Cunxian Chen · Xiang Liu · Jianguo Zhao · Zihan Lan 等6人 · Solar Energy · 预计 2026年5月 · Vol.309

本文针对储热罐在关键参数（如充放热速率、温差、压力波动等）变化下的热-力耦合响应开展建模与仿真分析，揭示结构应力分布、热变形及疲劳风险演化规律。

解读: 该研究涉及储热罐多物理场耦合特性，与阳光电源PowerTitan液冷储能系统中集成的热管理模块及结构可靠性设计高度相关。其热-力协同分析方法可优化ST系列PCS与电池舱的热界面匹配，提升PowerStack在高倍率充放电工况下的长期机械稳定性。建议将研究成果应用于下一代液冷储能系统的热结构联合仿真流...

Shan Jiang · Lei Liu · Hao Chen · Wentao Xie 等5人 · Energy Conversion and Management · 2026年4月 · Vol.354

本文实验研究了一种直接膨胀式光伏光热（PVT）热泵集成系统，通过制冷剂直膨吸热提升光伏组件散热效率并协同产热，结合MPPT优化与热电协同建模，显著提升太阳能综合利用率。

解读: 该PVT热泵系统涉及光伏组件温度管理、MPPT动态响应及电-热多能协同控制，与阳光电源组串式逆变器（如SG系列）的智能散热设计、iSolarCloud平台的多源数据融合及ST系列PCS在光储热耦合场景的扩展应用高度相关。建议在工商业光伏+热泵微网项目中，将ST PCS升级为支持热泵负荷调度与PV温度...

Suzhou Laboratory · Qing Zhu · Ke Xu · Yue Hao · Applied Physics Letters · 2025年9月 · Vol.127

针对氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMTs）中陷阱效应对沟道温度测量的干扰问题，提出了一种抑制陷阱效应的沟道温度提取与热阻表征模型。该模型通过动态栅压调控技术有效抑制表面和界面陷阱的充放电行为，结合电学法精确提取稳态与瞬态沟道温度，并建立与陷阱密度相关的热阻解析模型。实验结果表明，该方法显著降低了传统电学测温中的误差，提升了高温工作条件下器件热特性的表征精度，为GaN HEMTs的热管理设计提供了可靠依据。

解读: 该GaN HEMT热阻精确表征技术对阳光电源功率器件应用具有重要价值。在ST系列储能变流器和SG光伏逆变器中，GaN器件因高频高效特性被广泛采用，但陷阱效应导致的温度测量误差直接影响热管理设计可靠性。该模型通过动态栅压调控抑制陷阱充放电，可精确提取沟道温度，为阳光电源优化GaN功率模块散热设计、提升...

Lin Hao · Ke Xu · Hui Guo · Pengfei Shao 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年8月 · Vol.127

本文报道了一种通过引入高介电常数（extreme-k）且具有显著介电极化的钛酸钡（BaTiO3）绝缘层来显著提升常关型AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管（MOS-HEMT）性能的新方法。BaTiO3的强极化效应有效增强了栅控能力，提高了器件的阈值电压稳定性和开关比。实验结果表明，该器件展现出优异的常关特性、低亚阈值摆幅和高跨导，同时漏电流抑制能力显著改善。该策略为实现高性能、高可靠性GaN基功率电子器件提供了新的技术路径。

解读: 该BaTiO3栅极工艺创新对阳光电源的GaN功率器件应用具有重要价值。通过提升GaN器件的阈值电压稳定性和开关特性,可显著优化SG系列光伏逆变器和ST系列储能变流器的高频开关性能,提高系统功率密度。特别是在1500V高压系统中,改进的漏电流抑制能力有助于提升产品可靠性。这种高介电常数栅极技术也可用于...

Zhaofeng Wang · Zhihong Liu · Xiaojin Chen · Xing Chen 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年4月 · Vol.126

本文报道了一种采用源极/漏极隧道结接触技术实现高性能增强型GaN/AlGaN p沟道场效应晶体管的研究。通过优化Mg掺杂p型层结构与低温外延生长工艺，显著提升了空穴浓度与迁移率，实现了低电阻欧姆接触。器件在常温下表现出增强型工作特性，最大漏极电流密度超过110 mA/mm，跨导达15 mS/mm，亚阈值摆幅为120 mV/dec。该结果为宽禁带半导体p沟道器件的性能突破提供了有效路径。

解读: 该p沟道GaN器件技术对阳光电源功率电子产品具有重要应用价值。110 mA/mm的电流密度和增强型特性可应用于：1）ST储能变流器和PowerTitan系统的双向功率变换模块，p沟道与n沟道GaN器件互补配对可实现更高效的三电平拓扑和双向DC-DC变换；2）车载OBC和电机驱动系统，p沟道器件可简化...

Zonghao Wu · Jiangsheng Yu · Wenxiao Wu · Zhenzhen Zhao 等6人 · Applied Physics Letters · 2025年2月 · Vol.126

本研究提出一种创新思路，通过调控半透明有机光伏（ST-OPV）器件的光学与电学性能，使其不仅具备能量转换功能，还可作为激发人类积极情绪反应的光环境调节器。实验结合心理物理学评估与器件优化，验证了特定光谱输出的ST-OPV在自然光模拟中的情感促进作用，揭示了光伏技术在人因工程与健康照明领域的跨学科应用潜力。

解读: 该半透明有机光伏（ST-OPV）情感调控技术为阳光电源光伏建筑一体化（BIPV）产品提供跨学科创新思路。虽然当前SG系列逆变器主要服务晶硅组件，但ST-OPV的光谱调控理念可启发智能建筑场景应用：结合iSolarCloud平台，通过MPPT算法优化实现发电效率与室内光环境的动态平衡；在工商业储能系统...

Heyuan Chen · Tao Zhang · Huake Su · Xiangdong Li 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.126

本文报道了一种基于AlGaN沟道的高性能肖特基势垒二极管，其功率密度高达614 MW/cm²，兼具高击穿电压与优异的温度灵敏度。通过优化AlGaN材料结构与界面特性，器件在高温环境下表现出稳定的电学性能和良好的热响应特性，适用于高频、高功率及高温电子应用。实验结果表明，该二极管在反向击穿电压和正向导通特性之间实现了良好平衡，同时展现出显著的温度依赖性电流输运行为，为高温传感与高功率整流集成提供了新思路。

解读: 该AlGaN肖特基二极管技术对阳光电源功率器件升级具有重要参考价值。614 MW/cm²的高功率密度特性可应用于SG系列高功率密度光伏逆变器和ST系列储能变流器的功率模块设计，有助于提升功率密度和转换效率。其优异的高温特性对车载OBC和充电桩等高温工作环境下的器件选型提供新思路。该技术的温度灵敏特性...

Tao Zhang · Junjie Yu · Heyuan Chen · Yachao Zhang 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年6月 · Vol.126

本文报道了一种在SiC衬底上制备的具有AlN超晶格背势垒结构的双通道AlGaN/GaN肖特基势垒二极管。通过引入AlN超晶格作为背势垒，有效抑制了二维电子气向衬底方向的扩展，增强了载流子 confinement 效应，提升了器件的反向阻断能力与正向导通性能。该结构实现了高击穿电压与低泄漏电流的优异平衡。实验结果表明，器件具有较低的开启电压和高电流密度，同时反向击穿电压显著提高。该设计为高性能GaN基功率二极管的发展提供了可行方案。

解读: 该双通道AlGaN/GaN肖特基二极管技术对阳光电源的功率器件升级具有重要参考价值。AlN超晶格背势垒结构可显著提升GaN器件的击穿电压和导通特性,这对SG系列1500V光伏逆变器和ST系列储能变流器的高频化设计至关重要。特别是在三电平拓扑中,该技术可用于优化快恢复二极管的性能,有助于提升系统效率和...

Hao Chen · Huan Yang · Yuxiang Chen · Herbert Ho-Ching Iu · IEEE Transactions on Power Electronics · 2016年3月

本文详细阐述了开关磁阻电机驱动系统（SRD）的可靠性预测方法，涵盖从组件级到系统级的分析。研究考虑了系统特定的控制策略及组件故障分类，通过分析单开关斩波策略下的运行特性，建立了SRD的可靠性评估模型，为电力电子系统的故障预测与可靠性设计提供了理论支撑。

解读: 虽然该文聚焦于开关磁阻电机驱动（SRD），与阳光电源当前核心的光伏逆变器及储能变流器（PCS）业务存在技术差异，但其提出的从组件级到系统级的可靠性预测方法论具有高度参考价值。阳光电源的PowerTitan、PowerStack等储能系统及组串式逆变器对长寿命和高可靠性要求极高，文中关于“特定控制策略...

Linling Xu · Hui Guo · Nanjing Electronic Devices Institute · Jiaofen Yang 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年7月 · Vol.127

研究了在高压射频应力下，不同负载阻抗条件下GaN高电子迁移率晶体管的退化行为。实验发现器件退化程度显著依赖于负载阻抗，低阻抗时退化更严重。结合电学与热学分析，表明高阻抗下自热效应更强，但低阻抗时更大的漏极电流导致焦耳热集中和电场加速，加剧了缺陷生成与载流子俘获。通过瞬态电流与脉冲I-V测试，识别出浅能级陷阱的激活是退化主因，并揭示了电热耦合与陷阱响应的协同作用机制。

解读: 该GaN HEMT阻抗依赖性退化机制研究对阳光电源功率器件应用具有重要价值。研究揭示的低阻抗下电流集中导致焦耳热与电场协同加速陷阱生成机制，可直接指导ST储能变流器和SG光伏逆变器中GaN器件的阻抗匹配设计。通过优化负载阻抗避开高退化区域，可提升PowerTitan储能系统和充电桩中GaN功率模块的...

Chen Chen · Chaoqiang Jiang · Fengshuo Yang · Hao Guo 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 预计 2026年6月

针对感应电能传输（IPT）系统中因物理偏移导致的输出功率波动问题，本文提出了一种新型离散频率失谐方法。基于串-串（S-S）补偿拓扑，推导了考虑虚部和等效串联电阻的通用数学模型，并分析了输出功率、原边电流及传输效率特性。

解读: 该研究探讨的感应电能传输（IPT）技术主要应用于无线充电领域，与阳光电源的电动汽车充电桩业务具有技术相关性。虽然目前主流充电桩以有线传导式为主，但无线充电是未来提升用户体验的重要方向。该文提出的失谐控制方法能有效缓解偏移带来的功率波动，有助于提升无线充电系统的鲁棒性。建议研发团队关注该拓扑在未来大功...

Xiaoling Li · Yuxiang Chen · Hao Chen · Riya Paul 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年8月

本文提出了一种针对10 kV碳化硅（SiC）MOSFET功率模块的系统化设计方法。通过多目标优化，实现了电场分布的增强、共模寄生电容的最小化以及系统级寄生电感的降低，为高压功率模块的设计提供了创新技术路径。

解读: 该研究聚焦于高压SiC功率模块的封装与电磁优化，对阳光电源的核心业务具有极高价值。10 kV SiC器件是实现中压直挂（MV-grid）光伏逆变器和储能PCS的关键，能显著减少变压器体积并提升系统效率。该模块的电场优化与寄生参数控制技术，可直接应用于PowerTitan等大功率储能系统及集中式光伏逆...

Cen Chen · Zicheng Wang · Xuerong Ye · Yifan Hu 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年2月

碳化硅（SiC）MOSFET在电力电子领域应用日益广泛，但栅极氧化层可靠性问题限制了其大规模应用。本文针对栅极开关不稳定性（GSI）导致的阈值电压漂移现象进行了深入研究，分析了其退化机理并建立了相应的预测模型，为提升高压功率器件的长期运行可靠性提供了理论支撑。

解读: 1700V SiC MOSFET是阳光电源高压组串式逆变器及PowerTitan系列液冷储能PCS的核心功率器件。随着系统电压等级向1500V及以上提升，栅极驱动的长期可靠性直接决定了产品的全生命周期性能。本文提出的GSI退化模型可指导阳光电源在驱动电路设计中优化栅极电压偏置策略，降低阈值电压漂移风...

Shang-Hsien Yang · Chao-Chang Chiu · Chih-Wei Chang · Chen-Min Chen 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2016年4月

本文提出了一种笔记本电脑整体电源管理方案，通过柔性电压调节（FVS）与动态电压调节（DVS）技术协同，提升了电源转换效率。FVS技术将控制器分为两部分，一部分作为简单的初级侧控制器，另一部分集成于笔记本电源管理单元中，从而优化了整体功耗表现。

解读: 该文献聚焦于消费电子领域的低功耗电源管理与电压调节技术，与阳光电源的核心业务（大功率光伏逆变器、储能系统及充电桩）在应用场景和功率等级上存在较大差异。然而，文中所述的柔性电压调节（FVS）与动态电压调节（DVS）协同控制策略，对于阳光电源户用光伏逆变器及iSolarCloud智能运维平台中的低功耗待...

Wentao He · Dongyuan Qiu · Bo Zhang · Yanfeng Chen 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年8月

随着可再生能源并网比例提升，储能需求日益增长，但电池成本与环保压力不容忽视。本文提出一种名为“电力弹簧（ES-2）”的需求侧管理技术，通过利用非关键负载的功率波动范围，有效降低对物理储能系统的依赖，从而优化系统整体成本与环境影响。

解读: 该技术通过需求侧管理（DSM）平抑功率波动，与阳光电源的PowerStack及户用储能系统形成互补。在微电网或工商业储能应用中，引入ES-2控制策略可降低对电池容量的硬性需求，从而提升系统经济性。建议研发团队关注该技术在iSolarCloud平台中的集成潜力，通过智能调度非关键负载，配合PowerT...

Xiliang Chen · Wenjie Chen · Xu Yang · Yaqiang Han 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2018年7月

本文设计了一种采用串联MOSFET的4000V超高压输入开关电源（UHV-SMPS）。主要贡献包括多开关结构下的共模干扰建模、开关管电压均衡技术及驱动方法。通过高频等效模型评估了UHV-SMPS的共模干扰，为超高压应用提供了理论支撑。

解读: 该技术对阳光电源的集中式光伏逆变器及大型储能系统（如PowerTitan系列）具有重要参考价值。随着光伏与储能系统向更高直流侧电压等级（如1500V甚至更高）演进，如何解决高压下功率器件的串联均压及共模干扰问题是提升系统功率密度和可靠性的关键。本文提出的串联MOSFET驱动与均压策略，可优化高压DC...

Shih-Gang Chen · Faa-Jeng Lin · Chia-Hui Liang · Chen-Hao Liao · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年3月

本文提出了一种用于同步磁阻电机（SynRM）驱动系统的新型最大功率因数控制（MPFC）方法。通过引入递归切比雪夫模糊神经网络（RCFNN）作为电流角控制器，结合定子电阻和定子磁链估计器，解决了传统基于凸极比的固定电流角控制在参数变化下的性能局限，实现了电机驱动系统的高性能运行。

解读: 该研究聚焦于电机驱动系统的智能控制算法，虽然阳光电源的核心业务集中在光伏逆变器、储能系统及风电变流器，而非同步磁阻电机驱动，但其采用的递归切比雪夫模糊神经网络（RCFNN）在复杂非线性系统控制方面具有参考价值。建议研发团队关注该类AI算法在风电变流器电机侧控制或储能系统PCS功率变换控制中的应用潜力...

Yueyin Wang · Zhan Shen · Wu Chen · Zewei Hao 等9人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 预计 2026年5月

双有源桥（DAB）变换器因其电气隔离和高效率在直流系统中应用广泛。然而，变压器端口常存在高频电压振荡（HFVOs），威胁变压器绝缘性能。本文分析了HFVOs的产生机理，并提出了一种新型调制策略以有效抑制该振荡，提升系统运行可靠性。

解读: DAB变换器是阳光电源储能系统（如PowerTitan、PowerStack系列）及直流耦合光储系统的核心拓扑。变压器高频电压振荡直接影响磁性元件的绝缘寿命及电磁兼容性（EMC）。该研究提出的调制策略能够有效降低应力，对于提升阳光电源储能变流器（PCS）在复杂工况下的长期可靠性具有重要工程价值。建议...

Chu-Hsiang Chia · Robert Chen-Hao Chang · Pui-Sun Lei · Hou-Ming Chen · IEEE Transactions on Power Electronics · 2015年6月

本文提出了一种用于系统级封装（SiP）的两相全集成DC-DC变换器，采用玻璃基集成无源器件（GIPD）工艺制造。通过引入自适应断续导通模式（DCM）控制器和低摆幅/全摆幅缓冲器，有效降低了开关损耗，并在高开关频率下保持了高效率。

解读: 该文献聚焦于芯片级集成DC-DC技术及高频化控制，主要应用于消费电子或小型化电源模块。对于阳光电源而言，该技术在现有的光伏逆变器（组串式/集中式）或大型储能系统（PowerTitan/PowerStack）中应用空间有限，因为这些产品更侧重于高功率密度、高可靠性及大电流处理能力。然而，该研究中关于自...

Chin-Fu Nien · Dan Chen · Sheng-Fu Hsiao · Le Kong 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2017年10月

本文提出了一种用于Buck变换器的新型自适应准恒定导通时间（COT）电流模式控制方案。该方案在保留传统COT电流模式变换器优势的基础上，实现了负载阶跃下的快速瞬态响应，并优化了变换器的性能表现。

解读: 该技术在DC-DC变换领域具有重要参考价值，直接关联阳光电源的户用光伏逆变器及储能系统（如PowerStack/PowerTitan）中的辅助电源模块或DC-DC级电路。通过采用自适应准恒定导通时间控制，可显著提升变换器在负载突变时的动态响应速度，减小输出电压纹波，从而提高系统整体的功率密度与稳定性...