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一种用于提高功率放大器容量利用率的非线性地质勘探电磁法多频谱阻抗匹配方法
A Multiple Frequency Spectrum Impedance Matching Method of Nonlinear Geological Surveying Electromagnetic Method for Power Amplifier Capacity Utilization Enhancement
Ying Pang · Xinhao Zhang · Gang Li · Man-Chung Wong 等6人 · IEEE Transactions on Industrial Electronics · 2024年7月
本文提出一种多频谱阻抗匹配方法，将阻抗匹配技术的应用范围从线性正弦电压拓展至地质勘探电磁法中的非线性电压环境。首先分析发射机、天线与负载的阻抗特性；其次，基于不同匹配连接方式的影响，提出适用于非线性功率放大器的非线性多频谱阻抗匹配拓扑（NMIM）；进而设计优化参数及基于负载识别的控制策略以提升匹配性能；最后通过动态硬件实验验证了该方法及其控制策略的有效性。结果表明，NMIM可动态匹配天线与负载阻抗，使放大器发射电流幅值提升逾21%，功率容量利用率平均提高37%以上，较传统方法至少提升12%。
解读: 该多频谱阻抗匹配技术对阳光电源功率变换系统具有重要借鉴价值。其核心思想可应用于ST储能变流器和SG光伏逆变器的功率级优化：通过动态阻抗匹配提升功率器件利用率，降低过设计冗余。特别是在储能系统多工况运行（充放电切换、功率因数调节）和光伏逆变器宽输入电压范围工作时，该方法的负载识别与动态匹配策略可提升功...
基于多空间注意力LSTM的时序环境感知光伏性能预测框架
Temporal environment informed photovoltaic performance prediction framework with multi-spatial attention LSTM
Dou Hong · Fengze Li · Jieming Ma · Ka Lok Man 等6人 · Solar Energy · 2025年1月 · Vol.296
摘要 预测光伏（PV）系统的性能对于优化可再生能源利用至关重要。然而，传统的时间序列方法仅关注时间模式，忽略了环境变化的影响，而诸如局部遮挡等动态条件进一步增加了功率预测的复杂性。为应对由遮挡引起的变化，本文提出了一种时序与环境感知预测（TEIP）框架，该框架通过一种新颖的多空间注意力LSTM（MSAL）网络，动态整合时序与环境数据，从而提升光伏功率预测精度。该框架利用TE矩阵捕捉随时间变化的结构化环境条件，包括由局部遮挡引起的变异性。所设计的双分支MSAL模型通过空间特征提取对环境数据进行独特...
解读: 该TEIP框架的多空间注意力LSTM架构对阳光电源SG系列光伏逆变器和iSolarCloud平台具有重要应用价值。其时空环境矩阵建模方法可增强MPPT算法在局部遮挡场景下的动态响应能力,R²达0.952的预测精度可显著提升ST储能系统的充放电策略优化。建议将该框架集成至智能运维平台,结合虚拟同步发电...
FeNi粉末对FeSiBNbCu纳米晶软磁粉芯磁性能的影响
Effect of FeNi powder on the magnetic properties of FeSiBNbCu nanocrystalline soft magnetic powder cores
Junru Liu · Yaqiang Dong · Xingjie Jia · Aina He 等6人 · Journal of Materials Science: Materials in Electronics · 2025年1月 · Vol.36.0
高性能软磁材料的开发对于提升磁粉芯的电磁性能具有重要意义，有助于其在高频电力电子领域中的更广泛应用。本研究通过将超细FeNi粉末与FeSiBNbCu纳米晶粉末复合，制备了一种新型Fe基软磁复合材料。系统研究了FeNi添加量对复合磁粉芯微观结构、相对密度及磁性能的影响。结果表明，超细FeNi粉末能够有效填充FeSiBNbCu纳米晶粉末之间的颗粒间隙，从而促进致密化并改善磁性能。当FeNi含量达到50 wt.%时，复合材料表现出最优的综合性能，包括密度6.55 g/cm³、相对密度86.95%、在1...
解读: 该FeSiBNbCu纳米晶复合软磁材料研究对阳光电源高频功率器件具有重要价值。在1MHz下实现36.16有效磁导率和2731mW/cm³低损耗,可优化SG系列逆变器和ST储能变流器中的高频变压器与电感设计,提升功率密度。82.49%的直流偏置保持率适用于OBC车载充电机和电机驱动器的磁性元件,降低高...
集成高K栅介质与分裂栅的4H-SiC超级结MOSFET
4H-SiC superjunction MOSFET with integrated high-K gate dielectric and split gate
Jiafei Yao1Zhengfei Yang1Yuxuan Dai1Ziwei Hu1Man Li2Kemeng Yang2Jing Chen2Maolin Zhang2Jun Zhang2Yufeng Guo2 · 半导体学报 · 2025年1月 · Vol.46
本文提出一种集成高K（HK）栅介质与分裂栅（SG）的4H-SiC超级结MOSFET（HKSG-SJMOS）。该器件采用高K介质作为包围源极连接分裂栅与金属栅的栅介质，优化漂移区电场分布，形成低阻导电通道，提升击穿电压（BV）并降低比导通电阻（Ron,sp）。分裂栅结构结合高K介质有效减小栅-漏电容（Cgd）与栅-漏电荷（Qgd），改善开关特性。仿真结果表明，相较于传统器件，HKSG-SJMOS的优值（FOM=BV²/Ron,sp）提升110.5%，高频优值（Ron,sp·Cgd）降低93.6%，...
解读: 该HKSG-SJMOS技术对阳光电源功率器件应用具有重要价值。其110.5%的FOM提升和93.6%的Ron,sp·Cgd降低，可直接应用于ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器的SiC功率模块设计，显著降低导通损耗和开关损耗（开通/关断损耗分别减少38.3%/31.6%）。高K介质与分裂栅结构有效...