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利用转移的LPCVD生长h-BN缓解AlGaN/GaN HEMT中的自加热效应
Mitigation of self-heating in AlGaN/GaN HEMTs using transferred LPCVD-grown h-BN
| 作者 | Cheng Chang · Kad Dokwan Kook · Chenyang Lin · Xiang Zhang · Yuetong Yang |
| 期刊 | Applied Physics Letters |
| 出版日期 | 2025年1月 |
| 卷/期 | 第 127 卷 第 8 期 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | GaN器件 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | AlGaN/GaN HEMTs 自热缓解 LPCVD生长h - BN 应用物理快报 2025年 |
语言:
中文摘要
本文报道了一种通过转移低压化学气相沉积（LPCVD）生长的六方氮化硼（h-BN）来有效缓解AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMTs）中自加热效应的方法。将高质量h-BN薄膜集成于器件沟道附近，显著提升了横向热导率，改善了热量耗散。实验结果显示，器件的结温明显降低，连续工作下的温度上升减少了约40%，同时保持了良好的电学性能。该策略为提升第三代半导体器件的热管理能力提供了可行路径。
English Abstract
Cheng Chang, Kad Dokwan Kook, Chenyang Lin, Xiang Zhang, Yuetong Yang, Shisong Luo, Ziyi He, Tao Li, Mingfei Xu, Lucas Lau, Md Jahidul Hoq Emon, Rummanur Rahad, Pulickel Ajayan, Jun Lou, Satish Kumar, Yuji Zhao; Mitigation of self-heating in AlGaN/GaN HEMTs using transferred LPCVD-grown h-BN. _Appl. Phys. Lett._ 23 August 2025; 127 (8): 083501.
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SunView 深度解读
该研究提出的h-BN散热方案对阳光电源的GaN功率器件应用具有重要参考价值。通过LPCVD生长h-BN提升横向热导率的方法,可显著改善SG系列高频光伏逆变器和ST系列储能变流器中GaN器件的散热性能,有助于提高功率密度。结温降低40%的效果对车载OBC等对功率密度要求高的产品尤为重要。这一散热创新为阳光电源开发更紧凑、高效的新一代功率变换设备提供了技术思路,可优化产品的可靠性和功率等级。建议在下一代高频化产品中评估该技术的工程应用可行性。