找到 5 条结果 · IEEE Transactions on Power Electronics

排序:
功率器件技术 SiC器件 功率模块 宽禁带半导体 ★ 5.0

通过分布式栅极阻尼网络优化多芯片SiC堆叠DBC功率模块的开关损耗

Switching Loss Optimization for Multichip SiC Stacked DBC Power Modules Through Distributed Gate Damping Networks

Xiaoshuang Hui · Puqi Ning · Tao Fan · Yuhui Kang 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年4月

针对多芯片并联SiC MOSFET模块中寄生振荡和高开关损耗问题,本文提出了一种在堆叠DBC封装中集成高阻值(30–40 Ω)嵌入式电阻的分布式栅极阻尼网络。该架构有效抑制了开关过程中的振荡,并降低了开关损耗,为高功率密度功率模块的设计提供了新思路。

解读: 该技术对阳光电源的核心业务具有极高的参考价值。随着阳光电源组串式逆变器和PowerTitan/PowerStack储能系统向更高功率密度和更高电压等级(如1500V/2000V)演进,SiC器件的应用已成为提升效率的关键。该分布式栅极阻尼网络技术能有效解决大电流并联下的寄生振荡难题,有助于优化逆变器...

功率器件技术 SiC器件 宽禁带半导体 可靠性分析 ★ 5.0

基于平均栅极驱动电流提取的SiC MOSFET在线栅极漏电流监测

Online Gate Leakage Current Monitoring for SiC MOSFET Based on Average Gate Drive Current Extraction

Wenyuan Ouyang · Tao Fan · Zhijie Qiu · Dan Zheng 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年1月

针对SiC MOSFET栅极结构脆弱的特点,监测栅极漏电流对其可靠性至关重要。本文提出了一种在线监测方法,通过提取平均栅极驱动电流,实现了高监测分辨率与灵活栅极驱动结构的兼容,有效提升了SiC功率器件的在线健康状态评估能力。

解读: 随着阳光电源在组串式光伏逆变器及PowerTitan/PowerStack储能系统中全面引入SiC功率模块以提升功率密度和转换效率,SiC器件的长期可靠性成为关键。该技术提供了一种无需复杂硬件改动的在线监测方案,可集成至iSolarCloud智能运维平台,实现对逆变器核心功率器件的早期故障预警。建议...

拓扑与电路 功率模块 有限元仿真 储能变流器PCS ★ 5.0

一种基于格子玻尔兹曼方法的电力电子电容器布局与母排结构高效电磁求解器

A Novel Lattice Boltzmann Based Electromagnetic Solver for Efficient Evaluation of Capacitor Layout and Busbar Structure in Power Electronics

Xiaoshuang Hui · Puqi Ning · Tao Fan · Yuhui Kang 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年12月

母排寄生参数决定了电力电子变换器的动态性能,因此迫切需要针对电容器布局和母排结构优化的评估方法。为克服传统有限元分析(FEA)在计算效率上的局限性,本文提出了一种基于格子玻尔兹曼方法(LBM)的电磁求解器,用于高效评估电力电子系统中的电磁特性。

解读: 该研究提出的LBM电磁求解器对阳光电源的核心业务具有极高价值。在PowerTitan/PowerStack储能系统及组串式逆变器开发中,母排的寄生电感优化直接影响功率模块(IGBT/SiC)的开关应力和EMI性能。相比传统FEA,该方法能显著缩短高功率密度产品研发周期,特别是在大电流母排设计和电容布...

功率器件技术 SiC器件 功率模块 多物理场耦合 ★ 5.0

一种用于低电气和热阻抗多芯片SiC模块的高效位置-连接-解耦布局设计方法

An Efficient Location-Connection-Decoupling Layout Design Method for Multi-Chip SiC Modules With Low Electrical and Thermal Impedance

Yun-Hui Mei · Lijuan Zhang · Yucong Zhao · Yongqi Pei 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年8月

本文针对高功率碳化硅(SiC)模块中多芯片并联布局的挑战,提出了一种高效的布局设计自动化方法。该方法通过位置、连接与解耦的协同优化,有效降低了功率模块的电气寄生参数与热阻抗,提升了高功率密度SiC模块的设计效率与性能表现。

解读: 该研究直接服务于阳光电源的核心功率电子技术底座。随着公司组串式逆变器(如SG系列)和储能变流器(如PowerTitan系列)向更高功率密度和更高效率演进,SiC器件的应用已成为提升整机效率的关键。该布局设计方法能显著降低功率模块的寄生电感和热阻,有助于解决大功率SiC模块并联时的均流与散热瓶颈,从而...

电动汽车驱动 SiC器件 ★ 4.0

基于平均栅极驱动电流提取的SiC MOSFET在线栅极漏电流监测

Online Gate Leakage Current Monitoring for SiC MOSFET Based on Average Gate Drive Current Extraction

Wenyuan Ouyang · Tao Fan · Zhijie Qiu · Dan Zheng 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年8月

监测碳化硅金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管(MOSFET)的栅极泄漏电流至关重要,因为其栅极结构比硅基器件的更为脆弱。然而,现有的栅极泄漏电流监测方法仍无法同时实现高监测分辨率以及与灵活的栅极驱动结构兼容。本文提出了一种基于提取平均栅极驱动电流的碳化硅 MOSFET 在线栅极泄漏电流监测方法。与现有方法相比,该方法实现了亚微安级的监测分辨率。为进行验证,在高频升压转换器中实现了该监测电路。实验结果表明,在整个估计的栅极泄漏电流范围内,该方法的相对误差可接受,并且该方法不会干扰功率转换器的...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项基于平均栅极驱动电流提取的SiC MOSFET栅极漏电流在线监测技术具有重要的战略价值。随着公司在光伏逆变器和储能系统中大规模应用SiC功率器件以提升系统效率和功率密度,器件的可靠性监测已成为产品差异化的关键要素。 该技术的核心价值在于解决了SiC MOSFET栅极结...