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利用关断延迟时间对IGBT栅极氧化层进行实时退化水平评估
Real-Time Degradation Level Assessment of IGBT Gate Oxide Layer Using Turn-Off Delay Time
Mojtaba Jazayeri · Sadegh Mohsenzade · Javad Naghibi · Kamyar Mehran · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年12月
针对电力电子变换器中最易失效的IGBT器件，本文提出了一种基于关断延迟时间的实时状态监测技术。该方法通过监测IGBT栅极氧化层的退化程度，旨在提升电力电子系统的长期运行可靠性，为关键功率器件的健康管理提供有效手段。
解读: IGBT是阳光电源光伏逆变器、储能PCS及风电变流器等核心产品的核心功率器件。该研究提出的实时状态监测技术，对于提升公司产品的全生命周期可靠性具有重要意义。通过在iSolarCloud智能运维平台中集成此类故障诊断算法，可实现对组串式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能系统中IGB...
故障电网条件下单相并网储能系统的同步技术
A Single-Phase Synchronization Technique for Grid-Connected Energy Storage System Under Faulty Grid Conditions
Komal Saleem · Zunaib Ali · Kamyar Mehran · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年10月
单相并网储能系统（ESS）的控制依赖于对电网电压频率和相位角的快速准确估计。锁相环（PLL）作为同步算法的核心，其性能直接影响系统的整体运行与控制。本文提出了一种新型先进的单相锁相环技术，旨在提升系统在电网故障条件下的同步稳定性与响应速度。
解读: 该研究直接针对单相并网控制的核心痛点，对阳光电源的户用光伏逆变器及户用储能系统（如iSolarHome系列）具有极高的应用价值。在弱电网或电网故障频发的地区，该同步技术能显著提升逆变器在电压跌落或畸变情况下的并网稳定性，减少因同步失锁导致的停机风险。建议研发团队评估该算法在DSP控制平台上的计算资源...
碳化硅功率MOSFET高频应用下的栅极氧化层退化状态监测技术
Gate Oxide Degradation Condition Monitoring Technique for High-Frequency Applications of Silicon Carbide Power MOSFETs
Javad Naghibi · Sadegh Mohsenzade · Kamyar Mehran · Martin P. Foster · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年1月
栅极氧化层退化是碳化硅（SiC）MOSFET的主要失效模式之一。由于SiC器件栅极氧化层较薄，其退化会显著影响开关动态特性。本文提出了一种针对高频应用场景的监测技术，旨在解决SiC器件在长期运行中的可靠性评估难题。
解读: 随着阳光电源在组串式光伏逆变器和PowerTitan/PowerStack储能系统中大规模应用SiC功率模块以提升功率密度和效率，SiC器件的长期可靠性至关重要。该技术提出的栅极氧化层退化监测方法，可集成于iSolarCloud智能运维平台，实现对逆变器及PCS核心功率器件的早期故障预警。建议研发团...
一种用于碳化硅功率MOSFET栅氧化层退化的栅极驱动级隔离监测技术
A Gate Driver-Level Isolated Monitoring Technique for Gate Oxide Degradation in Silicon Carbide Power Mosfets
Javad Naghibi · Sadegh Mohsenzade · Kamyar Mehran · Martin P. Foster · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年12月
栅氧化层退化是Si和SiC功率MOSFET的主要失效模式之一。由于SiC MOSFET的栅氧化层结构更薄且SiC与SiO2之间的导带偏移量减小，其栅氧化层退化导致的器件失效问题更为突出。本文提出了一种在栅极驱动器层面实现的隔离监测技术，用于实时评估SiC MOSFET的栅氧化层健康状态。
解读: 随着阳光电源在光伏逆变器和PowerTitan/PowerStack储能系统中大规模应用SiC器件以提升功率密度和转换效率，器件的长期可靠性成为核心竞争力。该技术通过栅极驱动层面的监测，无需额外传感器即可实现对SiC栅氧化层退化的实时预警，极大地提升了系统的故障预测与健康管理（PHM）能力。建议研发...