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电动汽车无线充电系统中LCC补偿电感的非极性集成技术
Nonpolar Integration for LCC Compensation Inductor in EV-WPT Systems
Wenjie Yuan · Hongsheng Hu · Chunsen Tang · Fengwei Chen 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年4月
为减小电动汽车无线充电系统（EV-WPT）二次侧体积，集成式LCC补偿成为主流方案。然而，集成电感会引入额外的耦合效应，影响输入阻抗角并增加电气应力。本文提出了一种非极性集成方法，旨在解决上述耦合问题，优化系统性能并提升功率密度。
解读: 该技术主要针对电动汽车无线充电（EV-WPT）领域，虽然目前阳光电源的充电桩业务以有线直流快充为主，但该研究提出的电感集成与耦合抑制技术对提升充电桩内部功率模块的功率密度具有参考价值。随着未来无线充电技术的商业化潜力，该拓扑优化方案可作为阳光电源在下一代高集成度、小型化充电桩产品研发中的技术储备，有...
一种利用次级中继器实现高偏移容忍度和恒压输出的无线电能传输系统设计
Design of a High Misalignment Tolerance and CV Output WPT System Using a Secondary Repeater
Yingjie Li · Zhiping Zuo · Fengwei Chen · Chunsen Tang 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年11月
本文旨在通过引入次级中继器提升无线电能传输（WPT）系统的偏移容忍度。通过部署带有同轴中间线圈的接收端，有效缓解了偏移导致的互感下降问题。该系统包含针对发射、中间及接收线圈的三个调谐比，实现了高效率的恒压输出。
解读: 该研究关注无线电能传输（WPT）的偏移容忍度与恒压控制，与阳光电源的电动汽车充电桩业务具有潜在技术关联。虽然目前主流充电桩以有线连接为主，但大功率无线充电是未来智慧交通与自动驾驶配套设施的重要演进方向。该文提出的多线圈调谐与中继器拓扑，可为阳光电源在未来研发高效率、高对准容忍度的无线充电模块提供技术...
输入非线性和通信延迟下的无线电能传输系统建模与控制
Modeling and Control of the WPT System Subject to Input Nonlinearity and Communication Delay
Shijun Zhao · Chunsen Tang · Fengwei Chen · Dan Zhao 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年11月
无线电能传输（WPT）系统具有高阶、强非线性和时滞特征。传统电路建模方法导致模型阶数过高，难以在低成本微控制器上高效实现。此外，通信延迟会削弱系统反馈性能，甚至导致闭环失稳。本文旨在解决上述问题，提出优化控制策略。
解读: 该研究关注无线电能传输（WPT）中的非线性建模与时滞控制，虽然阳光电源目前主营业务以有线光伏逆变器和储能系统为主，但该技术在电动汽车充电桩的无线充电扩展应用中具有潜在参考价值。文中提到的低成本微控制器算法优化思路，可借鉴用于提升阳光电源充电桩及小型化PCS产品的控制效率，降低算力成本。建议研发团队关...
一种基于DSP-FPGA的高效混合PWM实现方法用于电力机车感应电机控制
An Efficient DSP–FPGA-Based Implementation of Hybrid PWM for Electric Rail Traction Induction Motor Control
Lijun Diao · Jing Tang · Poh Chiang Loh · Shaobo Yin 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2018年4月
在电力机车感应电机控制中，低开关频率常用于降低损耗并提升可靠性，但会产生大量谐波导致电机发热和转矩脉动。本文提出了一种基于DSP-FPGA架构的高效混合PWM控制策略，旨在优化全速度范围内的谐波性能，提升系统运行效率与稳定性。
解读: 该文献探讨的低开关频率下的混合PWM调制策略及DSP-FPGA硬件实现方案，对阳光电源的功率变换技术具有参考价值。虽然文章侧重于轨道交通牵引电机，但其核心的谐波抑制与高性能控制算法可迁移至阳光电源的大功率集中式光伏逆变器及风电变流器产品线中。在面对高压大功率应用场景时，通过优化PWM策略降低开关损耗...
一种具有间接栅极氧化层健康监测功能的自适应电平移位栅极驱动器，用于抑制SiC MOSFET串扰
Adaptive Level-Shift Gate Driver With Indirect Gate Oxide Health Monitoring for Suppressing Crosstalk of SiC MOSFETs
Ho-Tin Tang · Henry Shu-Hung Chung · Kevin Jing Chen · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年8月
本文提出了一种用于桥式SiC MOSFET串扰抑制的自适应栅极驱动器，集成了间接栅极氧化层健康监测功能。通过对短路老化前后SiC MOSFET固有参数变化的全面评估，发现栅极漏电流是反映栅极氧化层退化的有效前兆指标。
解读: 该技术对阳光电源的核心产品线具有极高价值。随着公司在组串式光伏逆变器和PowerTitan系列储能系统中大规模应用SiC MOSFET以提升功率密度和效率，串扰抑制和器件可靠性监测成为关键挑战。该驱动方案不仅能解决高频开关下的串扰问题，提升系统EMC性能，其集成的健康监测功能还可直接赋能iSolar...
原位N₂或H₂/N₂等离子体预处理对Si₃N₄/AlN/GaN MIS-HEMT界面与边界陷阱的研究
Interface and Border Traps Study in Si₃N₄/AlN/GaN MIS-HEMTs With In-Situ N₂ or H₂/N₂ Plasma Pretreatment
Jiaofen Yang · Jing Xiao · Ming Tao · Kai Tang 等6人 · IEEE Electron Device Letters · 2025年2月
本研究探究了原位 N₂ 或 H₂/N₂ 等离子体预处理对常开型 Si₃N₄/AlN/GaN 金属 - 绝缘体 - 半导体高电子迁移率晶体管（MIS - HEMT）中等离子体增强原子层沉积（PEALD）AlN 与 GaN 之间界面陷阱态和近界面陷阱态的影响。分别采用高频电容 - 电压（HFCV）测试和电导法对具有不同时间常数的界面陷阱密度以及不同能级的界面陷阱密度进行了表征。分别采用准静态电容 - 电压（QSCV）测试和 1/f 噪声法对近界面陷阱的能级和空间分布以及近界面陷阱密度进行了表征。研究...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项关于GaN MIS-HEMTs器件界面陷阱态优化的研究具有重要的战略价值。氮化镓（GaN）功率器件凭借其高频、高效、高功率密度的特性，正成为光伏逆变器和储能变流器等核心产品的关键技术方向，直接影响系统的转换效率、功率密度和可靠性。 该研究通过H₂/N₂等离子体预处理技...