横向β-Ga2O3 MOSFET器件的4 A/300 V开关特性

4 A/300 V Switching of Lateral β-Ga2O3 MOSFET Devices

Kornelius Tetzner · Houssam Halhoul · Martin Damian Cuallo · Oliver Hilt · IEEE Electron Device Letters · 2025年7月

本研究报告了横向 $\beta$-Ga₂O₃ 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）器件的高压开关性能，重点关注千瓦级工作条件下的动态行为。采用脉冲电流 - 电压（I - V）和瞬态开关测量对总栅极宽度为 92 毫米的大周长器件进行了表征。脉冲输出特性显示，漏极峰值电流达到 13 A，这是 $\beta$-Ga₂O₃ 晶体管有报道以来的最高值，同时导通电阻为 720 mΩ。通过晶圆上测量捕捉到了高压开关瞬态过程，器件承受的关态漏极电压最高可达 350 V。随着关态漏极电压从 10 V 增加...

解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项β-Ga2O3 MOSFET器件的研究代表了功率半导体领域的重要技术突破。该器件实现了4A/300V的千瓦级开关操作，峰值漏极电流达到13A，这对我们的光伏逆变器和储能变流器产品具有潜在应用价值。 从技术性能分析，β-Ga2O3材料的超宽禁带特性（约4.8eV）使其理...