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电动汽车驱动 SiC器件 可靠性分析 ★ 4.0

不同P阱离子注入设计对1.2kV SiC MOSFET体二极管第三象限导通退化特性的影响研究

Degradation Evaluation for Ion Implantation Doping in 1.2kV SiC MOSFET Body Diode Under Third Quadrant Conduction

Xinbin Zhan · Yanjing He · Tongtong Xia · Song Yuan 等6人 · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2025年9月

本文系统研究了不同P阱离子注入设计对1.2kV SiC MOSFET第三象限导通特性及浪涌可靠性的影响。通过调节峰值浓度与注入深度,设计了四种P阱结构(A–D),以调控P阱电阻及源漏电流传输。实验结果表明,P阱电阻增大导致浪涌能力下降,其中P阱A退化率达7.8%,P阱D最低为4.7%。当VGS=0V时,沟道与体二极管的并联导通路径削弱了P阱设计引起的源漏压降差异;关断沟道后浪涌能力进一步降低。重复浪涌测试表明,陷阱空穴累积与封装热机械疲劳是器件退化主因,而高能离子注入引入的深能级缺陷通过载流子俘...

解读: 该研究对阳光电源SiC器件应用具有重要指导价值。在ST储能变流器和电动汽车驱动系统中,SiC MOSFET频繁工作在第三象限导通模式(如能量回馈、制动工况),体二极管浪涌可靠性直接影响系统寿命。研究揭示P阱离子注入设计对浪涌能力的影响机制:优化P阱浓度分布可降低退化率至4.7%,为阳光电源功率模块选...

储能系统技术 储能系统 多物理场耦合 ★ 5.0

一种用于桌面充电的高度可调多中继无线电力传输系统的设计与分析

Design and Analysis of a Height-Adjustable Multirelay Wireless Power Transfer System for Desktop Charging

Cang Liang · Xiaohua Wang · Chaoting Wang · Mingzhe Liu 等6人 · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2024年7月

近年来,桌面无线充电技术受到广泛关注。为实现智能家居系统并解决插座带来的安全隐患,同时满足不同用户的使用偏好,本文提出一种高度可调的多中继无线电力传输系统。发射线圈嵌入墙体,桌面垂直于墙面,通过两个中继线圈调节功率传输路径及桌面高度。建立了磁耦合器的电路模型,详细分析了交叉耦合问题,并设计电路阻抗工作于感性状态,结合自动调谐辅助电路(ATAC)模块,将阻抗角固定在5°,实现近零相角与零电压开关,无需实时动态监测。实验验证了系统的有效性,最大输出功率达120 W,峰值效率为91.6%。

解读: 该高度可调多中继无线电力传输技术对阳光电源充电桩产品线具有重要应用价值。其自动调谐辅助电路(ATAC)实现近零相角与ZVS的方案,可借鉴应用于车载OBC充电机的磁耦合设计,提升功率传输效率。多中继拓扑的交叉耦合抑制方法对ST储能系统的模块化互联设计具有参考意义,可优化多变流器并联时的电磁干扰问题。固...