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集成栅极电压检测技术的SiC MOSFET有源栅极驱动IC
Active Gate Driver IC Integrating Gate Voltage Sensing Technique for SiC MOSFETs
Ting-Wei Wang · Ling-Chia Chen · Makoto Takamiya · Po-Hung Chen · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年7月
碳化硅（SiC）MOSFET凭借高开关速度和低导通损耗优于传统硅器件。然而，高频开关易引发过冲、振荡及电磁干扰（EMI）问题。传统栅极驱动器因驱动强度固定，难以平衡过冲与开关损耗。本文提出一种集成栅极电压检测技术的有源栅极驱动IC，旨在优化SiC MOSFET的开关性能。
解读: 该技术对阳光电源的核心产品线具有极高价值。随着公司组串式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能系统向高功率密度和高频化演进，SiC器件的应用已成为主流。该有源栅极驱动技术能有效抑制SiC高频开关带来的电压尖峰与EMI，在提升系统效率的同时，显著增强功率模块的可靠性。建议研发团队关注该...
针对IGBT负载电流和温度变化的低测试成本数字门极驱动器鲁棒门极驱动向量搜索方法
Search Method of Robust Gate Driving Vectors for Digital Gate Drivers With Low Test Cost Against Load Current and Temperature Variations in IGBTs
Ting-Wei Wang · Toshiaki Inuma · Po-Hung Chen · Makoto Takamiya · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年9月
数字门极驱动技术通过主动门极驱动有效平衡了功率器件的开关损耗与电压/电流过冲。然而，最优门极驱动向量（GV）受温度和负载电流影响显著。本文提出一种低测试成本的鲁棒GV搜索方法，旨在解决不同工况下驱动参数复用导致的性能劣化问题。
解读: 该技术对阳光电源的核心产品线（组串式/集中式光伏逆变器、PowerTitan/PowerStack储能系统）具有极高价值。随着大功率IGBT模块在逆变器中的广泛应用，开关过程中的EMI抑制与损耗优化是提升效率与可靠性的关键。该研究提出的鲁棒门极驱动向量搜索方法，可直接应用于阳光电源的数字驱动电路设计...
一种自动均衡两个并联SiC MOSFET漏极电流的单输入双输出数字栅极驱动IC
Single-Input Dual-Output Digital Gate Driver IC Automatically Equalizing Drain Current Variations of Two Parallel-Connected SiC MOSFETs
Kohei Horii · Katsuhiro Hata · Shin-Ichiro Hayashi · Keiji Wada 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年1月
本文提出了一种单输入双输出数字栅极驱动（DGD）IC，旨在解决两个并联SiC MOSFET在器件特性差异及PCB寄生电感不匹配导致的电流不均问题。该方案首次实现了传感器信号处理、驱动逻辑与控制器的全集成，能够实时检测并自动均衡漏极电流，提升并联系统的可靠性与效率。
解读: 该技术对阳光电源的核心产品线具有极高价值。在组串式逆变器和PowerTitan/PowerStack储能变流器中，为了提升功率密度，常采用多管并联方案，SiC器件的电流不均是制约可靠性的关键瓶颈。该集成化驱动IC方案能有效解决并联均流难题，减少对PCB布局的严苛要求，降低系统损耗，并提升SiC模块的...
用于6500V/1000A IGBT模块以降低开关损耗和集电极电流过冲的大电流输出数字栅极驱动器
Large-Current Output Digital Gate Driver for 6500 V, 1000 A IGBT Module to Reduce Switching Loss and Collector Current Overshoot
Kohei Horii · Hiroki Yano · Katsuhiro Hata · Ruizhi Wang 等9人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年7月
本文提出了一种采用半桥数模转换芯片和两个功率MOSFET的8位数字栅极驱动器（DGD），可实现±15V的输出电压摆幅及高达28A的驱动电流。该方案旨在降低6500V/1000A高压大电流IGBT模块的开关损耗（ELOSS）及集电极电流过冲（IOVERSHOOT），提升高压功率器件的驱动性能。
解读: 该技术对阳光电源的集中式逆变器及大型储能系统（如PowerTitan系列）具有重要参考价值。在兆瓦级高压应用中，IGBT的驱动性能直接决定了系统的效率与可靠性。通过优化栅极驱动电路以降低开关损耗和电流过冲，不仅能提升逆变器/PCS的整机效率，还能有效缓解高压IGBT在复杂工况下的应力，延长设备寿命。...
一种12/24V输入、高低压隔离的混合开关电容负载点
PoL）变换器
Xiongjie Zhang · Qiaobo Ma · Anyang Zhao · Yang Jiang 等9人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年12月
本文提出了一种用于12/24V输入应用的高功率密度负载点（PoL）DC-DC变换器，采用高低压分离的混合开关电容（SC）拓扑。通过在HV/LV域的SC网络间引入电感，该设计在小电压转换比下降低了电感直流电流，优化了开关和导通损耗，实现了355 mW/mm³的功率密度。
解读: 该文献研究的混合开关电容PoL变换器主要针对低压、高功率密度的板级电源管理，属于功率电子基础拓扑研究。对于阳光电源而言，该技术可作为iSolarCloud智能运维平台中嵌入式控制板卡或通信模块的电源设计参考，有助于缩小辅助电源体积并提升能效。但由于其主要应用于低压PoL领域，与阳光电源核心的组串式/...
一种用于冷启动瞬态、具有自动拓扑与占空比切换功能的0.55W、88%、78kHz、48V转5V斐波那契混合DC-DC变换器IC
0.55 W, 88%, 78 kHz, 48 V-to-5 V Fibonacci Hybrid DC–DC Converter IC Using 66 mm3 of Passive Components With Automatic Change of Converter Topology and Duty Ratio for Cold-Crank Transient
Yoshitaka Yamauchi · Toru Sai · Katsuhiro Hata · Makoto Takamiya · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年8月
针对48V轻混电动汽车，本文提出了一种0.55W、88%效率、78kHz的48V转5V DC-DC变换器。该设计通过自动切换变换器拓扑和占空比，在冷启动电压骤降条件下保持输出电压稳定，同时满足高效率、小体积及避开AM广播频段的频率要求。
解读: 该技术主要针对车载48V电源系统，与阳光电源现有的电动汽车充电桩业务在应用场景上存在差异，但其高功率密度设计和拓扑自动切换技术对提升充电桩内部辅助电源模块的可靠性具有参考价值。建议关注其在宽输入电压范围下的稳压控制策略，这有助于优化阳光电源充电桩及储能系统（如PowerStack）内部低压辅助电源的...