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一种自动均衡两个并联SiC MOSFET漏极电流的单输入双输出数字栅极驱动IC
Single-Input Dual-Output Digital Gate Driver IC Automatically Equalizing Drain Current Variations of Two Parallel-Connected SiC MOSFETs
Kohei Horii · Katsuhiro Hata · Shin-Ichiro Hayashi · Keiji Wada 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年1月
本文提出了一种单输入双输出数字栅极驱动（DGD）IC，旨在解决两个并联SiC MOSFET在器件特性差异及PCB寄生电感不匹配导致的电流不均问题。该方案首次实现了传感器信号处理、驱动逻辑与控制器的全集成，能够实时检测并自动均衡漏极电流，提升并联系统的可靠性与效率。
解读: 该技术对阳光电源的核心产品线具有极高价值。在组串式逆变器和PowerTitan/PowerStack储能变流器中，为了提升功率密度，常采用多管并联方案，SiC器件的电流不均是制约可靠性的关键瓶颈。该集成化驱动IC方案能有效解决并联均流难题，减少对PCB布局的严苛要求，降低系统损耗，并提升SiC模块的...
用于6500V/1000A IGBT模块以降低开关损耗和集电极电流过冲的大电流输出数字栅极驱动器
Large-Current Output Digital Gate Driver for 6500 V, 1000 A IGBT Module to Reduce Switching Loss and Collector Current Overshoot
Kohei Horii · Hiroki Yano · Katsuhiro Hata · Ruizhi Wang 等9人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年7月
本文提出了一种采用半桥数模转换芯片和两个功率MOSFET的8位数字栅极驱动器（DGD），可实现±15V的输出电压摆幅及高达28A的驱动电流。该方案旨在降低6500V/1000A高压大电流IGBT模块的开关损耗（ELOSS）及集电极电流过冲（IOVERSHOOT），提升高压功率器件的驱动性能。
解读: 该技术对阳光电源的集中式逆变器及大型储能系统（如PowerTitan系列）具有重要参考价值。在兆瓦级高压应用中，IGBT的驱动性能直接决定了系统的效率与可靠性。通过优化栅极驱动电路以降低开关损耗和电流过冲，不仅能提升逆变器/PCS的整机效率，还能有效缓解高压IGBT在复杂工况下的应力，延长设备寿命。...
一种用于冷启动瞬态、具有自动拓扑与占空比切换功能的0.55W、88%、78kHz、48V转5V斐波那契混合DC-DC变换器IC
0.55 W, 88%, 78 kHz, 48 V-to-5 V Fibonacci Hybrid DC–DC Converter IC Using 66 mm3 of Passive Components With Automatic Change of Converter Topology and Duty Ratio for Cold-Crank Transient
Yoshitaka Yamauchi · Toru Sai · Katsuhiro Hata · Makoto Takamiya · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年8月
针对48V轻混电动汽车，本文提出了一种0.55W、88%效率、78kHz的48V转5V DC-DC变换器。该设计通过自动切换变换器拓扑和占空比，在冷启动电压骤降条件下保持输出电压稳定，同时满足高效率、小体积及避开AM广播频段的频率要求。
解读: 该技术主要针对车载48V电源系统，与阳光电源现有的电动汽车充电桩业务在应用场景上存在差异，但其高功率密度设计和拓扑自动切换技术对提升充电桩内部辅助电源模块的可靠性具有参考价值。建议关注其在宽输入电压范围下的稳压控制策略，这有助于优化阳光电源充电桩及储能系统（如PowerStack）内部低压辅助电源的...