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功率器件技术 GaN器件 宽禁带半导体 PWM控制 ★ 4.0

一种基于改进型GaN HEMT开关模型的动态死区时间自适应调整方法

A High-Efficiency Dynamic Inverter Dead-Time Adjustment Method Based on an Improved GaN HEMTs Switching Model

Yi Zhang · Cai Chen · Yue Xie · Teng Liu 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年3月

得益于快速开关特性,氮化镓(GaN)HEMT被广泛应用于高频功率变换器。然而,GaN器件的关断时间与工作条件(如负载电流)高度相关,差异可达20倍以上。使用固定死区时间会导致效率降低或直通风险。本文提出了一种基于改进开关模型的动态死区时间调整方法,以提升变换器效率。

解读: 该技术对阳光电源的户用光伏逆变器及微型逆变器产品线具有重要价值。随着高频化趋势,GaN器件的应用能显著减小体积并提升功率密度。然而,GaN的死区敏感性是制约效率的关键瓶颈。通过引入动态死区调整算法,可有效降低开关损耗,提升整机效率,同时增强系统在高频运行下的可靠性。建议研发团队在下一代高功率密度户用...

功率器件技术 GaN器件 宽禁带半导体 DC-DC变换器 ★ 4.0

基于改进型GaN HEMT模型的GaN基TCM变换器死区时间能量损耗分析

Analysis of Dead-Time Energy Loss in GaN-Based TCM Converters With an Improved GaN HEMT Model

Yi Zhang · Wenzhe Xu · Yue Xie · Teng Liu 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年2月

针对GaN基三角电流模式(TCM)应用,死区时间对开关损耗影响显著。现有GaN HEMT模型多关注开关过程,缺乏对死区效应的充分考虑。本文分析了死区时间过长或不足下的开关瞬态特性,并提出改进模型以准确评估能量损耗。

解读: 随着阳光电源在户用光伏逆变器及小型储能PCS中对高功率密度和高效率的追求,GaN器件的应用日益广泛。TCM(三角电流模式)是实现高频软开关的关键技术,但死区时间控制直接影响效率上限。本文提出的改进型GaN模型有助于研发团队在设计高频DC-DC变换器时,更精确地优化死区参数,从而降低开关损耗,提升整机...

控制与算法 PFC整流 三相逆变器 并网逆变器 ★ 5.0

三相AC/DC变换器电压与电流测量中直流偏置和比例误差的补偿

Compensation of DC Offset and Scaling Errors in Voltage and Current Measurements of Three-Phase AC/DC Converters

Quoc Nam Trinh · Peng Wang · Yi Tang · Leong Hai Koh 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2018年6月

本文针对三相AC/DC变换器在电压和电流测量中存在的直流偏置及比例误差问题进行了研究。这些误差会导致输入电流中出现不期望的直流分量和不平衡电流,进而引起直流侧输出电压的纹波。论文提出了一种电流测量误差补偿方案,以提升变换器的控制精度与电能质量。

解读: 该技术对阳光电源的核心产品线(如组串式/集中式光伏逆变器、PowerTitan/PowerStack储能变流器及风电变流器)具有极高的应用价值。在高性能并网控制中,电流采样精度直接决定了并网电流的谐波含量及直流分量抑制能力。通过引入该补偿算法,可有效降低因传感器老化或温漂带来的测量误差,提升逆变器在...

功率器件技术 GaN器件 DC-DC变换器 功率模块 ★ 4.0

GaN与BCD技术的异构集成及其在高转换比DC-DC升压变换器IC中的应用

Heterogeneous Integration of GaN and BCD Technologies and Its Applications to High Conversion-Ratio DC–DC Boost Converter IC

Fanyi Meng · Don Disney · Bei Liu · Yildirim Baris Volkan 等11人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年3月

本文提出了一种将氮化镓(GaN)功率器件与硅基控制电路集成的创新技术。通过堆叠GaN功率晶体管与BCD(双极-CMOS-DMOS)电路,充分发挥了GaN器件高压低损耗与BCD电路高集成度的双重优势,为高转换比DC-DC变换器提供了新的设计方案。

解读: 该技术对阳光电源的组串式逆变器及户用储能系统具有重要参考价值。随着光伏和储能系统向高功率密度、小型化方向发展,GaN与BCD的异构集成能显著提升DC-DC变换级的效率并减小体积。建议研发团队关注该技术在户用光伏逆变器及微型逆变器功率级中的应用潜力,通过提升开关频率降低磁性元件体积,从而优化产品成本与...

储能系统技术 储能系统 PWM控制 SiC器件 ★ 5.0

高频无线电力传输技术特刊主编寄语

Guest Editorial Special Issue on High-Frequency Wireless Power Transfer Technology

Fei Lu · Grant Covic · Shu Yuen Ron Hui · Fernando Briz · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2025年8月

无线电力传输WPT技术在交通电气化、电网、消费电子、医疗和太空等众多新兴应用中日益关键。其非接触特性在脏污或超洁净、高温、水下、地下和外太空等恶劣环境条件下具有优势。当前WPT系统性能与开关频率、耦合度、初次级磁元件伏安需求和组件质量密切相关,这些是功率容量、功率密度和效率的关键决定因素。为提升WPT技术运行安全性和可靠性,抑制和消除高频磁场引起的电磁干扰EMI和电动势EMF问题至关重要。该特刊从74篇投稿中录用31篇,涵盖高频谐振变换器技术、高频电磁场约束与发射抑制、抗失调与传输距离增强、高频...

解读: 该高频WPT特刊对阳光电源无线充电技术发展有全面指导价值。特刊涵盖的多MHz IPT系统、SiC全桥逆变器和三相高频IPT系统与阳光新能源汽车OBC无线充电模块的技术路线一致。高频电磁场约束和EMI/EMF抑制技术为阳光无线充电产品满足安全标准提供了解决方案。抗失调和传输距离增强技术(圆柱螺线管耦合...

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