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储能系统技术 SiC器件 深度学习 ★ 5.0

用于设计高储能性能聚合物纳米复合材料的相场模拟物理信息神经网络

Physics-informed neural networks for phase-field simulation in designing high energy storage performance polymer nanocomposites

Qiao Li · Tan Zeng · Hongxiao Yang · Jun Ma 等6人 · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.126

本文提出一种基于物理信息神经网络(PINNs)的相场模拟方法,用于高效设计高能量存储性能的聚合物纳米复合材料。该方法融合深度学习与相场模型,通过嵌入控制方程和物理约束,显著提升计算效率并准确预测纳米复合材料中电畴演化与界面效应。结合实验验证,所提模型可优化填料分布与微观结构,实现高储能密度与低损耗。研究为多功能介电材料的设计提供了新范式。

解读: 该物理信息神经网络相场模拟技术对阳光电源储能系统的介电材料设计具有重要应用价值。在ST系列储能变流器和PowerTitan大型储能系统中,高能量密度电容器是直流母线支撑和滤波的关键器件,该技术可优化聚合物薄膜电容的填料分布与微观结构,提升储能密度并降低介电损耗,直接改善功率密度和系统效率。结合SiC...

功率器件技术 GaN器件 ★ 4.0

利用转移的LPCVD生长h-BN缓解AlGaN/GaN HEMT中的自加热效应

Mitigation of self-heating in AlGaN/GaN HEMTs using transferred LPCVD-grown h-BN

Cheng Chang · Kad Dokwan Kook · Chenyang Lin · Xiang Zhang 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.127

本文报道了一种通过转移低压化学气相沉积(LPCVD)生长的六方氮化硼(h-BN)来有效缓解AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMTs)中自加热效应的方法。将高质量h-BN薄膜集成于器件沟道附近,显著提升了横向热导率,改善了热量耗散。实验结果显示,器件的结温明显降低,连续工作下的温度上升减少了约40%,同时保持了良好的电学性能。该策略为提升第三代半导体器件的热管理能力提供了可行路径。

解读: 该研究提出的h-BN散热方案对阳光电源的GaN功率器件应用具有重要参考价值。通过LPCVD生长h-BN提升横向热导率的方法,可显著改善SG系列高频光伏逆变器和ST系列储能变流器中GaN器件的散热性能,有助于提高功率密度。结温降低40%的效果对车载OBC等对功率密度要求高的产品尤为重要。这一散热创新为...

储能系统技术 储能系统 ★ 4.0

揭示永磁体封装二极管的表面形貌及反向电流抑制

Revealing Surface Morphology and Suppression of Backward Current in Diodes Packaged With Permanent Magnet

Tian-Ze Miao · Ren-Zhen Xiao · Yan-Chao Shi · Jun Cheng 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年9月

目前,二极管中的反流是限制永磁封装高功率微波(HPM)器件应用的一个重要因素。本文通过实验观察了反流导致的二极管典型形态变化,如阴极杆表面的附着形态、微损伤以及溅射产物的成分。结合粒子模拟,揭示了反流与典型形态变化之间的联系,阐明了阳极对二极管稳定性的重要影响。最后,从减缓阳极等离子体运动的角度出发,在阳极上设计了一种静电屏蔽槽结构(ESGS)。实验证明,该方法能有效抑制反流,提高二极管的稳定性。

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项关于抑制二极管反向电流的研究虽然聚焦于高功率微波器件领域,但其底层技术原理对我们在功率电子器件可靠性提升方面具有重要的借鉴意义。 在光伏逆变器和储能变流器等核心产品中,功率二极管作为关键器件,其反向漏电流特性直接影响系统效率和长期可靠性。该研究通过实验观察和粒子模拟揭...

电动汽车驱动 ★ 4.0

一种用于单极-双极复合线圈的单开关IPT驱动器以实现错位容差

A Single-Switch IPT Driver for Unipolar-Bipolar Composite Coils Achieving Misalignment Tolerance

Zhicong Huang · Jingyu Wang · Jun Cheng · Chi-Kwan Lee · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年9月

错位容差是感应式电力传输(IPT)系统的关键性能指标。各类复合线圈结构(如双D正交阵列)虽可提升耦合稳定性,但通常需复杂驱动电路。本文提出一种基于单开关拓扑的IPT驱动方案,适配单极-双极复合线圈结构,在降低系统复杂度的同时有效增强横向与纵向错位下的功率传输能力。实验验证了该方案在宽范围位置偏移中具备良好的效率稳定性。

解读: 该单开关IPT驱动技术对阳光电源新能源汽车产品线具有重要应用价值。针对无线充电桩和车载OBC系统,单开关拓扑可显著简化功率变换电路,降低SiC/GaN器件用量和系统成本。复合线圈的错位容差特性可提升实际停车场景中的充电可靠性,减少对精确定位的依赖。该方案的宽范围效率稳定性与阳光电源MPPT优化理念契...