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电动汽车驱动 多电平 ★ 5.0

一种基于电流互感器的同步功率与数据传输辅助电源,适用于模块化中压变换器系统

A Current-transformer-based Auxiliary Power Supply Featuring Synchronous Power and Data Transfer for Modular Medium-Voltage Converter Systems

Lupeng Tong · Yu Chen · Gengzhe Zheng · Yong Kang · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2025年7月

针对模块化中压变换器对高隔离度与可扩展性的要求,其辅助电源设计面临挑战。传统内部供电方案受限于高降压比与宽输入电压范围问题,本文提出一种基于集中式电流互感器(CT)的辅助电源(CT-APS)。利用单匝CT作为隔离元件,为所有子模块提供高度隔离的供电。结合CT-APS的共用交流母线结构,采用幅移键控(ASK)实现同步功率与数据传输,并应用于模块化多电平变换器(MMC)样机,实现电容电压平衡控制与故障旁路信号的广播。仿真与实验验证了该CT-APS方案的可行性。

解读: 该CT-APS技术对阳光电源ST系列储能变流器及PowerTitan大型储能系统具有重要应用价值。当前阳光电源模块化多电平储能变流器面临子模块辅助电源设计挑战,传统方案存在高降压比与宽输入范围难题。该文提出的集中式电流互感器方案可为数百个级联子模块提供高隔离度供电,显著简化辅助电源架构。其创新的AS...

储能系统技术 储能系统 GaN器件 ★ 4.0

p型GaN高电子迁移率晶体管中关态应力诱导非均匀捕获现象的研究

Investigation of Off-State Stress-Induced Nonuniform Trapping Phenomenon in p-Type GaN High Electron Mobility Transistors (HEMTs)

Chung-Wei Wu · Po-Hsun Chen · Ming-Chen Chen · Yu-Hsuan Yeh 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年6月

本研究探讨了 p 型氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)在关态应力(OSS)下的非均匀电子俘获行为。亚阈值摆幅(SS)退化是由电子非均匀俘获到 AlGaN 层所诱导的穿通电流引起的。进行了技术计算机辅助设计(TCAD)仿真,以重现器件在关态应力下的电场分布以及沿沟道的电势分布。仿真结果表明,在漏极侧的栅极/p - GaN/AlGaN 叠层处存在强电场。相应地,p - GaN 层中会产生一个耗尽区,导致电子在漏极侧的 AlGaN 层中被俘获。随后,提出了一个物理模型来解释这种俘获机制。此...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项关于p-GaN HEMT器件非均匀电子陷阱效应的研究具有重要的战略意义。GaN功率器件凭借其高频开关、低导通损耗和高温特性,已成为我们新一代光伏逆变器和储能变流器的核心技术方向,直接影响系统效率和可靠性指标。 该研究深入揭示了p-GaN HEMT在关断状态应力下的退化...

储能系统技术 储能系统 GaN器件 ★ 4.0

p-GaN HEMT在关态应力后恢复过程中阈值电压不稳定性的研究

Study of Vₜₕ Instability During Recovery After Off-State Stress in p-GaN HEMT

Yi-Huang Chen · Sheng-Yao Chou · Ming-Chen Chen · Ting-Chang Chang 等6人 · IEEE Electron Device Letters · 2025年10月

本研究对 p - GaN 栅极 AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管(HEMT)在关态应力(OSS)下的阈值电压( ${\mathrm{V}}_{\mathbf {\text {th}}}$ )不稳定性进行了研究。在应力施加过程中, ${\mathrm{V}}_{\mathbf {\text {th}}}$ 呈现出轻微的正漂移;然而,在恢复阶段的前 5 秒内会出现更明显的正漂移。同时,还分析了关态应力下栅极泄漏电流( ${\mathrm{I}}_{\mathbf {\text {g}}}$ )...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项关于p-GaN HEMT器件阈值电压稳定性的研究具有重要的战略意义。GaN基功率器件因其高频、高效、高功率密度特性,正成为下一代光伏逆变器和储能变流器的核心技术方向,直接关系到我们产品的转换效率、功率密度和系统可靠性提升。 该研究揭示了p-GaN HEMT在关断应力下...

储能系统技术 储能系统 ★ 5.0

由杂散微波能量驱动的智能超构器件:一种屏蔽外部干扰与探测的绿色方法

Smart meta-device powered by stray microwave energies: A green approach to shielding external interference and detection

Yong Jin Zhou · Xiong Bin Wua · Xiao Dong Caia · Hong Xin Xua 等8人 · Applied Energy · 2025年1月 · Vol.378

摘要 保护敏感电子设备免受外部杂散微波的干扰对于多种实际应用至关重要。当前的屏蔽装置,如滤波器和频率选择表面,由于其机制依赖于通过频率选择响应滤除带外信号,因此对带内频率的有害信号仍然脆弱。本研究提出一种由杂散微波能量驱动的智能超构器件,能够在无需外部电源或人工干预的情况下,自主屏蔽外部干扰与探测。该类超构器件集成了可重构的超原子阵列以及感知-供能模块,构成一个感知-供能-反馈闭环系统,从而实现对高功率微波的实时感知,并自动从高透射状态切换至屏蔽或吸收外部有害微波能量的状态。本文研制并表征了一个...

解读: 该自供能电磁屏蔽技术对阳光电源储能系统和充电桩产品具有重要应用价值。ST系列PCS和PowerTitan储能系统在高压变流环节面临电磁干扰风险,该技术可利用杂散微波能量自主实现智能屏蔽,无需外部供电,契合储能系统免维护需求。对于大功率充电站密集部署场景,可保护敏感控制电路免受高功率微波干扰,提升系统...

储能系统技术 储能系统 多物理场耦合 ★ 4.0

量化气电系统故障传播速度:一种半隐式仿真方法

Quantify Gas-to-Power Fault Propagation Speed: A Semi-Implicit Simulation Approach

Ruizhi Yu · Suhan Zhang · Yong Sun · Wei Gu 等6人 · IEEE Transactions on Power Systems · 2025年5月

现代清洁能源电力系统高度依赖天然气的安全供应,易受管道破裂与泄漏故障引发的气体扰动影响。本文首次基于仿真研究此类故障在气-电耦合系统中的跨系统传播速度。建立了故障的微分代数方程模型,结合特征线法确定故障处边界条件;采用基于刚性精确Rosenbrock格式的半隐式方法进行故障后仿真,兼具隐式稳定性与显式计算效率;并提出基于连续Runge-Kutta法的关键时刻定位策略以精确捕捉动态事件。案例验证了该方法在精度与效率上的优势,揭示了故障位置与管道摩擦对传播速度的影响,以及气-电双向耦合可能引发的连锁...

解读: 该气-电故障传播速度量化技术对阳光电源PowerTitan大型储能系统与微电网解决方案具有重要应用价值。在燃气-光伏-储能混合能源系统中,ST系列储能变流器需应对燃气机组故障引发的快速功率波动。研究提出的半隐式仿真方法可集成至iSolarCloud智能运维平台,实现毫秒级故障传播预测,为储能系统GF...

储能系统技术 储能系统 SiC器件 ★ 5.0

铪基铁电材料在先进计算中的研究进展

A review of hafnium-based ferroelectrics for advanced computing

Xiangdong Xu · Zhongzhong Luo · Huabin Sun · Yong Xu 等6人 · Solid-State Electronics · 2025年4月 · Vol.225

摘要 在以数据为中心的计算时代,数据量预计将呈指数级增长。传统计算机中存储单元与处理单元的物理分离导致在数据计算和存储过程中存在大量不必要的能量损耗和时间延迟。基于铁电材料的器件具有数据存储与计算一体化的优势。然而,由于传统铁电材料(如钙钛矿类材料)与互补金属氧化物半导体(CMOS)技术不兼容且可扩展性较差,限制了其在先进计算领域的研究进展。近年来,对基于铪(Hf)的铁电材料的研究与创新重新激发了该领域的兴趣。铪基铁电材料固有的CMOS兼容性、高矫顽场强(Ec)以及高能带间隙使其器件非常适合用于...

解读: 铪基铁电材料的CMOS兼容性、高能隙和多态存储特性,为阳光电源储能系统PCS控制器和iSolarCloud平台的边缘计算单元提供了创新方向。其负电容效应可优化SiC/GaN功率器件的栅极驱动电路,降低开关损耗;神经形态计算能力可增强ST系列储能变流器的实时负荷预测和VSG自适应控制算法;非易失性存储...

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