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储能系统技术 ★ 5.0

氧等离子体脉冲时间对原子层沉积ZrO2反铁电储能电容器的影响

Impact of oxygen plasma pulse time on atomic-layer-deposited ZrO2 antiferroelectric energy storage capacitors

Conglin Zhang · Binbin Luo · Chenyan Wang · Ze Shang 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.127

研究了氧等离子体脉冲时间对原子层沉积ZrO2反铁电薄膜及其电容器性能的影响。通过调节氧等离子体脉冲时长,优化了ZrO2薄膜的结晶特性、相纯度及界面质量,显著提升了器件的反铁电性与能量存储密度。结果表明,适当的脉冲时间可有效抑制氧空位缺陷,增强薄膜均匀性,从而提高击穿场强和极化差值。该工作为高性能反铁电电容器的可控沉积提供了关键工艺依据。

解读: 该ZrO2反铁电薄膜电容技术对阳光电源储能系统具有重要应用价值。通过优化氧等离子体脉冲工艺提升的高能量密度、高击穿场强特性,可直接应用于ST系列储能变流器和PowerTitan系统的直流母线支撑电容、滤波电容模块,替代传统电解电容,实现更高功率密度和更长寿命。反铁电材料的快速充放电特性与低损耗优势,...

光伏发电技术 ★ 5.0

AgBiI4中理论缺陷工程以提升光伏性能

Theoretical defect engineering in AgBiI4 for enhanced photovoltaic performance

Quanhe Yan · Haoze Li · Zhongyi Luo · Haoyu Cao · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.127

本文通过第一性原理计算研究了AgBiI4中的缺陷性质,并提出缺陷工程策略以提升其光伏性能。结果表明,通过调控合成条件可有效抑制深能级缺陷的形成,增强载流子寿命与迁移率。掺杂研究表明,适量Cu替代Ag或Sb替代Bi可优化载流子浓度并降低缺陷态密度。此外,碘空位的容忍性较高,有利于器件制备过程中的稳定性。本工作为AgBiI4基太阳能电池的材料设计与性能优化提供了理论指导。

解读: 该AgBiI4缺陷工程研究为阳光电源光伏产品提供了材料层面的理论指导。研究中通过Cu/Sb掺杂优化载流子浓度、抑制深能级缺陷的策略,可应用于SG系列光伏逆变器的上游组件材料选型与供应链质量管控。碘空位容忍性高的发现对提升组件长期稳定性具有参考价值,有助于优化iSolarCloud平台的衰减预测模型。...

风电变流技术 ★ 5.0

一种基于稳定性约束分区策略的风电接入电力系统两阶段分段经济调度模型

A novel two-phase piecewise economic dispatch model for wind-penetrated power systems using stability-constrained partition strategy

Jianqiang Luo · Zhenglin Tan · Ziqian Huang · Pengli Zou 等9人 · Applied Energy · 2025年1月 · Vol.401

随着风力发电并网比例的持续增加,现代电力系统的稳定性面临严峻挑战,尤其是在经济调度方面。现有大多数研究主要关注传统发电机组的约束条件,而忽略了风力发电带来的动态影响。然而,随着风电占比不断提高,将风力发电对系统稳定性的影响纳入调度过程变得至关重要。为此,本文提出了一种新型的两阶段分段经济调度(TPED)模型,以应对风力发电与电网之间的动态交互问题。TPED模型的目标是在整个调度周期内最小化发电成本的同时,维持足够的稳定性裕度。本文提出了稳定性约束分区策略,该策略充分利用阻尼比函数的特性,并确保在...

解读: 该双阶段分段经济调度模型对阳光电源风电变流器及储能系统具有重要价值。文中提出的稳定性约束分区策略可应用于ST系列储能变流器的多目标优化控制,通过阻尼比函数特性实现经济性与稳定性平衡。所提GCSO算法可融入iSolarCloud平台的智能调度模块,优化风光储混合系统的实时经济调度。特别是针对高比例风电...

储能系统技术 储能系统 SiC器件 ★ 4.0

一种基于漏极电压摆动的SiC MOSFET快速短路检测方法

A Fast Short Circuit Detection Method for SiC MOSFETs Based on Drain Voltage Swing

Zekun Li · Bing Ji · Kun Tan · Puzhen Yu 等6人 · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2025年3月

尽管碳化硅(SiC)MOSFET性能优越,但其热容量小、开关速度快,对短路保护提出了更高要求。本文提出一种基于漏源电压(V<sub>DS</sub>)摆动的快速可靠短路保护方法,可在器件达到临界损伤前迅速检测并关断。该方法在150 ns和24 ns内分别实现Type-I与Type-II短路的超快检测;利用现有RC缓冲电路实现短路检测与主电路保护的集成,不改变其原有功能;结合低成本数字栅极驱动器中的新型采样保持(S/H)电路,提升工况适应性。实验平台验证了该方案的有效性与重复性。

解读: 该SiC MOSFET快速短路检测技术对阳光电源ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器具有重要应用价值。其150ns超快检测响应可显著提升功率模块可靠性,特别适用于PowerTitan大型储能系统中高频开关场景的器件保护。基于Vds摆动的检测方法与现有RC缓冲电路集成,无需额外硬件成本,可直接应用于...

功率器件技术 SiC器件 可靠性分析 ★ 4.0

基于联合TSEPs建模的负载无关结温估计方法研究

Load-Independent Junction Temperature Estimation via Combined TSEPs Modeling for SiC MOSFETs

Meng Luo · Kun Tan · Xi Tang · Cungang Hu 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年10月

高精度的结温估计对于碳化硅(SiC)金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管(MOSFET)的可靠性和安全运行至关重要。利用对温度敏感的电参数(TSEPs)的方法在监测中被广泛采用,具有非侵入性和热响应快的优点。本文提出了一种与负载无关的结温模型,该模型结合了三个TSEPs,即漏极电压峰值($V_{DS,pk}$)、漏极电流峰值($I_{D,pk}$)和导通延迟时间($t_{d,on}$)。与其他依赖单个或较少TSEPs的方法相比,该模型消除了负载电压和电流的影响,从而提高了估计精度和抗干扰能力...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项基于多参数融合的SiC MOSFET结温估算技术具有重要的应用价值。作为全球领先的光伏逆变器和储能系统供应商,阳光电源产品中大量采用SiC功率器件以实现更高的功率密度和转换效率,而精确的结温监测是保障系统可靠性和延长器件寿命的关键技术。 该论文提出的多温敏参数(TSE...

光伏发电技术 储能系统 微电网 强化学习 ★ 5.0

一种基于在线强化学习的集中式控制微电网能量管理策略

An Online Reinforcement Learning-Based Energy Management Strategy for Microgrids With Centralized Control

Qinglin Meng · Sheharyar Hussain · Fengzhang Luo · Zhongguan Wang 等5人 · IEEE Transactions on Industry Applications · 2024年7月

为解决可再生能源,尤其是风能和太阳能显著的不可预测性和间歇性问题,本文提出了一种基于在线强化学习的新型优化模型。首先,考虑到风电 - 光伏储能系统(WPESS)固有的挑战,设计了一个能源管理优化模型,以实现计划执行并最小化储能(ES)运行成本。采用在线强化学习框架,为能源管理优化模型定义了各种状态变量、动作变量和奖励函数。应用状态 - 动作 - 奖励 - 状态 - 动作(SARSA)算法来学习微电网系统的联合调度策略,利用其迭代探索机制并与环境进行交互。该策略旨在实现有效功率跟踪和减少储能充放电...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项基于在线强化学习的微电网能量管理技术具有重要的战略价值。该技术针对风光储系统的不确定性和间歇性问题,提出了SARSA算法驱动的实时优化方案,这与我司在光储一体化解决方案领域的核心需求高度契合。 在产品应用层面,该技术可直接赋能我司的PowerStack储能系统和微电网...

储能系统技术 储能系统 ★ 5.0

用于在Vhold = 0 V下实现长数据保持的2T0C DRAM的氟处理顶栅InAlZnO薄膜晶体管

Fluorine-Treated Top-Gate InAlZnO TFT for 2T0C DRAM With Long Data Retention at Vhold = 0 V

Linlong Yang · Binbin Luo · Xi Chen · Wen Xiong 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年4月

研究了采用等离子体增强原子层沉积制备的顶栅InAlZnO(IAZO)薄膜晶体管(TFT)用于2T0C DRAM单元。通过Ar等离子体处理源/漏区,导通电流提升约三个数量级。引入氟处理调控阈值电压和导通电流,优化后器件表现出0.64 V的正阈值电压、74 mV/dec的亚阈值摆幅、~6 mV的微小迟滞及优异均匀性,且导通电流提高逾50%。氟处理显著改善负偏压稳定性,60分钟应力下阈值电压漂移仅-0.005 V。基于该TFT的2T0C DRAM在零保持电压下实现>1 ks的保持时间,并具备超过10^...

解读: 该氟处理IAZO TFT的2T0C DRAM技术对阳光电源储能系统具有重要应用价值。其零保持电压下>1ks数据保持时间和超低静态功耗特性,可应用于PowerTitan储能系统和ST系列储能变流器的BMS电池管理芯片、状态监测存储单元。相比传统DRAM,该技术在待机模式下几乎零功耗,可显著降低储能系统...

光伏发电技术 可靠性分析 ★ 5.0

钠诱导的掺钨氧化铟薄膜及异质结太阳能电池在湿热环境中的退化

Sodium-induced degradation of tungsten doped indium oxide film and HJT solar cells in damp-heat environment

Yunren Luo · Jianhua Shi · Shuyi Chen · Haodong Chen 等14人 · Solar Energy · 2025年1月 · Vol.296

摘要 硅异质结(HJT)太阳能电池的可靠性是延长其光伏系统寿命的关键。钠被认为是使用钠钙玻璃封装的光伏组件性能衰减的主要因素之一。本研究探讨了在湿热条件(DH,85 °C和85%相对湿度)下,未封装HJT太阳能电池因NaHCO₃引起的退化行为。Na⁺和H₂O在IWO薄膜晶界处的化学吸附可促进氧化铟向氢氧化铟的转化,导致载流子迁移率下降以及晶界势垒升高。此外,Na⁺穿过IWO薄膜扩散至HJT太阳能电池的钝化层,会恶化nc-Si:H的钝化效果,从而引起HJT太阳能电池效率的降低。研究发现,具有大晶粒...

解读: 该研究揭示HJT电池在湿热环境下钠离子诱导的IWO薄膜降解机制,对阳光电源SG系列光伏逆变器系统可靠性设计具有重要参考价值。研究发现大晶粒IWO薄膜可显著降低效率衰减(从71.4%降至36.6%),为iSolarCloud平台的组件衰减预测模型提供理论依据。建议在逆变器MPPT算法中加入组件湿热老化...

光伏发电技术 ★ 5.0

基于动态双面率的双面光伏组件新型发电模型研究

Development of a novel power generation model for bifacial photovoltaic modules based on dynamic bifaciality

Qiangzhi Zhang · Jinqing Peng · Yimo Luo · Meng Wang 等7人 · Energy Conversion and Management · 2025年1月 · Vol.324

摘要 双面率显著受到辐照强度和背面辐照不均匀性(NUF)的影响。因此,在模拟双面光伏(bPV)组件的动态发电过程时,若采用静态双面率将导致较大的误差。本研究提出了一种新的动态双面率模型,同时考虑了上述两个因素。首先,通过电流-电压(I-V)特性测试获得了不同辐照强度下的基础双面率;其次,建立了三维(3D)视角因子模型,用于研究安装参数、太阳辐照度和太阳位置对NUF的影响,并构建了预测NUF的回归模型,其拟合优度(R²)达到0.914;第三,建立了考虑背面辐照非均匀分布的bPV组件电气模型,提出双...

解读: 该动态双面率建模技术对阳光电源SG系列光伏逆变器的MPPT优化具有重要价值。研究揭示背面辐照不均匀性(NUF)对双面组件发电的显著影响,可指导逆变器算法升级:通过集成3D视角因子模型和双面率修正因子,SG逆变器可实时修正最大功率点追踪策略,将功率预测误差从8%降至1.4%。该技术可与iSolarCl...