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谐振电路元件设计以抑制电动汽车无线充电系统中的电磁场与电磁干扰
Design of Resonant Circuit Components to Suppress Both EMF and EMI in Wireless Power Transfer Systems for Electric Vehicles
Seongho Woo · Yujun Shin · Jaewon Rhee · Sungryul Huh 等5人 · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2025年2月
无线电力传输（WPT）系统利用磁场作为能量传输媒介，传输过程中产生的漏磁场可能引发电磁场（EMF）和电磁干扰（EMI）问题。强磁场可能影响人体健康，谐波磁场则可能干扰周边电子设备。本文提出一种针对电动汽车WPT系统的谐振电路元件设计方法，用以有效抑制EMF与EMI。通过仿真与实验验证，该方法可将EMF降低达50%，EMI抑制效果达14 dB，满足相关电磁兼容性标准要求。
解读: 该谐振电路EMF/EMI抑制技术对阳光电源新能源汽车产品线具有直接应用价值。针对车载OBC充电机和充电桩产品，该方法可优化磁性元件设计，降低漏磁场50%和谐波干扰14dB，满足国际电磁兼容标准。技术启发：1）在ST储能变流器的高频磁性元件设计中应用该抑制方法，降低系统EMI水平；2）结合SiC/Ga...
一种用于EMI分析的半桥封装SiC功率MOSFET动态电容一步提取方法
One-Step Method of Dynamic Capacitances Extraction From a SiC Power MOSFET in a Half-Bridge Package for EMI Analysis
Jaewon Rhee · Sanguk Lee · Changmin Lee · Seongho Woo 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年10月
金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的电磁干扰（EMI）和动态电容特性是电路设计和电磁兼容性方面的重要考量因素。MOSFET是一种广泛应用于开关领域的半导体器件。MOSFET的动态电容特性与电路的开关行为以及电磁干扰的产生密切相关。因此，为了进行电磁干扰分析和控制功率转换系统，必须准确了解MOSFET的电容。MOSFET的电容会随直流偏置电压而变化。换句话说，这意味着电磁干扰特性可能会因工作条件而异，因此必须基于直流电压来获取电容值。目前已有大量关于单个MOSFET电容提取的研究。然而，...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项针对半桥封装SiC功率MOSFET动态电容提取的研究具有重要的工程应用价值。在光伏逆变器和储能变流器等核心产品中，SiC MOSFET已成为提升功率密度和效率的关键器件，而精确掌握其动态电容特性是优化EMI性能和满足电磁兼容标准的前提。 该论文提出的一步法提取技术突破...