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风电变流技术 储能系统 ★ 5.0

一种适用于不对称故障下永磁直驱风电机组的动态等效方法

A Dynamic Equivalent Method for PMSG Based Wind Farms Under Asymmetrical Faults

Dongsheng Li1Zetian Zheng2Chen Shen1 · 现代电力系统通用与清洁能源学报 · 2025年1月 · Vol.1

提出了一种适用于不对称故障下直驱永磁同步发电机(PMSG)风电场的动态等效建模方法。首先根据PMSG在不对称故障下的有功功率特性进行聚类,针对不同集群构建单机等效模型,其中对具有斜坡恢复特性的机组引入多段斜率恢复的等效模型。同时,提出适用于对称与不对称故障的集电网络等效方法,并采用迭代仿真获取故障前所需的聚类判据。最后在改进的IEEE 39节点系统上验证了所提方法的有效性。

解读: 该动态等效建模方法对阳光电源的储能和风电产品线具有重要参考价值。特别是对ST系列储能变流器和风电变流器的故障穿越控制策略优化,可借鉴其不对称故障下的有功功率特性聚类方法。通过引入多段斜率恢复模型,可提升PowerTitan等大型储能系统在电网故障期间的动态响应性能。该方法也可用于完善iSolarCl...

储能系统技术 储能系统 DC-DC变换器 DAB ★ 4.0

双有源桥变换器中基于先进虚拟电阻补偿的瞬态直流偏置抑制

Advanced Virtual Resistance Compensation for Transient DC Bias Suppression in Dual Active Bridge Converters

Mingxue Li · Dongsheng Yu · Samson Shenglong Yu · Xinyu Mei 等5人 · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2025年8月

在双有源桥DAB DC/DC变换器中,系统参数变化会在电感电流中产生瞬态直流偏置,导致有效值增加、磁芯饱和和潜在不稳定运行。为缓解该问题,提出基于先进虚拟电阻补偿VRC的瞬态直流抑制方法。开发小信号解析模型以表征所提基于VRC的方法。然后将补偿环路集成到控制框架中以增强DAB瞬态性能,通过动态调节相移来模拟真实电阻补偿的瞬态行为。实验结果验证所提方法有效抑制电感电流中的瞬态直流偏置,而不引入额外功率损耗或损害功率传输能力。

解读: 该DAB瞬态直流偏置抑制研究对阳光电源隔离DC-DC变换器优化有重要参考价值。虚拟电阻补偿VRC方法不引入额外功率损耗同时有效抑制直流偏置的技术特点与阳光ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器的高效率要求一致。小信号解析模型和补偿环路集成的控制框架可应用于阳光PowerTitan储能系统的双向隔离D...

风电变流技术 储能系统 弱电网并网 低电压穿越LVRT ★ 5.0

基于切换系统理论的风电机组重复低电压穿越过程动态建模与稳定性分析

Dynamic Modeling and Stability Analysis for Repeated LVRT Process of Wind Turbine Based on Switched System Theory

Qiping Lai · Chen Shen · Dongsheng Li · IEEE Transactions on Power Systems · 2024年11月

风电汇集点与主电网之间显著的电气距离给弱电网连接的风电系统带来了挑战。已观测到一种由风力发电机组反复低电压穿越(LVRT)引发的新型电压振荡现象,这威胁到了此类电力系统的安全稳定运行。因此,探索该现象的动态演化机制并开发稳定性分析方法已成为当务之急。本文引入切换系统理论对反复低电压穿越过程进行动态建模、机理阐释和稳定性分析。首先,考虑外部连接阻抗和内部控制动态,建立了一种新型的风力发电机组网侧变流器(WT - GSC)切换系统模型,以定量表征电压振荡的演化动态和机理。随后,基于共同Lyapuno...

解读: 该研究对阳光电源的弱电网并网产品具有重要参考价值。切换系统理论的建模方法可应用于ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器的LVRT控制优化,特别是在弱电网条件下的多次连续故障场景。研究成果可用于改进阳光电源的GFM/GFL控制策略,提升PowerTitan等大型储能系统在弱电网环境下的并网稳定性。通过...

电动汽车驱动 SiC器件 ★ 4.0

一种减小自热效应的碳化硅MOSFET高压饱和区增强表征方法

An Enhanced Characterization Method of SiC MOSFET in High-Voltage Saturation Region with Reduced Self-heating

Enyao Xiang · Chengmin Li · Dongsheng Yang · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年9月

对碳化硅(SiC)金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管(MOSFET)进行精确的器件建模、短路(SC)预测和保护,需要精确测量其在高漏源电压下的饱和特性。然而,传统的曲线追踪仪受到功率限制、寄生元件的影响,尤其是受器件固有导通时间的限制,这些因素共同限制了 $di/dt$。这使得表征高压、大电流区域的器件行为变得困难,因为达到稳态所需的较长时间会导致显著的自热效应,降低测量精度,甚至损坏器件。本文提出了一种测试拓扑,使用多个并联器件作为辅助开关来控制测量过程,并在保持被测器件正常导通的同时加...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项SiC MOSFET高压饱和区增强表征技术具有重要的战略价值。作为光伏逆变器和储能变流器的核心功率器件,SiC MOSFET的精确建模直接关系到产品的可靠性设计和性能优化。 该技术通过多器件并联辅助开关和高阻抗栅极驱动电路,突破了传统曲线追踪仪的测试瓶颈,能够在高压大...