针对电路仿真与热-流-机仿真软件间缺乏接口导致设计精度不足的问题,本文提出了一种基于自主研发COMSOL-PSpice接口的自动化场路耦合仿真方法,实现了功率模块的高效精确设计。

解读: 该技术对阳光电源的核心业务具有极高价值。随着公司组串式逆变器及PowerTitan系列储能系统向高功率密度、高效率方向演进,SiC器件的应用日益广泛。该场路耦合仿真方法能显著提升功率模块在复杂工况下的热管理与电磁兼容设计水平,缩短研发周期。建议研发团队引入此自动化接口,优化逆变器及PCS功率模块的散...

功率器件技术 SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 ★ 5.0

一种具有温度相关参数的SiC MOSFET非分段PSpice模型

A Non-Segmented PSpice Model of SiC MOSFET With Temperature-Dependent Parameters

Hong Li · Xingran Zhao · Kai Sun · Zhengming Zhao 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年5月

本文提出了一种具有温度相关参数的SiC MOSFET非分段PSpice模型,旨在提升模型收敛性及温度特性表现。文中详细介绍了非分段方程及参数提取方法,并通过仿真与实验验证了该模型的有效性。

解读: SiC器件是阳光电源提升光伏逆变器(如组串式逆变器)和储能系统(如PowerTitan系列)功率密度与效率的核心技术。该非分段PSpice模型通过优化收敛性和温度特性,能显著提高研发阶段对SiC功率模块在极端工况下的热行为预测精度。建议研发团队将其集成至iSolarCloud智能运维平台的数字孪生模...

功率器件技术 SiC器件 功率模块 宽禁带半导体 ★ 4.0

一种用于碳化硅基BJT功率模块的简单解析PSpice模型开发

Development of a Simple Analytical PSpice Model for SiC-Based BJT Power Modules

Daniel Johannesson · Muhammad Nawaz · IEEE Transactions on Power Electronics · 2016年6月

本文首次开发并验证了一种针对1200V/800A 4H-SiC双极结型晶体管(BJT)功率模块的简单解析Spice型模型。该模型基于适用于高功率应用的温度相关SiC Gummel-Poon模型,通过PSpice仿真提取了与技术相关的参数,为高压大功率SiC器件的电路级仿真提供了高效工具。

解读: 随着阳光电源在组串式逆变器和PowerTitan系列储能系统(PCS)中对功率密度和效率要求的不断提升,SiC器件的应用已成为核心趋势。该研究提出的高压大功率SiC器件解析模型,能够显著缩短研发周期,提升电路仿真精度。建议研发团队关注该模型在高温环境下的热电耦合特性,将其引入到大功率逆变器及储能变流...

电动汽车驱动 SiC器件 ★ 5.0

一种具有自动参数提取功能的统一物理PSPICE碳化硅MOSFET模型

A Unified Physical PSPICE Model of SiC MOSFET With Automatic Parameter Extraction

Xin Yang · Qing Li · Xiaodi Wang · Shiwei Liang 等5人 · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2024年11月

碳化硅功率器件的端电容显著影响其开关特性,准确表征其非线性电容特性至关重要。本文提出一种基于非线性端电容物理特性的统一PSPICE碳化硅MOSFET建模方法,考虑了平面栅器件工作过程中耗尽区变化及电容结构的影响。通过分析栅源电压Vgs和漏源电压Vds的双重依赖关系计算端电容,并提出自动参数提取方法,使模型参数与实验特性匹配。该方法精确描述了三种端电容与Vgs、Vds之间的关系,避免了获取C-V曲线的复杂过程。通过对C2M0080120D和SCT30N120两种器件的双脉冲实验验证,模型结果与测量...

解读: 该SiC MOSFET统一物理模型及自动参数提取技术对阳光电源功率器件应用具有重要价值。在ST储能变流器和SG光伏逆变器中,精确的非线性电容模型可优化开关损耗计算和EMI设计,提升1500V高压系统的可靠性。自动参数提取方法可加速新型SiC器件的选型验证流程,缩短PowerTitan等大功率产品的研...