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畸变电网电压下电池储能变流器充电电流纹波抑制研究
Study of Charging Current Ripple Suppression for Battery Energy Storage Converter Under Distorted Grid Voltages
Haoqing Cai · Min Chen · Changsheng Hu · Sheng Ren · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年7月
本文针对T型三电平电池储能变流器，提出了一种充电电流纹波抑制策略。在电网电压畸变工况下，电网电压谐波会导致电池充电电流产生纹波。文章通过理论分析与数学推导揭示了纹波产生机理，并基于此提出了一种有效的控制方案以抑制电流纹波，提升系统性能。
解读: 该研究直接针对阳光电源PowerTitan和PowerStack等储能变流器（PCS）核心技术。在复杂的弱电网或电网电压畸变环境下，该控制策略能有效降低电池充电电流纹波，从而减少电池发热、延长电池循环寿命，提升储能系统的整体可靠性。建议研发团队将该纹波抑制算法集成至iSolarCloud智能运维平台...
基于旋转变压器的高速永磁同步电机高精度转子位置校正策略
High-Precision Rotor Position Correction Strategy for High-Speed Permanent Magnet Synchronous Motor Based on Resolver
Shaohua Chen · Yunlong Zhao · Haitao Qiu · Xiaojun Ren · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年9月
本文针对2.5kW/10000r/min永磁同步电机（PMSM），提出了一种基于旋转变压器的高精度转子位置校正策略。旋转变压器虽具有长寿命和高抗干扰性，但常存在信号幅值不平衡及模数转换非理想问题。该策略有效提升了高速电机转子位置检测的精度与稳定性。
解读: 该技术主要应用于高性能电机驱动控制，与阳光电源的风电变流器及电动汽车充电桩业务具有技术关联性。在风电变流器中，高精度转子位置检测对于提升发电机侧变流器的控制性能至关重要；在充电桩模块中，若涉及车载电机驱动测试或相关功率转换控制，该校正策略可提升系统响应速度与效率。建议研发团队关注该算法在复杂电磁环境...
一种用于独立光伏系统、具有低电压应力和减少开关管数量的无变压器高增益三端口变换器
Transformerless High-Gain Three-Port Converter With Low Voltage Stress and Reduced Switches for Standalone PV Systems
Ling Qin · Tianhong Qian · John Long Soon · Waqas Hassan 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年11月
本文提出了一种用于独立光伏系统的高增益无变压器三端口变换器（TPC）。该变换器基于双电感高增益两端口变换器设计，通过利用缓冲电容引出第三端口作为光伏输入。采用混合脉冲频率调制与脉宽调制（PWM）相结合的控制策略，有效降低了电压应力并减少了开关器件数量。
解读: 该拓扑结构在提高光伏系统功率密度和转换效率方面具有显著优势，特别适用于阳光电源的户用光伏及小型光储一体化系统。其高增益特性有助于减少光伏组件串联数量，降低系统成本；低电压应力设计则能提升功率器件的可靠性，降低对高压等级开关管的依赖。建议研发团队评估该拓扑在小型化、低成本户用储能逆变器中的应用潜力，重...
高压可控C-SenseFET的解析模型与特性研究
Analytical Model and Characteristics for High-Voltage Controllable C-SenseFET
Zehong Li · Yong Liu · Ji Wu · Zhaoji Li 等11人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2016年6月
本文提出了一种描述高压C-SenseFET在线性区和饱和区导通电流的解析模型。作为一种集传感与充电功能于一体的重要器件，文章详细分析了传感比K和充电摆幅因子α两个关键参数，并提出了优化结构。该研究对提升高压功率器件的应用性能具有重要意义。
解读: C-SenseFET作为一种具备电流传感功能的功率器件，在提升功率模块集成度与控制精度方面具有显著潜力。对于阳光电源而言，该技术可应用于组串式逆变器及PowerTitan储能系统的功率模块设计中，通过集成传感功能简化驱动电路，减小PCB空间占用，并提升系统对电流采样精度的控制能力。建议研发团队关注该...
基于FinFET的逻辑兼容低电压线性注入模拟存储器
FinFET-Based Logic-Compatible Low-Voltage Linear-Injection Analog Memory
Hsin-Hung Yeh · Min-Hsun Chuang · Jiaw-Ren Shih · Chrong Jung Lin 等5人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年8月
本研究介绍了一种基于浮栅反相器的先进模拟存储单元架构，该架构采用鳍式场效应晶体管（FinFET）技术节点实现。该存储单元集成了一个互补金属氧化物半导体（CMOS）逻辑门，其模拟电平直接受浮栅中存储电荷量的影响。这种独特的共享浮栅配置能够对所存储的模拟值进行精确控制，与传统设计相比，可实现更宽范围的信号电平。互补设计方法进一步增强了存储单元的灵活性和鲁棒性，使其能够采用多种读出方法，且这些方法对工艺和工作条件的变化具有较强的适应性。此外，本研究成功展示了模拟电平的脉冲控制调制，以及针对该结构设计的...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项基于FinFET工艺的浮栅模拟存储技术具有显著的战略价值。在光伏逆变器和储能系统的核心控制领域，该技术所展现的低功耗、高精度模拟信号存储能力，可为我们的产品带来多维度性能提升。 具体而言，该技术的共享浮栅架构能够实现更宽的模拟信号范围和精确的电荷控制，这对于逆变器中的...
基于45 μm多外延层超结柱的1200 V沟槽型场截止载流子存储半超结IGBT实验评估
Experimental Evaluation on 1200 V Trench-FS CS-SemiSJ-IGBT With 45 μm Multi-Epi SJ-Pillar
Luping Li · Qiansheng Rao · Zehong Li · Yuanzhen Yang 等12人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2026年1月 · Vol.73
本文首次实验验证两款采用45 μm多外延超结柱（SemiSJ-pillar）结构的1200 V/15 A沟槽场截止载流子存储IGBT，相较商用NDBT器件，导通压降、寄生电容及开关时间等关键参数全面优化，短路耐受时间与FOM显著提升。
解读: 该研究聚焦高压IGBT结构创新，直接支撑阳光电源组串式逆变器（如SG系列）、ST系列储能变流器及风电变流器中核心功率模块的性能升级。45 μm超结柱设计可降低Von与Esw，提升效率与热可靠性，建议在下一代高功率密度ST3.0+ PCS及SG320HX组串逆变器中开展Si-based IGBT模块替...