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储能系统技术 储能系统 深度学习 ★ 4.0

基于神经网络的LCC-HVDC系统准稳态动态增强模型

Dynamics Enhanced Quasi-Steady-State Model of LCC-HVDC Systems Based on Neural Network

Ke Yang · Xin Wang · Quan Zhang · Guangchao Geng 等5人 · IEEE Transactions on Power Delivery · 2025年5月

现有LCC-HVDC系统时域仿真在精度与效率之间存在权衡。电磁暂态模型虽精确但计算成本高,准稳态模型高效却难以准确描述换相过程,尤其在不对称故障下表现不足。本文提出一种基于神经网络的准稳态模型(NN-QSS),可精确刻画LCC-HVDC动态特性,有效识别换相失败,并适用于不平衡故障场景。通过改进的IEEE 39节点系统、中国某省级实际电网及CIGRE标准系统硬件在环验证表明,该模型在准稳态尺度下动态响应接近电磁暂态模型,换相失败识别准确率较现有方法提升18.8%。

解读: 该神经网络增强的LCC-HVDC准稳态建模技术对阳光电源大型储能系统和光伏并网产品具有重要应用价值。在PowerTitan储能系统中,可借鉴NN-QSS方法建立储能变流器快速仿真模型,实现电网故障下的换相失败预测与主动保护,提升ST系列储能变流器在不对称故障工况下的低电压穿越能力。该技术将准稳态建模...

电动汽车驱动 宽禁带半导体 多电平 ★ 5.0

低开关频率下电机驱动的预测电流控制

Predictive Current Control in Motor Drives Operating at Steady Low Switching Frequency

Xin Qi · Jiashi Ren · Yi Deng · Joachim Holtz 等6人 · IEEE Transactions on Industrial Electronics · 2024年12月

尽管多电平逆变器和宽带隙开关取得了进展,但让高功率逆变器在低开关频率下运行以降低开关损耗仍然非常有益,开关损耗对于提高系统效率和延长系统寿命至关重要。关于在低开关频率下控制电力驱动的问题已经开展了大量研究,尤其是预测方法提供了非常好的解决方案。本文探讨了一种经典的预测电流控制方法,即边界圆预测方案,并提出了改进措施,使开关频率接近预定水平。这通过控制边界电路的半径来实现。在从边界圆与开关频率之间的非线性相互作用中推导出线性关系后,所提出的方案动态调整边界圆,使逆变器运行接近预设的低频,从而在最大...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项预测电流控制技术对我们在大功率光伏逆变器和储能变流器领域具有重要的应用价值。当前我们的MW级集中式逆变器和储能PCS系统面临着功率密度提升与开关损耗控制的矛盾,该技术通过边界圆预测控制方案在低开关频率下实现精确电流控制,为解决这一核心问题提供了新思路。 技术价值方面,...

储能系统技术 储能系统 SiC器件 微电网 ★ 5.0

基于矩阵编码的主级虚假数据注入攻击影响缓解方法

Matrix Coding Enabled Impact Mitigation Against Primary False Data Injection Attacks in Cyber-Physical Microgrids

Mengxiang Liu · Xin Zhang · Chengcheng Zhao · Ruilong Deng · IEEE Transactions on Power Systems · 2025年1月

针对网络物理微电网中主级虚假数据注入攻击(PFDIA)的影响缓解问题,提出一种高效轻量的防御方案。该方法通过可逆编码矩阵对传输测量值进行交替编码,并在检测到攻击后触发两个半下采样未知输入观测器,利用编码与未编码数据的残差递推重构完整偏差向量,进而消除恶意影响。通过优化编码矩阵,在保证重构稳定性与隐蔽性的同时抑制系统噪声对精度的影响。实验验证了该方案的有效性、鲁棒性与低开销特性。

解读: 该矩阵编码防御技术对阳光电源PowerTitan储能系统及ST系列储能变流器的网络安全防护具有重要应用价值。在大型储能电站中,iSolarCloud云平台需实时采集海量测量数据(电压、电流、SOC等),易遭受FDIA攻击导致BMS误判或功率调度失控。该方案的轻量级编码机制可集成至储能PCS通信模块,...

储能系统技术 储能系统 ★ 5.0

基于深度Q网络并考虑充放电次数的电池储能系统控制策略

Deep Q-network based battery energy storage system control strategy with charging/discharging times considered

Jun Cai · Maowen Fua · Ying Yana · Zhong Chenb 等5人 · Applied Energy · 2025年1月 · Vol.398

摘要 电池储能系统(BESS)在维持用户侧电力供需平衡中发挥着关键作用。本文提出了一种基于深度Q网络(DQN)算法的BESS能量管理系统(EMS),该系统充分考虑了电池的充放电次数限制。首先,建立了EMS的数学模型;随后,将EMS的最优决策过程建模为马尔可夫决策过程(MDP),并在此基础上设计了相应的MDP公式与DQN算法,以根据负荷情况制定合理的充放电调度计划。最后,基于中国贵州省遵义市某线路的实际负荷数据开展了实验研究。测试结果表明,本研究所提出的优化方法可将电网功率波动的最大方差降低至原始...

解读: 该DQN深度强化学习储能控制策略对阳光电源ST系列PCS及PowerTitan储能系统具有重要应用价值。通过MDP建模优化充放电决策,可将电网波动方差降至49%,充放电次数减少50-67%,显著延缓电池老化。该算法可集成至iSolarCloud平台,结合阳光电源三电平拓扑和GFM控制技术,提升用户侧...

储能系统技术 电池管理系统BMS 故障诊断 ★ 5.0

基于累积概率分布的锂离子电池组快速准确故障诊断方法

A Rapid-Accurate Fault Diagnosis Method Based on Cumulative Probability Distribution for Lithium-Ion Battery Packs

Zhen Zhang · Xin Gu · Ziheng Mao · Jinglun Li 等6人 · IEEE Transactions on Industrial Electronics · 2024年10月

作为电池管理系统中的一项关键技术,故障诊断方法的迭代创新与发展正受到越来越多的关注。然而,早期故障相关的异常特征并不明显,通过传统诊断技术难以识别。为此,本文提出了一种基于累积概率分布(CPD)的锂离子电池组快速准确故障诊断方法。CPD算法可将电池电压序列转换为非时间序列。基于CPD算法设计了两种故障诊断子方法,包括以长期电压数据为输入的快速预检测方法A和以短期电压数据为输入的准确诊断方法B。此后,这些提出的方法在诊断效率和准确性之间取得了平衡。实验结果表明,所提出的方法能够检测电池早期故障并估...

解读: 从阳光电源储能系统业务视角来看,这项基于累积概率分布的锂电池故障诊断技术具有重要的工程应用价值。当前储能系统的安全性和可靠性是制约行业发展的关键瓶颈,而该技术通过将电池电压序列转换为非时间序列的创新方法,实现了早期故障的快速准确识别,这与我们在大规模储能电站运维中的实际需求高度契合。 该方法的双重...

电动汽车驱动 强化学习 ★ 5.0

基于混合注意力深度强化学习的健康感知集成热管理策略

Health-Conscious Integrated Thermal Management Strategy Using Hybrid Attention Deep Reinforcement Learning for Battery Electric Vehicles

Changcheng Wu · Jiankun Peng · Dawei Pi · Xin Guo 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年6月

有效的热管理策略(TMS)可以延长纯电动汽车(BEV)的续航里程,并在高温环境下提高车内热舒适性。考虑到集成热管理系统(ITMS)的发展趋势以及动力电池在纯电动汽车中的关键作用,本文建立了一个嵌入电池健康意识的集成热管理系统模型。为进一步挖掘所提出的集成热管理系统的温度控制和节能潜力,采用双延迟深度确定性策略梯度算法(TD3)设计了一种学习型热管理策略。鉴于集成热管理系统内复杂的状态信息,引入了一种混合注意力机制对原始TD3算法进行优化,使TD3智能体能够辨别各种状态信息的相对重要性,从而提高其...

解读: 从阳光电源的业务布局来看,这项基于混合注意力深度强化学习的电动汽车热管理技术具有显著的战略价值。该研究将电池健康意识嵌入集成热管理系统,通过TD3算法实现了电池健康退化降低22.50%、能量损失减少35.33%的效果,这与我司在储能系统和电动汽车动力解决方案领域的核心诉求高度契合。 从技术迁移角度...

电动汽车驱动 SiC器件 GaN器件 ★ 4.0

耐受1.27 GW/cm²反向阻断的E型GaN-Si(100)单片异质集成级联开关

1.27 GW/cm² Reverse Blocking E-Mode GaN-Si(100) Monolithic Heterogeneous Integration Cascode Switch With Ultralow Turn-On Voltage and Dynamic RON

Yutong Fan · Weihang Zhang · Yachao Zhang · Yinhe Wu 等6人 · IEEE Electron Device Letters · 2025年2月

在本文中,展示了一种在具有氮化铝(AlN)缓冲层的碳化硅(SiC)衬底上实现的具有反向阻断兼容性的增强型(E - Mode)氮化镓 - 硅(GaN - Si(100))单片异质集成共源共栅开关(RBMHIC - 开关)。栅漏间距(LGD)小于 22 微米的 RBMHIC - 开关的阈值电压(VTH)为 2.64 V,正向栅极电压摆幅达 16.27 V,导通电压(VON)为 0.3 V,在 - 2000 V 时反向漏电流(IR)极低,仅为 3.5×10⁻⁴ mA/mm。该开关实现了 2264 V ...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项GaN-Si异质集成反向阻断开关技术具有显著的战略价值。该器件实现了1.27 GW/cm²的功率品质因数,这一指标直接关系到我们光伏逆变器和储能变流器的功率密度提升潜力。 该技术的核心优势在于三个方面与我们的产品需求高度契合:首先,2200V级的双向阻断能力配合极低的...

功率器件技术 SiC器件 ★ 5.0

基于拓扑可迁移网络的双有源桥变换器家族通用建模方法

A Generic Modeling Approach for Dual-Active-Bridge Converter Family via Topology Transferrable Networks

Xinze Li · Fanfan Lin · Changjiang Sun · Xin Zhang 等6人 · IEEE Transactions on Industrial Electronics · 2024年8月

新兴的电力变换器灰箱建模方法有效缓解了传统基于物理的白箱模型中存在的模型差异问题,同时为数据驱动的黑箱模型提供了一种数据需求少且可解释的替代方案。然而,现有灰箱建模方法仍面临一个重大挑战,即对域外拓扑结构的泛化能力较差。这一局限性使得在遇到新的拓扑结构时,需要重建或重新训练模型,从而阻碍了其广泛应用。针对这些挑战,本文提出了一种专门适用于双有源桥(DAB)变换器拓扑族的通用灰箱建模方法,该方法基于所提出的拓扑可迁移的架构内物理混合密度网络(T²PA - MDN)。作为核心部分,T²PA 网络对循...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项针对双有源桥(DAB)变换器族的通用灰盒建模技术具有重要的战略价值。DAB拓扑是我司储能系统、光储一体化方案以及电动汽车充电设备中的核心功率变换单元,该技术的拓扑迁移能力直接契合我们产品线多样化的现实需求。 该技术的核心创新在于T²PA-MDN网络架构,通过将电路物理...

光伏发电技术 ★ 5.0

界面钝化与能级调控工程增强Cs2TiBr6钙钛矿太阳能电池的载流子传输:第一性原理计算与SCAPS分析

Interface passivation and energy level tuning engineering to enhance carrier transport in Cs2TiBr6 perovskite solar cells: first-principles calculations and SCAPS analysis

Xin Zhang · Yaru Wangb · Guangze Niea · Zhenkun Suna 等6人 · Solar Energy · 2025年1月 · Vol.298

摘要 Cs2TiBr6钙钛矿由于其环境稳定性,被认为是钙钛矿太阳能电池(PSCs)领域中铅基材料的理想替代物。然而,其光电转换效率(PCE)仍然不足。改善载流子传输对于提升PSCs的光伏性能至关重要。本研究基于实验设计,构建了具有C60界面钝化层的能级偏移结构PSCs,并采用SCAPS-1D(太阳能电池电容模拟器)和第一性原理方法进行了系统研究。结果表明,CBTS/Cs2TiBr6能级偏移结构为载流子传输提供了有利路径,从而减少了器件内部光生电子与空穴的复合,提高了载流子分离效率。进一步从奈奎斯...

解读: 该Cs2TiBr6无铅钙钛矿电池研究对阳光电源SG系列光伏逆变器及未来组件集成具有前瞻价值。研究中的能级调控、界面钝化技术可启发我们在MPPT算法优化中考虑新型电池特性;27.78%的效率提升路径为高效光伏系统设计提供参考。C60界面层降低载流子复合的机制,与我们三电平拓扑中减少开关损耗理念相通。该...

功率器件技术 GaN器件 ★ 4.0

基于帽层设计的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管电学性能研究

Study on electrical performance of AlGaN/GaN high electron mobility transistor based on cap layer design

Tieying Zhang · Peng Cui · Xin Luo · Siheng Chen 等11人 · Solid-State Electronics · 2025年1月 · Vol.224

摘要 本研究探讨了不同帽层对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMTs)电学特性的影响。通过对比制备的具有GaN和AlN帽层的AlGaN/GaN HEMTs,发现AlN帽层由于其优异的钝化效果和极化效应,能够提高二维电子气(2DEG)密度,从而获得更高的饱和电流,并使击穿电压从615 V(GaN帽层)提升至895 V(AlN帽层)。Sentaurus TCAD仿真结果验证了上述实验发现,表明AlN帽层器件中形成了更深的三角形量子势阱,导致2DEG电子密度达到1.19 × 10^13 cm^...

解读: 该AlN帽层GaN HEMT技术对阳光电源功率器件应用具有重要价值。研究显示AlN帽层可将击穿电压提升至895V,梯度帽层结构更达1308V,2DEG密度提升28%。这为我司SG系列光伏逆变器、ST储能PCS及充电桩的GaN功率模块设计提供优化方向:通过改进帽层结构可提升器件耐压等级和导通性能,支持...

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