找到 7 条结果 · IEEE Transactions on Power Electronics

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功率器件技术 IGBT 可靠性分析 故障诊断 ★ 5.0

一种不受键合线故障影响的动态结温估算TSEP方法

IGBT Junction Temperature Estimation Using a Dynamic TSEP Independent of Wire Bonding Faults

Wuyu Zhang · Lei Qi · Kun Tan · Bing Ji 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年4月

针对现有IGBT结温估算方法易受器件老化及工况影响的问题,本文提出一种新型动态温度敏感电参数(TSEP)。该方法通过解耦老化状态(特别是键合线故障)与结温变化,实现了在复杂工况下对IGBT结温的精确在线监测,为电力电子器件的可靠性评估提供了新方案。

解读: 结温监测是提升阳光电源核心产品可靠性的关键。该技术可深度集成于组串式逆变器(如SG系列)及大型储能系统(如PowerTitan)的功率模块中。通过引入不受键合线老化干扰的TSEP估算方法,阳光电源可实现更精准的功率器件寿命预测与健康管理(PHM),从而优化iSolarCloud平台的运维策略。建议研...

拓扑与电路 PFC整流 多电平 功率模块 ★ 4.0

一种基于全二叉树结构的新型可扩展多电平PFC整流器

A Novel Scalable Multilevel PFC Rectifier Based on Full Binary-Tree Structure

Hui Ma · Yutian Li · Kun Xiang · Liping Fan 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年4月

本文提出了一种基于全二叉树结构的新型可扩展多电平功率因数校正(PFC)整流器拓扑(MT-FBT)。通过引入新型钳位单元,MT-FBT利用根节点的二分法及分支节点扩展构建多电平网络,从而在不增加复杂性的前提下实现更多电压电平,有效提升了功率变换效率与电能质量。

解读: 该拓扑结构在提升功率密度和电能质量方面具有显著优势,对阳光电源的组串式逆变器及大功率储能变流器(如PowerTitan系列)具有参考价值。其可扩展的二叉树架构有助于简化高压大功率变换器的设计,降低谐波含量。建议研发团队评估该拓扑在提升系统效率及降低无源器件体积方面的潜力,特别是在高压直流输入场景下,...

拓扑与电路 SiC器件 充电桩 双向DC-DC ★ 4.0

一种用于6.6kW 300kHz SiC便携式电动汽车充电器双向CLLC同步整流的时域解析模型数字实时计算算法

A Digital Real-Time Computation Algorithm Utilizing Time-Domain Analytic Model for Bidirectional CLLC Synchronous Rectifier in 6.6-kW 300-kHz SiC Portable EV Chargers

Haoran Li · Tong Lei · Cungang Hu · Xirui Zhu 等9人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年1月

针对SiC MOSFET体二极管导通压降高导致的导通损耗问题,本文提出了一种用于双向CLLC变换器同步整流(SR)的数字实时计算算法。该算法基于时域解析模型,克服了传统检测电路易受高dv/dt干扰及在线实现复杂的难题,有效提升了高频SiC充电系统的效率。

解读: 该技术对于阳光电源的电动汽车充电桩业务具有重要参考价值。随着高频化、小型化成为便携式及车载充电器的发展趋势,SiC器件的应用日益广泛。该算法通过时域解析模型优化同步整流控制,能显著降低高频下的导通损耗,提升系统转换效率。建议研发团队将其应用于充电桩功率模块的控制策略优化中,以提升产品在轻量化和高功率...

电动汽车驱动 充电桩 SiC器件 LLC谐振 ★ 4.0

一种基于时域解析模型的数字实时计算算法在6.6-kW 300-kHz SiC便携式电动汽车双向CLLC同步整流器中的应用

A Digital Real-Time Computation Algorithm Utilizing Time-Domain Analytic Model for Bidirectional CLLC Synchronous Rectifier in 6.6-kW 300-kHz SiC Portable EV Chargers

Haoran Li · Tong Lei · Cungang Hu · Xirui Zhu 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年9月

使用同步整流器(SR)极为重要,因为碳化硅(SiC)金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管(MOSFET)的二极管正向电压可能比硅(Si)MOSFET高至六倍,这会导致高得多的传导损耗。传统的CLLC同步整流通常采用检测电路或构建复杂模型,但它们易受碳化硅器件产生的高dv/dt影响,或者由于复杂的数值计算而难以在线实现同步整流。本文针对双向碳化硅CLLC变换器提出了一种数字实时计算同步整流算法。构建了时域解析模型以在线计算同步整流导通时间。该算法不仅通过优化同步整流MOSFET的导通时间实现了...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,该论文提出的数字实时同步整流算法对我司在电动汽车充电、储能变流器等双向功率变换领域具有重要参考价值。 **技术价值分析:** 该算法针对SiC MOSFET体二极管导通压降高(约为硅器件6倍)的固有缺陷,通过时域解析模型实现同步整流在线优化计算,有效降低导通损耗。相比传统...

功率器件技术 SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 ★ 4.0

基于低电流基极-集电极电压降的碳化硅双极型晶体管结温测量方法

Junction Temperature Measurement Method for SiC Bipolar Junction Transistor Using Base–Collector Voltage Drop at Low Current

Bangbing Shi · Shiwei Feng · Yamin Zhang · Kun Bai 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年10月

本文提出了一种用于估算碳化硅(SiC)双极型晶体管(BJT)垂直结温的电气测量方法。该方法基于关断过程中低电流下的基极-集电极电压降(VBC(low))进行测量,该电压对温度表现出良好的灵敏度和线性度。

解读: 随着阳光电源在光伏逆变器和储能PCS中对高功率密度和高效率的需求日益增长,SiC器件的应用已成为核心趋势。结温是影响功率器件寿命和可靠性的关键因素。该研究提出的基于VBC(low)的结温在线监测方法,无需额外传感器,可直接集成于阳光电源的iSolarCloud智能运维平台或逆变器驱动控制电路中。这对...

控制与算法 PWM控制 ★ 3.0

基于二元极值理论的永磁同步电机损耗最小化控制

Loss Minimization Control Based on Bivariate Extreme Value Theory for PMSMs

Zhuang Liu · Kun Mao · Xusheng Lei · Shiqiang Zheng 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年2月

针对永磁同步电机(PMSM),本文提出了一种基于二元极值理论的损耗最小化控制(LMC)方法。该方法综合考虑了铜损和铁损,旨在克服传统最大转矩电流比(MTPA)控制在模型近似和转矩估计精度上的局限性,从而进一步提升电机系统的运行效率。

解读: 该研究聚焦于电机驱动的高效控制算法,与阳光电源的电动汽车充电桩及风电变流器业务具有技术关联。虽然阳光电源目前核心业务侧重于电力电子变换,但电机驱动控制算法(如MTPA及损耗优化)在风电变流器及未来可能拓展的电机驱动相关领域具有参考价值。建议研发团队关注该算法在提升变流器驱动电机效率方面的潜力,特别是...

功率器件技术 功率模块 宽禁带半导体 ★ 2.0

一种基于MCT大功率半导体器件的新型30 MW固态脉冲功率发生器

A Novel 30 MW Solid-State Pulsed Power Generator Based on MCT High-Power Semiconductor Device

Yingjiang He · Rongrong Tan · Wendong Wang · Xiangyu Liu 等10人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年4月

全固态脉冲功率发生器因模块化、小型化及长寿命等优势在国防与民用领域应用广泛。固态开关是其核心组件。本文旨在解决IGBT功率容量限制及SiC MOSFET在高压大电流应用中的瓶颈,提出了一种基于MCT(MOS控制晶闸管)器件的新型30 MW固态脉冲功率发生器设计方案。

解读: 该文献探讨的MCT器件及大功率脉冲发生技术,主要面向高压、高功率密度及高脉冲电流场景,与阳光电源现有的光伏逆变器、PowerTitan储能系统等主流产品在应用场景上有显著差异。目前阳光电源的功率器件选型主要集中在IGBT和SiC MOSFET,以满足高频、高效的并网需求。建议关注该技术在特种电源或未...