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用于中压应用基于矩阵的电感结构
Matrix-Based Inductor Structure for MV Applications
Anup Anurag · Rudy Wang · Peter Barbosa · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年8月
中压（MV）变换器设计的关键在于中压电感的设计，需兼顾绝缘可靠性、高性能、可制造性、模块化及可重复性。本文提出了一种新型模块化中压高频电感设计，采用矩阵式结构以满足电感需求。
解读: 该技术对阳光电源的中压储能系统（如PowerTitan系列）及大型集中式光伏逆变器具有重要参考价值。随着光伏与储能系统向更高电压等级（如1500V及以上）演进，电感作为核心磁性元件，其体积、损耗与绝缘性能直接影响系统功率密度。该矩阵式电感设计方案有助于提升阳光电源产品的模块化水平，优化高频化趋势下的...
面向中压应用基于PCB的电感结构
PCB Based Inductor Structure for MV Applications
Anup Anurag · Peter Barbosa · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年2月
碳化硅（SiC）功率器件推动了固态变压器等中压大功率应用的发展。中压系统设计的关键挑战在于电感器的设计，这要求在实现高性能的同时，必须具备可靠的绝缘设计。
解读: 该技术对阳光电源的中压储能系统（如PowerTitan系列）及未来高压光伏逆变器具有重要参考价值。随着光储系统向更高电压等级（如1500V及以上）演进，传统电感体积大、绝缘难度高，基于PCB的集成电感技术有助于提升功率密度并优化散热。建议研发团队关注该结构在紧凑型高压PCS中的应用潜力，特别是在提升...
离散封装IGBT键合线老化监测的拐点Vce评估方法
Evaluation of Vce at Inflection Point for Monitoring Bond Wire Degradation in Discrete Packaged IGBTs
Arun Singh · Anup Anurag · Sandeep Anand · IEEE Transactions on Power Electronics · 2017年4月
本文提出了一种在线监测IGBT封装内键合线老化状况的新方案。该方法通过检测导通状态下集电极-发射极电压（Vce）在拐点处的变化来识别键合线退化。相比以往依赖精确老化先验知识的方法，该方案在提升监测准确性与实用性方面具有显著优势，为功率器件的寿命预测提供了新思路。
解读: IGBT是阳光电源组串式逆变器、集中式逆变器及储能PCS的核心功率器件。键合线失效是功率模块最常见的故障模式之一。该研究提出的基于Vce拐点监测的方法，无需复杂的额外传感器，极易集成于iSolarCloud智能运维平台中。建议研发团队将其应用于PowerTitan等大型储能系统及高功率密度逆变器的在...
基于集成DC-DC变换器的宽输入电压范围无变压器光伏并网逆变器
Integrated DC–DC Converter Based Grid-Connected Transformerless Photovoltaic Inverter With Extended Input Voltage Range
Anup Anurag · Nachiketa Deshmukh · Avinash Maguluri · Sandeep Anand · IEEE Transactions on Power Electronics · 2018年10月
由于低成本、体积小和重量轻，无变压器逆变器在单相光伏并网系统中占据主导地位。该类逆变器面临的核心挑战在于抑制共模（CM）漏电流及提升转换效率。本文探讨了通过优化拓扑结构与级数，在宽输入电压范围内实现高效能量转换的方案，旨在提升单相光伏系统的整体性能。
解读: 该研究聚焦于无变压器逆变器的拓扑优化，与阳光电源的核心产品线——户用及工商业组串式逆变器高度契合。通过集成DC-DC变换器实现宽输入电压范围，能够有效提升逆变器在不同光照条件下的MPPT效率，并降低系统体积与成本。对于阳光电源而言，该技术路径可用于优化新一代户用逆变器（如SG系列）的电路架构，在保障...
中压SiC器件栅极驱动器的高压隔离电源结构
High-Voltage Isolated Power Supply Structure for Gate Drivers of Medium-Voltage SiC Devices
Anup Anurag · Peter Barbosa · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年6月
本文提出两种用于中压碳化硅（SiC）器件的新型栅极驱动隔离电源结构，采用灌封PCB绕组和圆柱形磁芯。第一种设计利用两个圆柱形磁芯分别作为原边和副边绕组，并引入耦合线圈以增强磁耦合性能。该结构旨在优化中压功率器件驱动电路的隔离与传输效率。
解读: 该技术对阳光电源的组串式逆变器和PowerTitan/PowerStack储能系统具有重要参考价值。随着阳光电源在工商业及地面电站中加速应用高压SiC功率模块以提升功率密度和效率，栅极驱动电路的隔离可靠性成为关键挑战。该文提出的新型磁耦合结构有助于减小驱动电源体积，提升在高压环境下的抗干扰能力。建议...
面向高dv/dt中压功率器件的创新栅极驱动器设计与开发
Design Considerations and Development of an Innovative Gate Driver for Medium-Voltage Power Devices With High dv/dt
Anup Anurag · Sayan Acharya · Yos Prabowo · Ghanshyamsinh Gohil 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年6月
中压碳化硅（SiC）器件正逐步取代硅基IGBT。本文探讨了中压SiC器件在电力变换器设计中的应用，重点分析了高dv/dt环境下栅极驱动器的设计挑战，旨在简化变换器拓扑结构，提升系统可靠性与功率密度。
解读: 该研究直接服务于阳光电源的核心竞争力。随着公司在PowerTitan储能系统及大功率组串式逆变器中对SiC器件应用比例的提升，高dv/dt带来的电磁干扰与绝缘挑战日益突出。本文提出的创新栅极驱动技术，有助于优化SiC模块的开关特性，降低开关损耗，并提升系统在高压工况下的可靠性。建议研发团队关注该驱动...
基于10kV SiC MOSFET的固态变压器三相有源前端变换器系统
A Three-Phase Active-Front-End Converter System Enabled by 10-kV SiC MOSFETs Aimed at a Solid-State Transformer Application
Anup Anurag · Sayan Acharya · Nithin Kolli · Subhashish Bhattacharya 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年5月
本文探讨了高压碳化硅（SiC）器件在固态变压器中的应用。通过使用10kV SiC MOSFET，可省去复杂的多电平级联结构，简化三相两电平电压源变换器系统，从而提升系统的可靠性与控制简便性。
解读: 该技术对阳光电源的集中式逆变器及大型储能系统（如PowerTitan系列）具有重要参考价值。10kV SiC器件的应用有望简化高压侧变换器拓扑，减少级联模块数量，从而降低系统复杂度和故障率，提升功率密度。建议研发团队关注超高压SiC器件的封装散热及驱动保护技术，探索其在兆瓦级光储系统中的应用潜力，以...