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关于“高频软开关损耗宽禁带技术比较”一文的勘误
Erratum to “Comparison of Wide-Band-Gap Technologies for Soft-Switching Losses at High Frequencies”
Armin Jafari · Mohammad Samizadeh Nikoo · Nirmana Perera · Halil Kerim Yildirim 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年2月
本文是对IEEE电力电子汇刊中关于高频软开关损耗下宽禁带半导体技术对比研究论文的勘误说明，主要修正了原论文中的相关技术数据。
解读: 宽禁带半导体（SiC/GaN）是阳光电源提升逆变器及储能PCS功率密度的核心技术。随着组串式逆变器和PowerTitan等储能系统向高频化、小型化发展，软开关技术下的损耗评估至关重要。该勘误虽为修正性内容，但提醒研发团队在评估SiC/GaN器件在高频应用中的效率时，必须确保基础数据与模型参数的严谨性...
用于低功率损耗测量的高精度免校准量热仪
High-Accuracy Calibration-Free Calorimeter for the Measurement of Low Power Losses
Armin Jafari · Michael Heijnemans · Reza Soleimanzadeh · Remco van Erp 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年1月
宽禁带半导体技术推动了高频功率转换效率的提升，但传统电测法在极高效率下易产生测量误差。本文提出一种高精度免校准量热仪，旨在解决电流探头带宽限制、时延失配及电磁干扰等导致的效率测量不准问题，为高效率功率电子系统的损耗评估提供精确基准。
解读: 随着阳光电源在组串式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能系统中大规模应用SiC等宽禁带器件，系统效率已接近极限，传统的电测法难以精准捕捉微小的损耗差异。该量热仪技术可作为研发实验室的核心测试手段，用于验证高频功率模块的热设计与损耗模型。通过引入高精度量热法，阳光电源能更准确地评估S...
利用可调抽头高频变压器实现效率保持的增强型DAB变换器
Enhanced DAB for Efficiency Preservation Using Adjustable-Tap High-Frequency Transformer
Armin Jafari · Mohammad Samizadeh Nikoo · Furkan Karakaya · Elison Matioli · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年7月
针对双有源桥（DAB）变换器在轻载或宽电压范围下软开关失效、效率下降的问题，本文提出一种基于可调抽头高频变压器的增强型DAB拓扑。通过调节变压器匝数比，该方案有效优化了变换器的增益特性，在宽电压调节范围内实现了效率的显著提升，适用于电池充电器及直流配电系统。
解读: 该技术对阳光电源的储能系统（如PowerTitan、PowerStack）及电动汽车充电桩业务具有极高的参考价值。DAB是双向DC-DC变换的核心拓扑，直接决定了储能PCS的充放电效率。通过引入可调抽头变压器技术，可解决储能系统在电池电压波动范围大时的效率瓶颈，显著提升系统全工况下的转换效率。建议研...
一种无需电流测量的SiC MOSFET导通电阻在线估计方法
An Approach for Online Estimation of On-State Resistance in SiC MOSFETs Without Current Measurement
Furkan Karakaya · Anuj Maheshwari · Arijit Banerjee · John S. Donnal · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年9月
尽管碳化硅（SiC）MOSFET性能优越，但其可靠性限制了在高功率应用中的普及。导通电阻（Rds-on）的增加是器件早期失效的关键预兆。本文提出了一种无需电流传感器即可在线监测SiC MOSFET导通电阻的方法，旨在提升功率模块的健康状态监测与可靠性评估能力。
解读: 该技术对阳光电源的核心产品线具有极高的应用价值。随着公司在组串式逆变器、PowerTitan储能系统及风电变流器中大规模应用SiC功率模块，提升器件的可靠性评估是实现产品长寿命设计的关键。该方法无需额外电流传感器，降低了硬件成本与系统复杂度，非常适合集成至iSolarCloud平台，通过在线监测Rd...
高频软开关下宽禁带半导体技术的损耗对比研究
Comparison of Wide-Band-Gap Technologies for Soft-Switching Losses at High Frequencies
Armin Jafari · Mohammad Samizadeh Nikoo · Nirmana Perera · Halil Kerim Yildirim 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年12月
本文探讨了基于宽禁带（WBG）器件的软开关变换器在提升效率与功率密度方面的优势。研究重点分析了在高频工作条件下，不同WBG技术（如SiC与GaN）在导通损耗、动态导通电阻（RDS(ON)）退化以及输入电容充放电损耗等方面的差异，为高频电力电子系统的设计提供了理论依据。
解读: 该研究对阳光电源的核心产品线具有极高的参考价值。随着光伏逆变器（如组串式逆变器）和储能变流器（如PowerTitan系列）向更高功率密度和更高开关频率演进，SiC和GaN器件的应用已成为提升效率的关键。文章关于动态导通电阻退化及电容损耗的分析，直接指导了阳光电源在功率模块选型、驱动电路优化及散热设计...
具有高输入扰动抑制能力的LLC谐振变换器控制架构
Control Architecture for LLC Resonant Converters With High Input Disturbance Rejection Capability Using Output Diode Current
Anuj Maheshwari · Furkan Karakaya · Arijit Banerjee · John S. Donnal · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年1月
本文针对LLC谐振变换器极点随工况变化导致控制设计困难的问题，提出了一种利用输出二极管电流测量的新型控制架构。该方法显著增强了变换器对输入扰动的抑制能力，有助于减小输入滤波器尺寸，提升功率密度与系统可靠性。
解读: 该技术对阳光电源的户用光伏逆变器及储能系统（如PowerStack/PowerTitan中的DC-DC环节）具有重要参考价值。LLC谐振变换器是实现高效率、高功率密度的核心拓扑，通过引入输出二极管电流反馈来增强输入扰动抑制，能够有效提升系统在复杂电网环境下的稳定性，并减小无源器件体积，从而进一步优化...
运行中SiC MOSFET键合线脱落事件的原位检测
In Situ Detection of Bond Wire Lift-Off Events in Operational SiC MOSFETs
Furkan Karakaya · Anuj Maheshwari · Arijit Banerjee · John S. Donnal 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年12月
键合线脱落是SiC MOSFET的主要失效机制之一。当键合线与源极间的焊接点断裂形成开路时，剩余键合线电流密度增加，产生热应力正反馈，导致器件快速失效。本文提出了一种在运行中检测该故障的方法，旨在通过早期预警提升功率模块的可靠性。
解读: 该技术对阳光电源的核心产品线（组串式/集中式光伏逆变器、PowerTitan/PowerStack储能系统）至关重要。随着SiC MOSFET在高性能功率模块中的广泛应用，键合线失效成为影响系统长期可靠性的关键瓶颈。该原位检测方法可集成至iSolarCloud智能运维平台，实现对逆变器及PCS内部功...