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基于宽禁带晶体管的Buck变换器中用于提升功率密度和效率的高电流纹波技术
High Current Ripple for Power Density and Efficiency Improvement in Wide Bandgap Transistor-Based Buck Converters
Bernardo Cougo · Henri Schneider · Thierry Meynard · IEEE Transactions on Power Electronics · 2015年8月
随着宽禁带（WBG）器件的普及，电力变换器设计迎来了新机遇。相比硅基器件，WBG器件具备更快的开关速度，可显著提升变换器的效率与功率密度。本文探讨了如何通过优化电流纹波设计，充分发挥WBG器件的性能优势，实现更紧凑、高效的功率变换方案。
解读: 该研究直接契合阳光电源在光伏逆变器及储能PCS领域对高功率密度的追求。随着SiC和GaN器件在组串式逆变器及PowerTitan储能系统中的广泛应用，如何平衡高开关频率带来的损耗与电流纹波是提升整机效率的关键。建议研发团队参考该文的纹波优化策略，在下一代高频化功率模块设计中，通过精细化磁性元件设计与...
用于氮化镓晶体管闭环dv/dt控制的CMOS有源栅极驱动器
CMOS Active Gate Driver for Closed-Loop dv/dt Control of GaN Transistors
Plinio Bau · Marc Cousineau · Bernardo Cougo · Frédéric Richardeau 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年12月
本文介绍了一种全集成CMOS有源栅极驱动器（AGD），旨在控制48V和400V应用中GaN晶体管的高dv/dt。通过提出一种创新技术，该方案在降低高频频谱发射的同时，相比传统方案显著减少了开关损耗。
解读: 随着阳光电源在电动汽车充电桩及高功率密度光伏逆变器中对GaN器件的应用探索，该技术具有重要参考价值。GaN的高开关速度虽能提升效率，但带来的EMI和dv/dt应力是系统设计的难点。本文提出的闭环有源栅极驱动技术，能够平衡开关损耗与电磁兼容性，有助于优化公司下一代高频化充电桩及小型化组串式逆变器的功率...
基于N端口测量的SiC功率模块寄生参数提取方法
Methodology for Parasitic Elements Extraction of SiC Power Module Based on N-Port Measurement
Gregory Almeida · Sebastien Serpaud · Victor Dos Santos · Bernardo Cougo 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年10月
本文提出了一种基于测量的SiC功率模块换流回路RL寄生参数提取方法。该方法采用闭环/半闭环模型，通过对功率模块外部N个端口进行S参数测量，实现对模块内部寄生参数的精确提取，为SiC模块的高频建模与优化设计提供了有效手段。
解读: 该技术对阳光电源的组串式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能系统至关重要。随着SiC器件在高性能逆变器和PCS中的广泛应用，高频寄生参数直接影响开关损耗、电压尖峰及EMI性能。通过此方法，研发团队可更精准地进行功率模块建模与PCB布局优化，提升产品功率密度与可靠性。建议在下一代高频...
面向低损耗与低EMI航空应用的集成电容低电感SiC模块特性研究
Characterization of Low-Inductance SiC Module With Integrated Capacitors for Aircraft Applications Requiring Low Losses and Low EMI Issues
Bernardo Cougo · Hans Hoffmann Sathler · Raphael Riva · Victor Dos Santos 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年7月
未来航空器对电力电子变换器的功率密度和效率要求日益提高。碳化硅（SiC）器件虽能显著降低损耗，但其高开关速度会导致换流过程中的电压过冲与EMI问题。本文研究了一种集成电容的低电感SiC功率模块，旨在优化开关性能，抑制过冲，提升变换器整体效率与电磁兼容性。
解读: 该研究聚焦于SiC功率模块的低电感设计与集成电容技术，这对阳光电源的组串式光伏逆变器和PowerTitan系列储能变流器（PCS）具有重要参考价值。随着阳光电源产品向更高功率密度演进，SiC器件的应用已成为主流。该文提出的降低电压过冲与EMI的方案，可直接优化PCS及逆变器在高频开关下的电磁兼容性能...
基于N端口测量的碳化硅功率模块寄生参数提取方法
Methodology for Parasitic Elements Extraction of SiC Power Module Based on N-Port Measurement
Gregory Almeida · Sebastien Serpaud · Victor Dos Santos · Bernardo Cougo 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年5月
本文提出了一种基于测量的方法，专注于提取碳化硅（SiC）功率模块换流功率回路中的 RL 元件寄生参数。该方法可视为一个封闭/半封闭盒模型，它针对被测功率模块外部可用的给定数量端口（N）进行一组散射参数（S 参数）测量。所提出的方法使我们能够在数小时内构建一个模型，该模型旨在尽可能贴近功率模块的物理特性进行行为表征。测量的不确定性和误差通过基于最小二乘法的优化回归算法进行处理，该算法采用高斯 - 牛顿 - 拉夫逊方法。为了验证目的，本文给出了使用不同样品的碳化硅功率模块的实验结果。
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项基于N端口测量的SiC功率模块寄生参数提取方法具有重要的工程应用价值。作为全球领先的光伏逆变器和储能系统供应商，阳光电源产品的核心竞争力很大程度上取决于功率模块的性能优化，而精确的寄生参数模型正是实现这一目标的关键基础。 该方法的核心价值在于通过S参数测量快速建立功率...