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MoS2/SiC异质结的能带对齐及其超高整流比和光伏效应
Band alignment of MoS2/SiC heterojunctions with ultrahigh rectifying ratio and photovoltaic effect
Binbin Ding · Qian Liu · Yu Zhou · Boyi Bai 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年8月 · Vol.127
本文研究了MoS2/SiC异质结的能带对齐特性，该结构表现出极高的整流比和显著的光伏效应。通过精确调控界面特性，实现了优异的电学性能和光响应特性。实验结果表明，该异质结具有清晰的能带偏移和良好的载流子分离效率，在可见光至近红外波段展现出高效的光电转换能力。该研究为二维/宽禁带半导体异质结构在高性能光电器件中的应用提供了重要依据。
解读: 该MoS2/SiC异质结研究对阳光电源SiC功率器件应用具有重要参考价值。超高整流比特性可优化ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器中的SiC MOSFET性能，降低反向漏电流，提升系统效率。能带工程方法为功率模块界面优化提供理论依据，可改善器件开关特性和热稳定性。光伏效应研究启发在三电平拓扑中探索...
环形电感近场磁场发射的分析与抑制
Analysis and Reduction of the Near Magnetic Field Emission From Toroidal Inductors
Boyi Zhang · Shuo Wang · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年6月
本文探讨了环形电感的近场磁场发射问题。磁性元件的近场辐射可能引发电磁干扰（EMI），并降低EMI滤波器的性能。文章分析了在共模（CM）和差模（DM）激励下，不同绕组结构对电感磁场发射的影响机制，并提出了相应的抑制策略。
解读: 电感作为光伏逆变器（如SG系列组串式逆变器）和储能PCS（如PowerTitan系列）中的核心磁性元件，其电磁兼容性（EMC）直接影响产品的功率密度与认证通过率。本文提出的近场磁场分析方法有助于优化磁性元件的绕组设计，减少EMI滤波器体积，从而提升阳光电源产品的功率密度。建议研发团队在设计阶段引入该...
键合线半桥SiC多芯片功率模块的寄生电感建模与优化
Parasitic Inductance Modeling and Reduction for Wire-Bonded Half-Bridge SiC Multichip Power Modules
Boyi Zhang · Shuo Wang · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年5月
本文建立了包含SiC多芯片功率模块并联电流路径间互感的寄生电感模型。基于该模型，分析了SiC模块的瞬态响应，识别了关键寄生电感，并据此优化了封装布局，有效降低了模块的寄生参数。
解读: 该研究对于提升阳光电源核心产品（如组串式逆变器、PowerTitan储能系统及风电变流器）的功率密度和开关性能至关重要。SiC功率模块的寄生电感直接影响开关损耗、电压过冲及电磁干扰（EMI）。通过优化封装布局，可显著降低SiC器件在高速开关下的电压尖峰，从而提升系统可靠性并减小滤波器体积。建议研发团...
消除米勒电容以提升SiC MOSFET在桥臂配置中的性能
Miller Capacitance Cancellation to Improve SiC MOSFET's Performance in a Phase-Leg Configuration
Boyi Zhang · Shuo Wang · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年12月
SiC MOSFET的漏源极电容（米勒电容）在开关瞬态过程中会引发米勒效应。在桥臂配置中，该电容会导致开关间的串扰及米勒平台现象，从而降低开关速度、影响可靠性并增加电磁干扰。本文研究了通过抵消米勒电容来优化SiC MOSFET开关性能的方法。
解读: 该技术对阳光电源的核心产品线（如组串式光伏逆变器、PowerTitan储能系统及风电变流器）具有重大意义。随着公司产品向更高功率密度和更高开关频率演进，SiC器件的应用日益广泛。米勒效应引起的串扰是导致桥臂直通风险和开关损耗增加的主要因素。通过采用米勒电容抵消技术，可以显著提升SiC模块的开关速度，...
高功率密度设计中电感磁场抗扰度与近场磁场削减研究
Investigation of Magnetic Field Immunity and Near Magnetic Field Reduction for the Inductors in High Power Density Design
Yanwen Lai · Shuo Wang · Boyi Zhang · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年6月
本文研究了不同电感绕组结构的磁场抗扰度及近场磁场削减问题。提出了一种包含两个磁芯的双绞绕组结构，用于共模（CM）电感。该结构能显著降低近场磁场辐射，并提升对外部磁场的抗扰度，在实现高功率密度设计的同时优化了电磁兼容性能。
解读: 该研究直接服务于阳光电源高功率密度产品的研发需求。随着组串式逆变器（如SG系列）和储能系统（如PowerTitan系列）功率密度的不断提升，电感作为核心磁性元件，其电磁干扰（EMI）控制和抗扰度设计至关重要。本文提出的双绞绕组结构及双磁芯方案，可有效解决高频化带来的近场辐射问题，提升系统EMC性能。...
通过优化屏蔽设计降低SiC半桥模块的近场磁辐射与寄生电感
Reducing Near-Field Magnetic Radiation and Parasitic Inductance in SiC Half-Bridge Modules via Optimized Shielding Design
Yi Du · Kai Lu · Boyi Zhang · Atif Iqbal 等10人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年9月
近场辐射和寄生电感是SiC MOSFET应用中的主要挑战。现有降低电感的方法多侧重于减小换流回路面积，但往往导致布局和制造工艺复杂化。本文基于电感由磁能积分决定的物理原理，提出了一种通过优化屏蔽设计来降低SiC半桥模块寄生电感和近场辐射的新方法，在简化工艺的同时提升了模块性能。
解读: 该研究直接服务于阳光电源的高功率密度产品研发。随着公司组串式逆变器和PowerTitan/PowerStack储能系统向更高开关频率和更高功率密度演进，SiC器件的应用已成为核心竞争力。该屏蔽设计方法能有效抑制高频开关下的电磁干扰（EMI）并降低寄生电感，有助于优化逆变器及PCS的功率模块封装设计，...
SiC MOSFET并联运行中动态电流平衡的共源电感补偿技术
Common Source Inductance Compensation Technique for Dynamic Current Balancing in SiC MOSFETs Parallel Operations
Boyi Zhang · Ruxi Wang · Peter Barbosa · Qianyi Cheng 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年11月
在牵引逆变器等高电流应用中，SiC MOSFET常通过并联以提升电流等级，但不对称布局引起的寄生电感差异会导致动态电流不平衡，进而引发器件及系统故障。本文提出了一种共源电感补偿技术，旨在解决并联SiC MOSFET的动态电流不平衡问题，提升功率模块的运行可靠性。
解读: 该技术对阳光电源的组串式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能变流器（PCS）具有重要意义。随着公司产品向更高功率密度演进，SiC器件的大规模并联应用日益增多，动态电流不平衡是制约模块可靠性的关键瓶颈。该补偿技术可直接优化公司功率模块的PCB布局设计与驱动电路，降低开关过程中的电压尖...