找到 4 条结果 · IEEE Transactions on Power Electronics

排序:
功率器件技术 SiC器件 功率模块 可靠性分析 ★ 5.0

一种基于气密性敷形涂层的250°C碳化硅功率模块高温封装方法

A Hermetic Conformal Coating Based High-Temperature Encapsulation Method for 250 °C SiC Power Module

Yunchan Wu · Zhiqiang Wang · Rong Zhang · Guoqing Xin 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年3月

碳化硅(SiC)器件在高温高功率应用中极具潜力,但传统硅凝胶封装难以满足250°C以上长期可靠运行的需求。本文提出了一种气密性敷形涂层(HCC)封装方法,有效提升了高温环境下的封装可靠性。

解读: 该技术对阳光电源的SiC应用至关重要。随着PowerTitan系列储能系统及组串式光伏逆变器向更高功率密度和更小体积演进,功率模块的散热与高温可靠性成为核心瓶颈。HCC封装技术能显著提升SiC模块在极端环境下的寿命,建议研发团队关注该工艺在下一代高压、高温SiC功率模块中的应用,以进一步优化逆变器及...

功率器件技术 SiC器件 功率模块 可靠性分析 ★ 5.0

高温应用下SiC MOSFET反向恢复现象的研究

Investigation of Reverse Recovery Phenomenon for SiC MOSFETs in High-Temperature Applications

Cheng Qian · Zhiqiang Wang · Da Zhou · Yuxin Ge 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年11月

本文研究了SiC器件在25°C至250°C高温环境下的反向恢复现象。文章分析了反向恢复机制及其影响因素,提出了分段等效电路模型,并探讨了两种可能加剧反向恢复的不匹配工况,为高温功率电子系统的设计提供了理论依据。

解读: SiC器件是阳光电源提升光伏逆变器和储能PCS功率密度与效率的核心。随着PowerTitan等储能系统及组串式逆变器向更高功率密度演进,器件在高温下的热应力与开关特性至关重要。本文提出的高温反向恢复模型及不匹配工况分析,可直接指导阳光电源研发团队在高温高频工况下的驱动电路优化与功率模块热设计,有效降...

功率器件技术 GaN器件 功率模块 宽禁带半导体 ★ 4.0

一种用于混合双面冷却GaN模块的“手拉手”动态均流布局

A “Hand-in-Hand” Dynamic Current-Sharing Layout for Hybrid Double-Sided Cooling GaN Module

Xingyuan Yan · Zhiqiang Wang · Yunchan Wu · Xiaojie Shi · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年3月

氮化镓(GaN)HEMT器件凭借极高的di/dt和dv/dt能力,在高性能功率应用中优势显著,但其布局寄生参数也导致多芯片并联时的均流难题。本文针对垂直换流结构建立了寄生耦合网络模型,提出了一种“手拉手”动态均流布局方案,有效提升了多芯片并联的电流分配均匀性。

解读: 随着阳光电源在户用光伏逆变器及小型化储能PCS中对功率密度要求的不断提升,GaN器件的应用已成为技术演进的重要方向。该研究提出的“手拉手”均流布局方案,直接解决了多芯片并联时的寄生参数不平衡问题,对于优化阳光电源新一代高频、高功率密度逆变器及微型逆变器的功率模块设计具有重要参考价值。建议研发团队在后...

功率器件技术 GaN器件 宽禁带半导体 机器学习 ★ 4.0

一种基于高阶时间导数非线性电流分量与先进神经网络算法的高效开关电流GaN HEMT模型

A High-Efficiency Switching Current Model for Power GaN HEMT Based on High-Order Time-Derivative Nonlinear Current Components and Advanced Neural Network Algorithms

Huikai Chen · Shulong Wang · Liutao Li · Hao Zhou 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年9月

GaN HEMT因其优异的功率和频率特性在电力电子领域得到广泛应用。准确高效的器件模型对电路设计至关重要。本文提出了一种基于电流时间导数分量的新型建模方法,结合先进的静态和循环神经网络概念,实现了对GaN器件开关特性的高精度模拟。

解读: 随着阳光电源在户用光伏逆变器及小型化储能产品中对高功率密度要求的提升,GaN器件的应用已成为技术迭代的重要方向。该研究提出的基于神经网络的GaN高精度建模方法,能够有效解决传统物理模型在高速开关过程中的计算复杂性与精度平衡问题。建议研发团队将其应用于iSolarCloud智能运维平台下的数字孪生仿真...