找到 336 条结果
基于通用低成本诊断电路的可重构双有源桥变换器多开关开路故障检测与隔离
Multiple Open-Circuit Fault Detection and Isolation Using Universal Low-Cost Diagnosis Circuits for Reconfigurable Dual-Active-Bridge Converters
Shahamat Shahzad Khan · Huiqing Wen · Haochen Shi · Yihua Hu 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年5月
针对功率电子器件在高压或大电流应力下易发生多开关开路故障（MOCFs）的问题，本文提出了一种可重构双有源桥（R-DAB）变换器。该方案通过引入低成本诊断电路，实现了快速、准确且鲁棒的故障检测与隔离，有效提升了变换器在复杂工况下的可靠性。
解读: DAB变换器是阳光电源储能系统（如PowerTitan、PowerStack系列）及直流耦合光储系统的核心拓扑。随着储能系统向高压化、高功率密度发展，功率器件的可靠性成为关键。本文提出的故障诊断与隔离技术，能够显著提升PCS在极端工况下的容错能力，降低运维成本。建议研发团队关注该“可重构”架构，将其...
大规模储能系统的无线充电：一种用于高效率的混合自组织方法
Wireless Charging of Large-Scale Energy Storage Systems: A Hybridized Ad-hoc Approach for High Efficiency
Pengcheng Zhang · Xinjie Yu · Xian Zhang · Qingxin Yang 等10人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年11月
本文提出了一种基于无线电能传输（WPT）的均衡器解决方案，旨在解决高压大规模储能系统在提升效率时面临的挑战。该方案采用高效的混合自组织无线充电器，在不对各电池单元施加高电流应力的前提下，实现级联储能模块的均衡。与多线圈方案不同，该方法通过优化架构提升了系统整体性能。
解读: 该技术探讨了无线电能传输在储能均衡中的应用，虽然目前阳光电源的PowerTitan和PowerStack等主流储能产品主要采用有线连接以保证高功率密度和可靠性，但该研究提出的“混合自组织均衡”思路对未来储能系统的模块化维护和安全性提升具有前瞻性参考价值。建议研发团队关注其在减少物理连接点、降低维护复...
一种结合开关电容技术的新型三绕组耦合电感高升压DC-DC变换器
A New Three-Winding Coupled Inductor High Step-Up DC–DC Converter Integrating With Switched-Capacitor Technique
Tao Jin · Xu Yan · Haibin Li · Jiaqi Lin 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年11月
本文提出了一种改进的准Z源高升压DC-DC变换器，适用于可再生能源应用。该拓扑通过耦合电感与开关电容技术的结合，实现了开关管的低电压应力、更宽的占空比控制范围、超高电压增益以及连续输入电流特性，有效提升了能量转换效率。
解读: 该高升压拓扑对阳光电源的组串式光伏逆变器（如SG系列）具有重要的参考价值。在光伏组件电压范围不断扩大的趋势下，该技术通过耦合电感实现超高增益，能够有效降低功率器件的电压应力，从而允许使用更低耐压等级的MOSFET或SiC器件，进一步提升整机效率并降低成本。建议研发团队评估该拓扑在提升组串式逆变器MP...
基于单磁芯与零电压转换
ZVT）操作的改进型高升压Z源DC-DC变换器
Behzad Poorali · Hamed Moradmand Jazi · Ehsan Adib · IEEE Transactions on Power Electronics · 2018年11月
本文提出了一种改进的高升压Z源DC-DC变换器，通过采用单磁芯耦合电感设计，有效降低了变换器的导通损耗及功率开关管的电流应力。该拓扑结构通过实现零电压转换（ZVT）操作，进一步提升了转换效率，并利用单磁芯设计降低了绕组电阻，优化了整体功率密度。
解读: 该技术在高升压DC-DC变换领域具有显著优势，对阳光电源的组串式光伏逆变器及户用光伏系统具有重要参考价值。通过采用单磁芯耦合电感和ZVT技术，可以有效提升逆变器前级升压电路的效率，减小体积，从而提升产品的功率密度。建议研发团队关注该拓扑在提升光伏组件输入电压范围及降低开关损耗方面的应用，特别是针对高...
一种用于并联谐振直流环节逆变器且辅助换相电路损耗最小的SVPWM方法
An SVPWM Method for Parallel Resonant DC-Link Inverter With the Smallest Loss in the Auxiliary Commutation Circuit
Enhui Chu · Yunjing Kang · Pinjia Zhang · Zhiyong Wang 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年1月
为降低并联谐振直流环节逆变器（PRDCLI）辅助换相电路（ACC）的运行频率、损耗及辅助开关的电流应力，本文提出了一种新型空间矢量脉宽调制（SVPWM）方法。该方法在实现软开关的前提下，将每个PWM周期内ACC的动作次数减少至一次，有效提升了系统效率。
解读: 该技术通过优化SVPWM调制策略，显著降低了谐振电路的开关损耗，这对阳光电源的组串式逆变器及大功率集中式逆变器具有重要参考价值。在追求更高功率密度和更高转换效率的背景下，该软开关技术可应用于下一代高频化逆变器设计，通过减少辅助电路动作次数，提升整机效率并降低散热压力。建议研发团队关注该调制策略在降低...
运行中SiC MOSFET键合线脱落事件的原位检测
In Situ Detection of Bond Wire Lift-Off Events in Operational SiC MOSFETs
Furkan Karakaya · Anuj Maheshwari · Arijit Banerjee · John S. Donnal 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年12月
键合线脱落是SiC MOSFET的主要失效机制之一。当键合线与源极间的焊接点断裂形成开路时，剩余键合线电流密度增加，产生热应力正反馈，导致器件快速失效。本文提出了一种在运行中检测该故障的方法，旨在通过早期预警提升功率模块的可靠性。
解读: 该技术对阳光电源的核心产品线（组串式/集中式光伏逆变器、PowerTitan/PowerStack储能系统）至关重要。随着SiC MOSFET在高性能功率模块中的广泛应用，键合线失效成为影响系统长期可靠性的关键瓶颈。该原位检测方法可集成至iSolarCloud智能运维平台，实现对逆变器及PCS内部功...
基于铜夹连接的多芯片SiC功率器件电-热-力性能研究
Investigation on the Electrical–Thermal–Mechanical Performance of Multichip SiC Power Device With Cu-Clip Interconnect
Ping Wu · Yi Fan · Xiaoyang Mei · Haoquan Qian 等5人 · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2025年2月
传统铝线键合封装存在寄生电感高和可靠性差等问题，制约了碳化硅（SiC）功率器件的发展。铜夹（Cu-clip）互连技术可改善散热性能，提升功率密度，但多芯片结构下的应力集中与电气性能问题仍具挑战。本文提出一种带卸荷槽的拱形铜夹（Arch-G）结构，相较于传统平面铜夹，应力降低39.1%；相比线键合器件，导通损耗更低，寄生电感减少32.6%。通过功率循环试验验证了其可靠性，为高性能Cu-clip功率器件设计提供了重要参考。
解读: 该Cu-clip互连技术对阳光电源功率器件封装升级具有重要价值。拱形卸荷槽设计可降低39.1%应力、减少32.6%寄生电感，直接适用于ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器的SiC模块优化。低寄生电感特性可提升开关速度、降低导通损耗，增强三电平拓扑效率；优异的热-力性能可提高PowerTitan大型...
通过镁掺杂工程平衡p-GaN栅极HEMT的阈值电压与导通电阻
Balancing Threshold Voltage and On-Resistance of p-GaN Gate HEMTs via Mg Doping Engineering
Zhanfei Han · Xiangdong Li · Jian Ji · Tao Zhang 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年8月
金属有机化学气相沉积（MOCVD）腔室中外延生长期间镁（Mg）的外扩散，给同时实现合适的阈值电压 ${V}_{\text {TH}}$ 和导通电阻 ${R}_{\text {ON}}$ 带来了重大挑战。在本研究中，通过在 p 型氮化镓（p - GaN）帽层和铝镓氮（AlGaN）势垒层之间插入厚度 ${t}_{\text {GaN}}$ 分别为 0 nm、5 nm、10 nm 的 GaN 层来调节 Mg 分布，我们发现：1）p - GaN 栅高电子迁移率晶体管（HEMT）的正向栅极泄漏电流与 ${...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项p-GaN栅极HEMT器件的Mg掺杂工程技术具有重要的战略价值。该研究通过在p-GaN帽层与AlGaN势垒层之间插入5nm GaN中间层，成功实现了阈值电压（2.25V）与导通电阻（9.04Ω·mm）的优化平衡，这直接契合了我们在光伏逆变器和储能变流器中对高性能功率器件...
基于不同钝化介质的p-GaN栅HEMT电流崩塌机制研究
Investigating the Current Collapse Mechanisms of p-GaN Gate HEMTs by Different Passivation Dielectrics
Xiangdong Li · Niels Posthuma · Benoit Bakeroot · Hu Liang 等9人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年5月
本文研究了不同钝化介质（AlON和SiN）对p-GaN栅HEMT在关断状态应力下动态导通电阻（Ron）退化的影响。研究发现，退化机制主要源于阈值电压（VTH）漂移和栅漏接入区的表面陷阱效应，并成功区分了两者影响。实验证明SiN钝化层下的表面陷阱效应显著。
解读: GaN器件作为下一代功率半导体，在阳光电源的高功率密度户用光伏逆变器及小型化充电桩产品中具有极高的应用潜力。本文深入探讨了不同钝化工艺对p-GaN栅HEMT可靠性（电流崩塌）的影响，为公司在选型宽禁带半导体器件及优化驱动电路设计时提供了关键的理论依据。建议研发团队在评估GaN功率模块时，重点关注钝化...
基于三相移与可变直流母线电压控制的双有源桥变换器电流应力优化策略
Current Stress Optimized Strategy for the Dual-Active-Bridge Converter With Triple-Phase-Shift and Variable DC-Link Voltage Control
Yipeng Yan · Quanming Luo · Ting Luo · Jia Li 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年6月
本文针对双有源桥（DAB）变换器，提出了一种结合三相移（TPS）控制与可变直流母线电压的优化策略。通过协同调节移相角与输入电压，有效降低了DAB变换器的电流应力，提升了在电动汽车充电及固态变压器等应用场景下的转换效率。
解读: 该研究直接服务于阳光电源的核心业务。在储能系统（如PowerTitan、PowerStack）及电动汽车充电桩产品中，DAB变换器是实现高效双向功率变换的关键拓扑。通过引入可变直流母线电压与TPS控制，可显著降低功率器件的电流应力，从而提升系统全功率范围内的转换效率，并降低散热设计难度。建议研发团队...
基于氟等离子体处理双极型SnO薄膜晶体管的高增益CMOS样反相器
High-Gain CMOS-Like Inverters Based on F-Plasma-Treated Ambipolar SnO Thin-Film Transistors
Zening Gao · Peng Dai · Ning Wang · Yiwen Yao 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年7月
尽管基于双极型薄膜晶体管（TFT）的类互补金属氧化物半导体（CMOS）反相器因其简化的制造工艺和高集成密度而备受关注，但实现高性能双极型TFT仍具有挑战性。在这项工作中，我们系统地研究了不同退火和钝化方案（包括无钝化退火（AWP）、钝化前退火（ABP）和钝化后退火（AAP）），以及使用二氧化硅（SiO₂）、氧化铝（Al₂O₃）和氧化铪（HfO₂）钝化层（PVL）对氧化锡（SnO）TFT性能的影响。其中，采用AAP - Al₂O₃工艺的器件表现出最平衡的p型和n型导电性能以及优异的负偏压应力（NB...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项基于氟等离子体处理的双极性SnO薄膜晶体管（TFT）技术呈现出显著的应用潜力，特别是在光伏逆变器和储能系统的控制电路优化方面。 该技术的核心价值在于通过简化的CMOS类逆变器架构实现了289倍的高电压增益，这对我们的产品线具有重要意义。在光伏逆变器的栅极驱动电路和信号...
三相三电平LC型谐振DC/DC变换器变频控制综合分析——串联谐振变换器
Comprehensive Analysis of Three-Phase Three-Level LC-Type Resonant DC/DC Converter With Variable Frequency Control—Series Resonant Converter
Fuxin Liu · Yue Chen · Xuling Chen · IEEE Transactions on Power Electronics · 2017年7月
三相三电平（TPTL）变换器是高压大功率DC/DC转换系统的理想选择。其三电平结构将主开关管的电压应力降低至输入电压的一半，三相配置则有效降低了功率器件的电流额定值。文章重点分析了该拓扑在变频控制下的软开关实现及效率优化机制。
解读: 该技术对阳光电源的储能系统（如PowerTitan系列）及大功率集中式光伏逆变器具有重要参考价值。三相三电平拓扑能显著降低高压直流侧功率器件的电压应力，配合谐振技术可实现软开关，从而提升系统整体效率并减小磁性元件体积，助力产品向更高功率密度和更高效率演进。建议研发团队将其应用于大功率储能变流器（PC...
串联或并联绕组电感寄生电容的对比研究
A Comparative Study on Parasitic Capacitance in Inductors With Series or Parallel Windings
Hongbo Zhao · Zhixing Yan · Shaokang Luan · Dipen Narendra Dalal 等10人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年12月
在高功率中压应用中，电感器常采用多绕组设计以满足高电感和高电流需求。绕组的串联或并联连接方式会显著影响寄生电容，进而影响高频下的电磁干扰（EMI）和效率。本文对比分析了不同连接方式下的寄生电容特性，为高频功率变换器的磁性元件设计提供优化指导。
解读: 该研究直接关联阳光电源的核心磁性元件设计。在PowerTitan储能系统及大功率组串式逆变器中，电感器的寄生参数是决定高频化效率和EMI性能的关键。通过优化绕组连接方式，可有效降低寄生电容，减少高频振荡，从而提升逆变器及PCS的功率密度与可靠性。建议研发团队在设计大功率磁性元件时，参考该对比研究，在...
宽负载范围内有源钳位软开关推挽全桥双向DC-DC变换器
Active-Clamp Soft-Switching Push-Pull Full-Bridge Bidirectional DC–DC Converter Over a Wide Load Range
Qunfang Wu · Sen Xue · Heng Xi · Jiangli Ren 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年11月
针对低压大电流储能场景，三开关推挽全桥双向DC-DC变换器（TPFBC）具有开关管数量少、成本低的优势，但存在电压应力高及全负载范围内难以实现零电压开关（ZVS）的问题。本文提出一种有源钳位软开关技术，旨在优化该拓扑在宽负载范围下的效率与可靠性。
解读: 该研究针对低压大电流储能应用，直接契合阳光电源PowerTitan及PowerStack系列储能变流器（PCS）的核心技术需求。在储能系统中，DC-DC环节的效率与功率密度是提升系统竞争力的关键。该拓扑通过有源钳位技术解决软开关难题，有助于降低开关损耗，提升PCS在宽负载范围下的转换效率。建议研发团...
具有宽输入电压范围的高效率准单级DAB-DC/AC变换器
High Efficiency Quasi-Single-Stage DAB-DC/AC Converter With Wide Input Voltage Range
Qiang Chen · Shilong Wang · Yuanbo Li · Xing Zhang 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年11月
单级DAB DC/AC变换器难以在整个交流周期内保持输入输出电压与变压器变比匹配，导致软开关范围受限及电流应力大。本文提出一种由四开关Buck-Boost变换器与DAB DC/AC变换器组成的准单级拓扑，旨在解决上述问题并提升变换效率。
解读: 该拓扑结构对阳光电源的储能变流器（PCS）及光伏逆变器产品线具有重要参考价值。DAB（双有源桥）是目前储能PCS的核心拓扑，该研究提出的准单级方案通过引入Buck-Boost级，有效解决了宽电压范围下的软开关实现难题，有助于降低系统电流应力，从而提升整机效率并减小磁性元件体积。建议研发团队关注该拓扑...
采用SiNx/AlN介质叠层的全凹槽型常关GaN MIS-HEMT器件稳定性提升
Improved Stability of Fully Recessed Normally-Off GaN MIS-HEMTs With SiNx/AlN Dielectric Stack
Yu Li · Guohao Yu · Ang Li · Haochen Zhang 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年7月
本研究对采用低压化学气相沉积（LPCVD）-氮化硅（SiNx）/原子层沉积（ALD）-氮化铝（AlN）或等离子体增强原子层沉积（PEALD）-二氧化硅（SiO₂）/ALD - AlN 介质叠层的氮化镓（GaN）金属 - 绝缘体 - 半导体高电子迁移率晶体管（MIS - HEMT）进行了对比研究。与 SiO₂/AlN MIS - HEMT 的阈值电压漂移（$\Delta {V}_{\text {TH}}$）为 2.0 V 相比，SiNx/AlN MIS - HEMT 在 150 °C 下表现出最小...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项关于常关型GaN MIS-HEMT器件的研究具有重要的战略价值。该研究通过采用LPCVD-SiNx/ALD-AlN介质堆栈方案，显著提升了器件的阈值电压稳定性，这直接关系到我们光伏逆变器和储能变流器的核心竞争力。 在技术价值层面，该器件在150°C高温下仅产生-0.2...
一种使三线圈无线电能传输系统在长距离传输中比双线圈系统更节能的方法
A Methodology for Making a Three-Coil Wireless Power Transfer System More Energy Efficient Than a Two-Coil Counterpart for Extended Transfer Distance
W. X. Zhong · C. Zhang · Xun Liu · S. Y. Ron Hui · IEEE Transactions on Power Electronics · 2015年2月
本文提出了一种确保三线圈无线电能传输系统在长距离传输中比双线圈系统更节能的新方法。通过理论推导和原型验证，明确了实现该目标的条件。核心设计特征在于将电流应力从初级驱动电路转移，从而优化了整体传输效率。
解读: 该研究探讨的无线电能传输（WPT）技术是未来电动汽车充电桩领域的重要前沿方向。虽然目前阳光电源的充电桩产品主要基于有线连接，但随着自动驾驶和智慧交通的发展，大功率无线充电技术将成为差异化竞争点。该论文提出的三线圈拓扑优化及电流应力控制策略，可为阳光电源研发高效率、长距离无线充电模块提供理论参考，有助...
基于开关控制的E类DC-DC变换器优化参数设计与自适应占空比调节
Optimized Parameters Design and Adaptive Duty-Cycle Adjustment for Class E DC–DC Converter With on‐off Control
Ying Li · Xinbo Ruan · Li Zhang · Jiandong Dai 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年8月
本文针对E类DC-DC变换器，提出了一种优化的零电压开关（ZVS）运行条件，旨在最小化开关电压应力、均方根电流及电压谐波分量。通过优化开关时间，实现了在宽负载范围下的高效运行，并提出了自适应占空比调节策略，提升了变换器在开关控制模式下的性能。
解读: E类变换器凭借其高频特性，在小功率高频变换场景具有潜力。对于阳光电源而言，该技术可关注其在户用光伏优化器或小型化充电桩辅助电源中的应用，以提升功率密度。然而，由于E类变换器通常适用于固定频率或特定负载，在阳光电源主流的组串式逆变器（如SG系列）或大功率储能PCS（如PowerTitan）中，其应用受...
1.2-kV平面栅与沟槽栅SiC MOSFET在体二极管重复脉冲电流应力下的退化研究
Investigation on Degradation of 1.2-kV Planar and Trench SiC MOSFETs Under Repetitive Pulse Current Stress of Body Diode
Hengyu Yu · Michael Jin · Jiashu Qian · Monikuntala Bhattacharya 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年6月
本文首次通过实验研究了最新商用 1.2 千伏碳化硅（SiC）平面栅、增强型对称沟槽和非对称沟槽结构金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的体二极管可靠性。所提出的测试平台通过重复脉冲电流模式，可在合理的热限制内实现大电流测试。实验结果揭示了大面积 1.2 千伏商用 SiC MOSFET 存在双极退化风险。对退化现象和机制进行了表征与分析，包括由衬底产生的基面位错（BPD）导致的第一象限和第三象限特性退化，以及由制造工艺产生的 BPD 导致的第三象限膝点电压（$V_{\text{on}}$）...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项关于1.2kV SiC MOSFET体二极管可靠性的研究具有重要的战略意义。SiC功率器件是我们光伏逆变器和储能变流器的核心部件，其可靠性直接影响系统的长期稳定运行和全生命周期成本。 该研究揭示的双极退化风险对我们的产品设计具有重要警示作用。在实际应用中，逆变器和储能...
直流微电网中ISOP-DAB变换器的自主输入电压均压控制与三相移调制方法：基于多智能体深度强化学习的方法
Autonomous Input Voltage Sharing Control and Triple Phase Shift Modulation Method for ISOP-DAB Converter in DC Microgrid: A Multiagent Deep Reinforcement Learning-Based Method
Yu Zeng · Josep Pou · Changjiang Sun · Suvajit Mukherjee 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年3月
本文提出了一种基于多智能体深度强化学习（MA-DRL）的输入串联输出并联（ISOP）双有源桥（DAB）变换器控制策略。该方法旨在解决直流微电网中的不确定性、功率平衡及变换器电流应力最小化问题，通过优化三相移调制实现高效自主的输入电压均压控制。
解读: 该研究针对ISOP-DAB拓扑的控制优化，与阳光电源的储能变流器（PCS）及直流微电网解决方案高度契合。在PowerTitan等大功率储能系统中，采用多模块串并联架构时，输入电压均压与电流应力优化是提升系统效率与可靠性的关键。引入多智能体深度强化学习（MA-DRL）可替代传统PI控制，显著增强系统在...
第 12 / 17 页