找到 2 条结果
一种用于大电流低电压牵引逆变器应用的并联封装高性能氮化镓功率模块
A High-Performance GaN Power Module With Parallel Packaging for High-Current and Low-Voltage Traction Inverter Applications
Manh Tuan Tran · Dai Duong Tran · Kritika Deepak · Gamze Egin Martin 等6人 · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2024年10月
氮化镓(GaN)功率半导体被视为下一代高功率牵引逆变器的有前景替代方案,适用于高低压应用场景。为满足数百安培峰值电流需求,并联多个GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)芯片成为提升功率容量与降低损耗的关键设计路径。然而,并联封装结构在动态与静态电流均衡、抗高dv/dt与di/dt干扰能力、栅极驱动可靠性及热管理等方面面临挑战。本文提出一种紧凑型100 V/360 A GaN功率模块,专为绝缘金属基板(IMS)或直接键合铜(DBC)封装设计,具备优异的电气性能、散热能力、低机械应力及成本优势。通过4...
解读: 该GaN并联封装技术对阳光电源低压大电流产品线具有重要应用价值。针对48V储能系统、车载OBC充电机及充电桩等低压大电流场景,文章提出的100V/360A模块设计可直接应用于ST系列储能变流器的DC-DC变换级和新能源汽车产品。其IMS/DBC封装方案解决了并联GaN器件的电流均衡与热管理难题,相比...
基于柔性PCB与DPC封装的超低寄生电感GaN功率模块
A Flexible-PCB on DPC GaN Power Module With Ultralow Parasitic Inductance
Hang Kong · Lixin Jia · Laili Wang · Yilong Yao 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年12月
氮化镓(GaN)功率器件凭借其超高的开关速度和低导通电阻,极大地推动了电力电子变换器向高频、高功率密度方向发展。然而,封装寄生参数会限制其开关速度。为充分发挥 GaN 功率器件的优异特性,本文首先全面分析了寄生参数对其开关瞬态过程的影响,以指导其封装设计。基于此分析,提出了一种基于直接镀铜(DPC)陶瓷基板的高集成柔性印刷电路板(flex - PCB)GaN 半桥功率模块。将 GaN 裸芯片夹在 flex - PCB 和 DPC 之间,驱动电路和去耦电容置于 flex - PCB 顶面。超薄的 ...
解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项基于柔性PCB与DPC陶瓷基板混合封装的GaN功率模块技术具有重要的战略价值。该技术通过创新的三明治结构和混合回路布局,将功率回路寄生电感降至71 pH,这对我们在光伏逆变器和储能变流器领域追求更高功率密度和效率提升具有直接意义。 在光伏逆变器应用中,该技术可支持5 ...