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功率器件技术 GaN器件 宽禁带半导体 可靠性分析 ★ 4.0

肖特基型p-GaN栅HEMT中负栅极偏置引起的动态导通电阻退化

Negative Gate Bias Induced Dynamic ON-Resistance Degradation in Schottky-Type p-Gan Gate HEMTs

Zuoheng Jiang · Mengyuan Hua · Xinran Huang · Lingling Li 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年5月

本文系统研究了关断状态栅极偏置(VGS,OFF)对商用肖特基型p-GaN栅HEMT动态导通电阻(RON)的影响。通过双脉冲测试和脉冲I-V系统,评估了在硬开关和软开关条件下,不同栅极和漏极偏置对动态RON的影响。研究发现,更负的VGS,OFF会导致更显著的动态RON退化。

解读: GaN作为宽禁带半导体,在阳光电源的高功率密度户用逆变器及小型化充电桩产品中具有重要应用前景。该研究揭示了p-GaN栅HEMT在负偏置下的动态导通电阻退化机制,对提升阳光电源产品的长期可靠性至关重要。建议研发团队在设计驱动电路时,优化负压关断策略,以抑制动态损耗增加。同时,该研究成果可指导iSola...

功率器件技术 GaN器件 宽禁带半导体 可靠性分析 ★ 4.0

p-GaN栅极功率HEMT开关运行下动态关断漏电流的物理经验模型

A Physics-Based Empirical Model of Dynamic IOFF Under Switching Operation in p-GaN Gate Power HEMTs

Yuru Wang · Tao Chen · Mengyuan Hua · Jin Wei 等9人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年9月

本文基于物理机制,建立了p-GaN栅极高电子迁移率晶体管(HEMT)在开关运行下动态关断漏电流(IOFF)的经验模型。模型综合考虑了开关频率、占空比、关断延迟时间、栅极驱动电压及温度等关键运行条件对漏电流的影响。

解读: 随着阳光电源在户用光伏逆变器及小型化充电桩产品中对高功率密度要求的提升,GaN器件的应用前景广阔。该模型揭示了p-GaN HEMT在动态开关过程中的漏电流演变规律,对于优化逆变器及充电桩的驱动电路设计、提升系统效率及热管理水平具有重要指导意义。建议研发团队在下一代高频化、小型化功率模块设计中,引入该...

控制与算法 模型预测控制MPC PWM控制 ★ 3.0

永磁同步电机扩展极限边界显式模型预测直接速度控制

Expanded Limit Boundary Explicit Model Predictive Direct Speed Control for PMSMs

Mengyuan Zhao · Yanfei Cao · Chen Li · Zhiqiang Wang 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年5月

本文针对永磁同步电机(PMSM)的显式模型预测直接速度控制(DSC)方法进行了研究。传统方法受限于规则六边形电流和电压约束,导致电机运行范围窄、负载能力低。本文提出了一种扩展极限边界的控制策略,旨在提升PMSM在高速运行下的动态性能与负载能力。

解读: 该研究提出的高性能电机控制算法对阳光电源的风电变流器及电动汽车充电桩业务具有参考价值。在风电变流器中,优化PMSM的动态响应和运行边界可提升风机在复杂工况下的发电效率;在充电桩领域,该算法有助于提升电机驱动系统的控制精度与响应速度。建议研发团队关注其在非线性约束下的优化策略,以进一步提升公司电力电子...

功率器件技术 GaN器件 宽禁带半导体 可靠性分析 ★ 4.0

变频及漏源偏置应力下p-GaN HEMT输出电容提取方法

Output Capacitance Extraction of p-GaN HEMTs Under Multi Pulse Switching Across Variable Frequencies and Drain-Bias Stress

Xinzhi Liu · Junting Chen · Shanshan Wang · Sijiang Wu 等9人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 预计 2026年6月

本文提出了一种在多脉冲开关条件下提取200V肖特基p-GaN HEMT输出电容(COSS)的方法。通过栅源短路配置,在开关瞬态期间捕获CGD和CDS。为减少振荡,设计了低寄生电感的四层PCB,并分析了不同频率和偏置电压下的电容特性。

解读: GaN作为宽禁带半导体,在阳光电源的户用光伏逆变器及小型化充电桩产品中具有提升功率密度和转换效率的巨大潜力。本文提出的COSS精确提取方法,有助于优化高频开关下的损耗模型,对提升阳光电源下一代高频化、小型化逆变器及充电桩的驱动电路设计及EMI抑制具有重要参考价值。建议研发团队在后续高频功率模块设计中...

储能系统技术 储能系统 ★ 4.0

中国海拔4650米处长空气间隙放电通道曲折度研究

Study on the tortuosity of long air gap discharge channels at an altitude of 4650 m in China

Li Cai · Haohao Jin · Changzhi Peng · Mengyuan Chen 等6人 · IEEE Transactions on Power Delivery · 2025年12月

高海拔下气压、温度和湿度的变化影响长空气间隙的放电特性及放电通道曲折度的变异。本研究在海拔4650 m的西藏地区开展实验,分析不同电极类型(棒、球、环形电晕平面)和间隙距离下的放电电压、电流及光学图像。结果表明,偏转角φ与弯曲角β服从正态分布,间隙距离和电极类型均影响曲折程度。通过K-means聚类分析识别出放电通道发展的三阶段模式。该海拔下平均偏转角为12.7°,标准差±10.0°,高海拔数据分布更分散,概率密度曲线更宽。研究结果为高海拔环境下的空气放电模拟与高电压工程提供了重要数据支持。

解读: 该高海拔长空气间隙放电特性研究对阳光电源高原型产品设计具有重要价值。研究揭示的4650m海拔下放电通道曲折度特征(平均偏转角12.7°±10.0°)及三阶段放电模式,可直接应用于ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器的高原型产品开发。针对西藏、青海等高海拔光储电站,该数据支持优化母排间距设计、绝缘配...