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一种用于安全工作区内外仿真的SiC功率MOSFET温度相关SPICE模型
A Temperature-Dependent SPICE Model of SiC Power MOSFETs for Within and Out-of-SOA Simulations
Michele Riccio · Vincenzo d Alessandro · Gianpaolo Romano · Luca Maresca 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2018年9月
本文提出了一种SiC功率MOSFET的温度相关SPICE模型。该模型描述了器件的静态和动态行为，并考虑了漏电流和碰撞电离效应。通过特性测试和数据手册提取与工艺相关的MOSFET参数，并采用SPICE标准组件及模拟行为建模模块实现。
解读: 该研究对阳光电源的核心产品线具有极高价值。随着公司组串式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能系统向高功率密度和高效率演进，SiC器件的应用已成为主流。该温度相关模型能够精确模拟SiC MOSFET在极端工况下的热特性及安全工作区（SOA）表现，有助于优化逆变器及PCS的功率模块设计...
共源共栅GaN HEMT短路振荡研究
Investigation on the Short-Circuit Oscillation of Cascode GaN HEMTs
Peng Xue · Luca Maresca · Michele Riccio · Giovanni Breglio 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年6月
本文研究了共源共栅（Cascode）氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）在短路条件下产生的自激振荡现象。研究发现，该振荡在短路事件中被激发，且栅极电阻RG对抑制该振荡的效果并不显著。
解读: 随着阳光电源在户用光伏逆变器及高频化功率变换器中对GaN器件的应用探索，该研究具有重要参考价值。Cascode GaN器件在极端短路工况下的自激振荡可能导致器件失效，影响逆变器可靠性。建议研发团队在设计驱动电路及短路保护策略时，不能仅依赖增加栅极电阻，需结合寄生参数优化PCB布局，或采用更先进的快速...
考虑自热效应的逆导型IGBT精确SPICE建模
Accurate SPICE Modeling of Reverse-Conducting IGBTs Including Self-Heating Effects
Michele Riccio · Giuseppe De Falco · Paolo Mirone · Luca Maresca 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2017年4月
本文提出了一种考虑自热效应的逆导型IGBT（RC-IGBT）温度相关紧凑SPICE模型。该模型基于准二维方法，通过将IGBT和p-i-n二极管子电路有机结合，有效模拟了器件内部的相互作用，为电力电子器件的精确仿真提供了物理基础。
解读: 该研究对于阳光电源的核心产品线（如组串式/集中式光伏逆变器、PowerTitan/PowerStack储能变流器）具有极高的应用价值。RC-IGBT作为高功率密度变换器的关键器件，其热特性直接影响系统的可靠性与效率。通过引入该精确SPICE模型，研发团队可在设计阶段更精准地进行多物理场仿真，优化散热...