找到 5 条结果 · IEEE Transactions on Power Electronics
多芯片SiC功率模块电热分析的物理RC网络模型
A Physical RC Network Model for Electrothermal Analysis of a Multichip SiC Power Module
Jianfeng Li · Alberto Castellazzi · Mohd Amir Eleffendi · Emre Gurpinar 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2018年3月
本文针对轻量化三相半桥两电平SiC功率模块，提出了一种能够物理反映热流路径的RC网络模型，适用于耦合电热仿真。研究通过有限元（FE）模型进行校准，为建立物理RC网络模型提供原始数据，旨在提升功率模块在复杂工况下的热设计精度与可靠性。
解读: 该研究对阳光电源的核心产品线（如组串式/集中式光伏逆变器、PowerTitan储能系统）具有极高的应用价值。随着SiC器件在高性能逆变器和PCS中的广泛应用，其高功率密度带来的热管理挑战日益严峻。该物理RC网络模型能够实现更精准的电热耦合仿真，有助于优化模块封装设计与散热路径，提升产品在极端工况下的...
具有金属凸点互连的高集成固态功率开关的内置可靠性设计
Built-in Reliability Design of Highly Integrated Solid-State Power Switches With Metal Bump Interconnects
Jianfeng Li · Alberto Castellazzi · Tianxiang Dai · Martin Corfield 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2015年5月
本文探讨了一种堆叠式基板-芯片-凸点-芯片-基板组装结构，旨在提升高功率密度功率开关模块的电气性能。研究重点在于通过优化材料选择和凸点几何形状，改善高集成双向开关的热机械可靠性，为高性能功率模块设计提供理论支撑。
解读: 该研究对阳光电源的功率模块设计具有重要参考价值。随着PowerTitan系列储能系统及组串式逆变器向更高功率密度演进，传统的引线键合工艺已成为瓶颈。文中提出的金属凸点互连堆叠技术，能够有效降低寄生电感并提升散热能力，直接助力于下一代高集成度功率模块的开发。建议研发团队在开发高压储能PCS及紧凑型光伏...
基于任务剖面的电力电子可靠性设计与实时寿命损耗评估
Mission Profile-Based Reliability Design and Real-Time Life Consumption Estimation in Power Electronics
Mahera Musallam · Chunyan Yin · Christopher Bailey · Mark Johnson · IEEE Transactions on Power Electronics · 2015年5月
电力电子设备在广泛应用中高效转换电能。本文研究了在实际任务剖面条件下，电力电子设备实时寿命损耗评估方法。该方法不仅能有效评估产品预期寿命，还能为可靠性设计提供关键指导，以应对复杂工况下的长期运行挑战。
解读: 该研究对阳光电源全线产品至关重要。在组串式逆变器和PowerTitan/PowerStack储能系统中，基于任务剖面（如环境温度、负载波动、电网电压）的实时寿命评估，可实现从“事后维护”向“预见性维护”的转型。通过在iSolarCloud平台集成此类算法，可实时监测IGBT模块及电容的健康状态，优化...
高频功率变换器中GaN器件反向与正向导通下动态导通电阻的精确测量
Accurate Measurement of Dynamic on-State Resistances of GaN Devices Under Reverse and Forward Conduction in High Frequency Power Converter
Ke Li · Arnaud Videt · Nadir Idir · Paul Leonard Evans 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年9月
由于GaN晶体管结构中存在电荷俘获效应，器件在高频开关变换器（如ZVS模式）中运行时，动态导通电阻（R_DSon）会增加。本文提出了一种精确测量方法，用于评估GaN器件在反向和正向导通状态下的动态导通电阻变化，这对优化高频功率变换器的效率和可靠性至关重要。
解读: GaN器件在高频化、小型化趋势下对阳光电源的户用光伏逆变器及微型逆变器产品具有重要意义。该研究揭示的动态导通电阻特性直接影响高频变换器的效率评估与热设计。建议研发团队在开发下一代高功率密度组串式逆变器或充电桩模块时，参考该测量方法评估GaN器件在ZVS工况下的实际损耗，以优化驱动电路设计，提升系统整...
氮化镓功率半导体器件动态导通电阻的表征与建模
Characterisation and Modeling of Gallium Nitride Power Semiconductor Devices Dynamic On-State Resistance
Ke Li · Paul Leonard Evans · Christopher Mark Johnson · IEEE Transactions on Power Electronics · 2018年6月
氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN-HEMT）存在陷阱效应，导致其导通电阻（RDS(on)）高于理论值。该电阻的增加与器件关断状态下的直流偏置电压及偏置时间密切相关。本文对不同商业化GaN-HEMT的动态导通电阻进行了表征与建模研究。
解读: 随着阳光电源在户用光伏逆变器及小型化充电桩产品中对功率密度和效率要求的不断提升，GaN器件的应用成为关键技术趋势。动态导通电阻（Dynamic RDS(on)）是影响GaN器件在高频开关应用中可靠性与效率的核心因素。该研究提供的表征与建模方法，可指导研发团队在设计高频功率模块时，更准确地评估GaN器...