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基于栅极雪崩阈值电压的高精度IGCT结温监测新方法
Novel IGCT Junction Temperature Monitoring Method With High Precision Based on Gate Avalanche Threshold Voltage
Han Wang · Chunpin Ren · Jiapeng Liu · Zhengyu Chen 等13人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年4月
针对集成门极换流晶闸管(IGCT)的可靠性,本文提出了一种基于栅极雪崩阈值电压的结温监测新方法。传统温度敏感电参数(TSEP)方法因灵敏度低(<2 mV/K),精度仅达±5 K。该方法通过利用栅极雪崩特性,显著提升了结温监测的精度,为高功率电力电子器件的实时热状态监控提供了有效方案。
解读: IGCT主要应用于超大功率电力电子领域,如中高压大功率变流器。虽然阳光电源目前的主流产品(组串式/集中式逆变器、储能PCS)多采用IGBT或SiC模块,但该研究提出的高精度结温监测方法对于提升大功率电力电子设备的可靠性具有借鉴意义。建议研发团队关注该TSEP方法在IGBT模块上的迁移应用,通过提升功...
基于动态dv/dt开关模型的GaN HEMT最小开关损耗三段式有源驱动策略
Minimal Switching Loss Three-Stage Active Gate Driving Strategy Based on Dynamic dv/dt Switching Model for GaN HEMT
Shuo Zhang · Chang Liu · Xinyu Li · Desheng Zhang 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年3月
GaN HEMT的高速开关特性带来了高dv/dt和严重的电磁干扰(EMI)问题,需在开关速度与损耗间权衡。三段式栅极驱动(TSGD)虽能缓解此矛盾,但受限于非线性寄生电容,难以实现最优开关损耗。本文提出了一种基于动态dv/dt模型的优化策略,以实现GaN器件在最小开关损耗下的高效驱动。
解读: GaN等宽禁带半导体是提升阳光电源户用光伏逆变器及小型化储能产品功率密度的关键。该研究提出的三段式有源驱动策略,能够有效平衡GaN器件的高频开关损耗与EMI干扰,对于优化阳光电源户用逆变器(如SG系列)及微型逆变器的效率和电磁兼容性设计具有重要参考价值。建议研发团队关注该动态dv/dt模型在功率模块...
一种具有改进桥臂利用率的单/三相兼容PFC整流器控制方案
A Control Scheme for a Combo 1-Ph/3-Ph PFC Rectifier With Improved Leg Utilizations
Helong Li · Ziheng Yuan · Zhiqing Yang · Peng Chen 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年12月
本文提出了一种用于电动汽车车载充电器的单/三相兼容PFC整流器控制方案。通过在单相模式下利用电容桥臂分担一半的回流电流,实现了桥臂利用率的提升与电流应力的平衡,从而优化了系统性能。
解读: 该研究提出的单/三相兼容PFC控制方案对于阳光电源的电动汽车充电桩业务具有重要参考价值。随着全球充电基础设施对多制式兼容性要求的提高,该方案通过优化桥臂利用率和电流应力,有助于提升充电模块的功率密度并降低成本。建议研发团队关注该拓扑在模块化充电桩中的应用,通过改进控制算法提升系统在不同电网环境下的适...
即插即用控制在大规模互联系统中的研究综述
Plug-and-Play Control for Large-Scale Interconnected Systems: A Survey
Chen Peng · Qing-Long Han · Xiao-Hui Hu · IEEE Transactions on Industrial Informatics · 2025年11月 · Vol.22
本文综述了面向大规模互联系统的可扩展控制技术进展,涵盖建模分类、分布式控制器设计、动态拓扑适配等核心问题,重点解决插拔操作下的全局稳定性与局部自适应协调。
解读: 该文提出的即插即用(PnP)控制框架对阳光电源PowerTitan、PowerStack等模块化储能系统及光储融合电站的动态扩容、故障单元热替换和多站协同调度具有直接指导价值。尤其在构网型(GFM)PCS集群控制、ST系列PCS的无缝并离网切换、以及iSolarCloud平台实现跨场站协同优化中,可...
构网型变流器多模态低频振荡互阻尼排斥机制研究
Research on the Mutual Damping Repulsion Mechanism of Multi-Modal Low-Frequency Oscillations in Grid-Forming Converter
Letian Wang · Shiyun Xu · Huadong Sun · Jingtian Bi 等5人 · IEEE Transactions on Power Systems · 2025年7月 · Vol.41
本文揭示了构网型变流器中同步环与直流电压环耦合引发的多模态低频振荡互阻尼排斥机理,指出虚拟阻尼提升同步环稳定性可能恶化直流环振荡,该现象通过阻尼转矩法、特征值及时域仿真验证。
解读: 该研究直接关联阳光电源ST系列PCS、PowerTitan及新一代构网型光储一体机在弱电网/孤岛场景下的稳定运行。VSG参数耦合引发的互斥失稳风险,影响PowerStack在新能源高渗透配网中的黑启动与调频性能。建议在iSolarCloud平台中嵌入多模态阻尼协同整定模块,并在ST-3125/340...
构网型变流器中多模态低频振荡的相互阻尼排斥机制研究
Research on the Mutual Damping Repulsion Mechanism of Multi-Modal Low-Frequency Oscillations in Grid-Forming Converter
Letian Wang · Shiyun Xu · Huadong Sun · Jingtian Bi 等5人 · IEEE Transactions on Power Systems · 2025年7月
虚拟同步发电机(VSG)控制的电网形成型变流器(GFM)的同步环(SC)与直流电压控制环(DVC)之间的耦合容易引发多模态低频振荡(LFO)。这些多模态振荡包括以SC为主导的低频振荡(SC - LFO)和以DVC为主导的低频振荡(DVC - LFO)。本文研究了多模态低频振荡的互阻尼排斥效应,并通过频域中的阻尼转矩法揭示了此类现象背后的机理。理论分析发现,随着SC和DVC的自阻尼水平提高,它们会相互施加逐渐增大的负阻尼转矩。这种相互作用导致在调节SC或DVC动态特性时,SC - LFO和DVC ...
解读: 该多模态低频振荡阻尼排斥机制研究对阳光电源ST系列储能变流器和PowerTitan大型储能系统具有重要应用价值。针对VSG控制的GFM变流器,研究揭示的同步控制环路与直流电压控制环路动态耦合机理,可直接指导ST系列产品优化控制参数设计,抑制弱电网并网时的多模态振荡风险。通过阻抗模型与状态空间建模结合...
基于传输窗口调制的磁场能量收集与电源管理
Magnetic Field Energy Harvesting and Power Management With Transfer Window Modulation
Hongfei Xiao · Han Peng · Yidong Zhao · Liwen Hou · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年1月
摘要:磁场能量采集器(MEH)被广泛用于为电力系统中的无线监测设备供电。实践证明,对MEH进行短路以移动能量传输窗口可有效提高采集功率。然而,短路阶段的励磁电流损耗通常被忽略,这使得最大功率采集依赖于近似计算和经验设计。此外,目前尚未开发出实用的功率管理系统。本文提出了一种基于传输窗口调制(TWM)的新型MEH功率管理系统。在考虑励磁电流损耗的情况下,对MEH的输出特性进行了分析。这有助于更准确地估计传输窗口,并可通过数值计算来设计最优传输窗口。此外,提出了一种TWM方法,通过调制传输窗口的长度...
解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项磁场能量收集与传输窗口调制技术具有重要的应用价值。在我们的光伏逆变器、储能系统及电动汽车充电设施中,大量分布式监测节点需要可靠供电,而传统有线供电或电池更换方案存在维护成本高、可靠性受限等问题。该技术通过优化磁场能量采集效率,可为电力系统中的无线监测设备提供自供电解决方...
基于分布式控制的减小开关数量模块化多电平串并联电池储能系统
Reduced-Switch-Count Modular Multilevel Series Parallel Converter Based Battery Energy Storage System with Distributed Control
Rishab Anand · Peng Han · Alex Q. Huang · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2025年12月
本文提出了一种新型低开关数的模块化多电平串并联变换器子模块拓扑结构。现有拓扑在分布式控制下因载波偏移或参考信号不匹配,易产生导致直流源短路的无效开关状态,迫使采用非常规设计。所提拓扑避免了此类异常电流通路,使传统分布式控制方法可自然扩展至具并联能力的变换器。该拓扑采用多载波PWM策略,在串联模式下不增加导电路径开关数量,并兼容H桥结构。实验基于4 kWh、五子模块样机在120 V电网中验证了独立与并网运行的有效性,证明了其可行性与控制方案的正确性。降低的开关数量与分布式控制有望推动该类变换器的广...
解读: 该减小开关数量的模块化多电平串并联拓扑对阳光电源ST系列储能变流器和PowerTitan大型储能系统具有重要应用价值。核心优势在于:1)降低开关器件数量可直接减少功率模块成本和损耗,提升ST储能变流器的经济性和效率;2)分布式控制架构避免异常短路通路,增强系统可靠性,适配PowerTitan的模块化...
基于物理信息注意力残差网络的电池智能温度预警模型
Battery intelligent temperature warning model with physically-informed attention residual networks
Xue Ke · Lei Wang · Jun Wang · Anyang Wang 等12人 · Applied Energy · 2025年6月 · Vol.388
摘要 电动汽车的快速发展对锂离子电池的热安全管理提出了更高要求。传统的物理模型需要大量离线参数辨识,在计算效率与模型保真度之间难以平衡;而数据驱动方法虽然精度较高,但缺乏可解释性,且在不同工况下需要大量数据支持。为应对上述挑战,本文提出了一种物理信息引导的注意力残差网络(Physics-Informed Attention Residual Network, PIARN),该模型将改进的非线性双电容模型与热集总模型嵌入到物理引导的循环神经网络框架中,从而提升了模型的可解释性与泛化能力。所设计的残...
解读: 该物理信息引导的电池温度预警技术对阳光电源储能系统具有重要价值。PIARN模型结合物理模型与深度学习,可集成至ST系列PCS和PowerTitan储能系统的BMS热管理模块,实现0.1°C精度的在线温度预测和近100%准确率的热预警。其轻量化物理模型与残差网络架构适合边缘计算部署,可通过iSolar...
基于微电网群租赁共享储能的主动配电网三层Stackelberg博弈调度
Trilayer Stackelberg Game Scheduling of Active Distribution Network Based on Microgrid Group Leasing Shared Energy Storage
Jinpeng Qiao · Yang Mi · Siyuan Ma · Yunhao Han 等5人 · Applied Energy · 2025年3月 · Vol.382
摘要——本文提出一种基于微电网群租赁共享储能的主动配电网三层Stackelberg博弈(SG)调度策略。在上层,配电系统运营商作为领导者,综合考虑中层和下层的电力需求来确定交易价格,从而实现主动配电网的安全运行以及削峰填谷。在中层,共享储能运营商既可作为领导者制定租赁价格,也可作为跟随者响应交易价格,以保证共享储能系统的可靠充放电与高效利用。在下层,微电网联盟作为跟随者制定租赁容量并响应交易价格,从而确保电力平衡及可再生能源的就地消纳。此外,为有效求解该三层SG模型,采用多步逆向归纳法证明了均衡...
解读: 该三层博弈调度策略对阳光电源ST系列储能变流器和PowerTitan系统具有重要应用价值。通过配网运营商-共享储能-微网群的分层博弈机制,可优化ST-PCS的充放电策略,提升储能利用率。分布式嵌套迭代算法可集成至iSolarCloud平台,实现多微网协同调度和削峰填谷。该模型为阳光电源开发共享储能租...
基于帽层设计的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管电学性能研究
Study on electrical performance of AlGaN/GaN high electron mobility transistor based on cap layer design
Tieying Zhang · Peng Cui · Xin Luo · Siheng Chen 等11人 · Solid-State Electronics · 2025年2月 · Vol.224
摘要 本研究探讨了不同帽层对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMTs)电学特性的影响。通过对比制备的具有GaN和AlN帽层的AlGaN/GaN HEMTs,发现AlN帽层由于其优异的钝化效果和极化效应,能够提高二维电子气(2DEG)密度,从而获得更高的饱和电流,并使击穿电压从615 V(GaN帽层)提升至895 V(AlN帽层)。Sentaurus TCAD仿真结果验证了上述实验发现,表明AlN帽层器件中形成了更深的三角形量子势阱,导致2DEG电子密度达到1.19 × 10^13 cm^...
解读: 该AlN帽层GaN HEMT技术对阳光电源功率器件应用具有重要价值。研究显示AlN帽层可将击穿电压提升至895V,梯度帽层结构更达1308V,2DEG密度提升28%。这为我司SG系列光伏逆变器、ST储能PCS及充电桩的GaN功率模块设计提供优化方向:通过改进帽层结构可提升器件耐压等级和导通性能,支持...
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