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考虑自热效应的逆导型IGBT精确SPICE建模
Accurate SPICE Modeling of Reverse-Conducting IGBTs Including Self-Heating Effects
| 作者 | Michele Riccio · Giuseppe De Falco · Paolo Mirone · Luca Maresca · Marianna Tedesco · Giovanni Breglio · Andrea Irace |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2017年4月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | IGBT 功率模块 热仿真 可靠性分析 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | RC-IGBT SPICE模型 自热效应 准二维方法 电力电子 器件建模 p-i-n二极管 |
语言:
中文摘要
本文提出了一种考虑自热效应的逆导型IGBT（RC-IGBT）温度相关紧凑SPICE模型。该模型基于准二维方法，通过将IGBT和p-i-n二极管子电路有机结合，有效模拟了器件内部的相互作用，为电力电子器件的精确仿真提供了物理基础。
English Abstract
In this paper, a temperature-dependent compact SPICE model of reverse-conducting IGBTs (RC-IGBTs) is presented. The proposed solution is based on a quasi-two-dimensional (2-D) approach, with the use of IGBT and p-i-n diode subcircuits suitably connected to take into account the inner interactions among the two devices. The resulting device model is derived through physical considerations on the RC...
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SunView 深度解读
该研究对于阳光电源的核心产品线（如组串式/集中式光伏逆变器、PowerTitan/PowerStack储能变流器）具有极高的应用价值。RC-IGBT作为高功率密度变换器的关键器件，其热特性直接影响系统的可靠性与效率。通过引入该精确SPICE模型，研发团队可在设计阶段更精准地进行多物理场仿真，优化散热设计，提升逆变器在极端工况下的热稳定性。建议在功率模块选型及驱动电路设计中引入该模型，以降低研发迭代成本，并提升产品在高温、高负载场景下的长期运行可靠性。