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电动汽车驱动 充电桩 功率模块 拓扑与电路 ★ 3.0

基于无源信标线圈的阵列式无线充电系统位置识别与效率提升策略研究

Research on Location Identification and Efficiency Improvement Strategies for Array-Based Wireless Charging Systems With Passive Beacon Coils

Xu Liu · Anmin Ma · Shengli Bian · Chenyang Xia 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年1月

针对阵列式无线电能传输(ABWPT)系统,本文提出了一种精确的负载位置识别方法。通过引入无源信标线圈,系统能够实时定位负载位置,从而优化发射线圈的选择,显著提升无线充电的整体传输效率,特别适用于无人机等移动设备的自动充电场景。

解读: 该技术主要涉及无线充电领域的空间定位与效率优化,与阳光电源现有的电动汽车充电桩业务具有技术关联性。虽然目前阳光电源的充电桩产品以有线快充为主,但随着自动驾驶和无人机巡检技术的普及,无线充电作为一种高阶充电解决方案,是未来充电基础设施的重要演进方向。建议研发团队关注该阵列式线圈控制算法,评估其在未来智...

拓扑与电路 光伏逆变器 三电平 并网逆变器 ★ 5.0

交错式双Buck全桥三电平逆变器

Interleaved Dual Buck Full-Bridge Three-Level Inverter

Feng Hong · Jun Liu · Baojian Ji · Yufei Zhou 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2016年2月

本文提出了一种用于并网系统的新型交错式双Buck全桥三电平逆变器(IDBFTI)。该拓扑保留了交错并联技术的优势,包括降低输出电流纹波和总谐波失真(THD)、提高系统功率密度,以及降低功率器件的电流应力和热应力。

解读: 该拓扑结构通过交错并联与三电平技术的结合,有效提升了逆变器的功率密度并优化了输出电流质量,与阳光电源组串式逆变器(如SG系列)追求高效率、高功率密度的设计趋势高度契合。三电平技术能显著降低开关损耗,适用于高压直流输入场景,有助于提升大型地面电站及工商业光伏逆变器的转换效率。建议研发团队评估该拓扑在降...

拓扑与电路 功率模块 宽禁带半导体 ★ 2.0

用于肿瘤治疗的带下冲抑制电路的高频双极脉冲变压器

High-Frequency Bipolar Pulse Transformer With an Undershoot Damping Circuit for Tumor Application

Yanpeng Lv · Xuan Liu · Yuqi Wang · Shihan Lu 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年3月

高频不可逆电穿孔(H-FIRE)利用高压高频双极脉冲进行肿瘤消融,且能有效抑制肌肉收缩。本文设计了一种嵌入升压变压器主拓扑中的带磁隔离驱动的下冲抑制电路(MI-UD),旨在减少由漏感引起的电压下冲,提升脉冲输出质量。

解读: 该文献研究的高频脉冲变压器及下冲抑制技术,核心在于提升高频高压脉冲输出的波形质量与可靠性。虽然其应用场景为医疗领域,但其涉及的磁性元件优化设计、漏感抑制及高频驱动技术,对阳光电源的电力电子研发具有参考价值。特别是在高频功率变换器(如高频隔离型DC-DC变换器)的设计中,该文提出的抑制电压尖峰与下冲的...

可靠性与测试 IGBT 功率模块 可靠性分析 ★ 5.0

基于米勒平台持续时间的IGBT原位状态监测

In situ Condition Monitoring of IGBTs Based on the Miller Plateau Duration

Jingcun Liu · Guogang Zhang · Qian Chen · Lu Qi 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年1月

IGBT的老化前兆识别对于实现在线状态监测及剩余寿命评估至关重要。本文提出利用IGBT开通瞬态过程中的米勒平台持续时间作为一种在线监测前兆,用于指示两种主要的失效模式,为电力电子系统的可靠性评估提供了新的原位监测手段。

解读: 该技术对阳光电源的核心产品线(组串式/集中式逆变器、PowerTitan/PowerStack储能变流器)具有极高的应用价值。IGBT作为功率变换的核心器件,其可靠性直接决定了产品的全生命周期运维成本。通过监测米勒平台持续时间实现IGBT老化状态的在线预警,可显著提升iSolarCloud平台的智能...

拓扑与电路 可靠性分析 功率模块 ★ 2.0

自供电非线性压电振动能量收集电路中的开关延迟:机制、影响与解决方案

Switching Delay in Self-Powered Nonlinear Piezoelectric Vibration Energy Harvesting Circuit: Mechanisms, Effects, and Solutions

Zhongsheng Chen · Jing He · Jianhua Liu · Yeping Xiong · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年3月

压电振动能量收集(PVEH)在实现低功耗电子设备自供电方面潜力巨大。基于同步开关电感(SSHI)的自供电电路能显著提升PVEH性能,但峰值检测器驱动的开关存在延迟问题。本文深入分析了开关延迟的产生机制及其对系统效率的影响,并提出了相应的优化解决方案。

解读: 该文献探讨的压电能量收集与开关延迟优化属于微能源管理范畴,与阳光电源现有的光伏逆变器、储能系统及充电桩等高功率电力电子产品线存在技术跨度。然而,文中关于“开关延迟机制”及“自供电控制策略”的分析,对于提升阳光电源iSolarCloud智能运维平台中传感器节点的自供电能力,或优化小型化辅助电源模块的转...

电动汽车驱动 有限元仿真 ★ 4.0

基于两级螺杆驱动的谐振式直线压电平台研制:实现纳米级分辨率与高输出力

Development of a Resonant Linear Piezoelectric Platform Driven by Two-Staged Screws With Nanometer Resolution and High Output Force

Jianhua Sun · Jie Deng · Shijing Zhang · Jing Li 等5人 · IEEE Transactions on Industrial Electronics · 2024年12月

高性能直线压电平台是微纳操作与超精密制造的核心装置。本文提出一种尺寸为Φ60 mm × 76.5 mm的新型谐振式直线压电平台(RLPP),其特点在于采用两级螺杆机构实现双向直线运动,兼具纳米级分辨率、高输出力及断电自锁功能。该平台由悬臂梁结构的弯曲型混合压电执行器(BHPA)驱动,可在两种弯曲振动模式下工作,并通过双行波驱动显著提升输出力。理论分析与有限元仿真验证了两种工作模式及双行波驱动机制。实验结果表明,在300 V<sub>p-p</sub>电压和24.2 kHz频率下,样机最大输出力达...

解读: 该纳米级压电驱动技术对阳光电源功率器件封装与精密制造环节具有重要应用价值。在SiC/GaN功率模块生产中,两级螺杆压电平台的40nm分辨率可用于芯片键合、引线焊接等超精密装配工艺,72N高输出力满足压接需求,断电自锁功能确保工艺稳定性。在ST储能变流器与SG逆变器的母排焊接、散热器装配等环节,该平台...

光伏发电技术 可靠性分析 ★ 5.0

钠诱导的掺钨氧化铟薄膜及异质结太阳能电池在湿热环境中的退化

Sodium-induced degradation of tungsten doped indium oxide film and HJT solar cells in damp-heat environment

Yunren Luo · Jianhua Shi · Shuyi Chen · Haodong Chen 等14人 · Solar Energy · 2025年8月 · Vol.296

摘要 硅异质结(HJT)太阳能电池的可靠性是延长其光伏系统寿命的关键。钠被认为是使用钠钙玻璃封装的光伏组件性能衰减的主要因素之一。本研究探讨了在湿热条件(DH,85 °C和85%相对湿度)下,未封装HJT太阳能电池因NaHCO₃引起的退化行为。Na⁺和H₂O在IWO薄膜晶界处的化学吸附可促进氧化铟向氢氧化铟的转化,导致载流子迁移率下降以及晶界势垒升高。此外,Na⁺穿过IWO薄膜扩散至HJT太阳能电池的钝化层,会恶化nc-Si:H的钝化效果,从而引起HJT太阳能电池效率的降低。研究发现,具有大晶粒...

解读: 该研究揭示HJT电池在湿热环境下钠离子诱导的IWO薄膜降解机制,对阳光电源SG系列光伏逆变器系统可靠性设计具有重要参考价值。研究发现大晶粒IWO薄膜可显著降低效率衰减(从71.4%降至36.6%),为iSolarCloud平台的组件衰减预测模型提供理论依据。建议在逆变器MPPT算法中加入组件湿热老化...

功率器件技术 GaN器件 宽禁带半导体 功率模块 ★ 4.0

面向P-GaN栅HEMT的物理基础紧凑模型:完整Q–VD与C–VD响应

Physics-Based Compact Model for P-GaN-Gate HEMT Featuring Complete Responses of Q–VD and C–VD

Kaiyuan Zhao · Huolin Huang · Luqiao Yin · Aiying Guo 等7人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年12月 · Vol.73

本文提出一种物理基础P-GaN栅HEMT紧凑模型,首次实现栅电荷Qg与栅-漏电压VD的显式关联,并精确分解Cgg为Cgs与Cgd,支撑E-mode GaN器件在高频高效率变换器中的精准建模与SPICE仿真。

解读: 该模型显著提升GaN器件在高频光伏逆变器(如SG320HX组串式逆变器)和储能变流器(ST系列PCS)中的动态特性建模精度,尤其利于优化开关损耗、dv/dt抑制及EMI预测。阳光电源可基于此模型加速GaN基高效拓扑(如图腾柱PFC、双向LLC)在户用光储系统中的工程落地,并为PowerTitan下一...