找到 30 条结果 · IEEE Transactions on Power Electronics

排序:
系统并网技术 ★ 5.0

一种用于逆变器的高效高功率密度集成陷波-LCL滤波器

An Efficient High-Power-Density Integrated Trap-LCL Filter for Inverters

Neda Mazloum · S. Ali Khajehoddin · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年10月

摘要:为提高电压源变流器的功率密度,通常采用无源滤波器或被称为陷波滤波器的无源元件组合,其设计目的是阻断或旁路开关电流谐波,以满足电网要求。最近,研究人员对将陷波滤波器磁集成到LCL结构中进行了研究,从而降低了滤波器所需的电感值。本文提出了一种无需任何电气连接即可将陷波电感与变流器侧电感进行集成的新方法。因此,陷波电感无需承载工频电流,从而降低了传导损耗。这也使得能够使用尺寸小且磁芯损耗低的现代磁芯材料,进而进一步提高功率密度。该方法为将滤波器谐振极点设置在指定频率处提供了额外的自由度,并避免触...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项集成陷波-LCL滤波技术对提升光伏逆变器和储能变流器的功率密度具有重要战略价值。该技术通过磁集成方式将陷波滤波器与变流器侧电感耦合,且无需电气连接,使陷波电感不承载工频电流,这一创新设计可显著降低传导损耗并减小滤波器体积。 对于阳光电源的产品线而言,该技术的应用潜力体...

电动汽车驱动 三电平 ★ 5.0

航空航天应用中1MVA三电平ANPC逆变器母线的设计与表征

Design and Characterization of Bus Bars for 1-MVA Three-Level ANPC Inverters in Aerospace Applications

Di Wang · Linke Zhou · Samuel Hemming · Jiaming An 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年9月

母线在连接各部件方面起着至关重要的作用,广泛应用于高功率逆变器中。过去人们已做出诸多努力来降低母线的杂散电感。对于多电平逆变器而言,其换流回路比两电平逆变器更为复杂,母线的物理布局和寄生参数尤为重要。此外,对于航空航天等新型且要求更高的应用场景,母线在设计时需保证其具有无局部放电(PD)的绝缘性能,同时还要实现轻量化。鉴于航空航天应用中冷却条件较为苛刻,母线的热设计和冷却性能也值得高度关注。本文针对电动飞机推进用的 1.5 千伏、1 兆伏安三电平有源中点钳位(ANPC)逆变器,提出了一种叠层母线...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项针对航空航天应用的三电平ANPC逆变器母排设计研究具有重要的技术参考价值。该研究聚焦于1.5kV/1MVA功率等级的母排优化设计,与我司在大功率光伏逆变器和储能变流器领域的技术需求高度契合。 该论文提出的层叠式母排设计方法论在三个维度上具有突破性价值:首先,通过优化物...

系统并网技术 ★ 5.0

中压碳化硅技术推动的高功率电子应用:综述

High-Power Electronic Applications Enabled by Medium Voltage Silicon-Carbide Technology: An Overview

Morten Rahr Nielsen · Shiyue Deng · Abdul Basit Mirza · Benjamin Futtrup Kjærsgaard 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年8月

随着社会的电气化和绿色转型,对支持电力需求的高效大功率电子转换器的需求达到了前所未有的高度。关键推动因素是新兴的中压(MV)碳化硅(SiC)半导体器件,与硅基同类器件相比,其静态和动态性能均有所提升。本文全面概述了中压碳化硅技术的最新进展,研究了工业界和学术界现有的半导体器件和功率模块,并通过全面回顾典型的大功率电子应用,将这些器件和模块与它们的适用性直接关联起来。最后,对中压碳化硅技术的适用性和商业普及前景进行了展望。

解读: 从阳光电源的业务视角来看,中压碳化硅(MV SiC)技术的发展为我们在光伏逆变器、储能系统及新能源解决方案领域带来了重大战略机遇。该技术相较于传统硅基器件在静态和动态性能上的显著提升,直接契合我们产品向高功率密度、高效率方向演进的核心需求。 在光伏逆变器应用场景中,MV SiC器件能够支持更高的直...

电动汽车驱动 ★ 4.0

快速开关功率晶体管导通电压检测:评估、挑战与先进设计考虑

On-State Voltage Sensing of Fast-Switching Power Transistors: Evaluation, Challenges, and Advanced Design Considerations

Mathias C. J. Weiser · Jan Tausk · Ingmar Kallfass · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年4月

快速准确地感测导通状态电压是功率半导体器件特性表征的重要组成部分。虽然文献中有许多不同的方法和电路,但结果往往难以比较,这阻碍了评估过程。为了能够与其他电路进行明确的比较,本文提出了一种全面的评估方法,用于评估和比较导通状态电压测量电路。此外,还提出了两种定制的钳位电路,并使用所开发的基准测试方案对其进行了评估。这两种电路的 3 分贝频率分别达到 54.6 MHz 和 250.9 MHz,平均响应时间分别为 41.1 ns 和 23.1 ns,可用于 1200 V 功率器件的特性表征。

解读: 从阳光电源的业务角度来看,这项关于功率晶体管导通态电压快速精确感测技术具有重要的战略意义。作为光伏逆变器和储能系统的核心企业,我们的产品性能很大程度上取决于功率半导体器件的精确表征和可靠运行。 该论文提出的先进钳位电路能够实现高达250.9 MHz的3-dB频率和23.1纳秒的平均响应时间,这对于...

储能系统技术 储能系统 GaN器件 ★ 4.0

通过瞬态热表征理解短路应力下GaN HEMT位错缺陷的作用

Understanding the Role of Dislocation Defects of GaN HEMT under Short-Circuit Stress Through Transient Thermal Characterization

Xi Jiang · Yue Wu · Song Yuan · Xiangdong Li 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年2月

摘要:氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)器件在高母线电压条件下承受反复短路(SC)应力后容易迅速失效。衬底界面处的位错缺陷在引发器件退化和热击穿失效方面起着关键作用。然而,短路应力下位错缺陷的形成机制及其对氮化镓高电子迁移率晶体管短路能力的影响仍不明确。本文提出一种基于瞬态热阻表征的新方法,用于监测氮化镓高电子迁移率晶体管器件内部位错缺陷的演变。同时,建立了一个热模型来阐明位错缺陷对器件热特性的影响。通过分析短路应力前后氮化镓高电子迁移率晶体管的结构函数,将先前难以察觉的缺陷累积转化...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项关于GaN HEMT器件短路应力下位错缺陷演化的研究具有重要的战略价值。GaN功率器件因其高开关频率、低导通损耗和高功率密度特性,正逐步成为我司光伏逆变器和储能变流器的核心功率开关选择,特别是在高压大功率应用场景中。 该研究揭示的位错缺陷累积机制直接关系到产品可靠性这...

电动汽车驱动 SiC器件 ★ 4.0

一种带有被动触发钳位电路的SiC MOSFET新型电平转换驱动器

A Novel Level Shifter Driver for SiC MOSFET With Passive Triggered Clamping Circuit

Xiang Zheng · Lijun Hang · Sai Tang · Yandong Chen 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年2月

与传统的硅(Si)器件相比,碳化硅(SiC)器件能够以更快的开关速度运行。因此,在汽车行业中,碳化硅作为硅器件的替代品更受欢迎。然而,开关速度的提高不可避免地会导致更高的 $dv/dt$,从而引发更严重的串扰问题。本文提出了一种具有可调负电压和米勒钳位电路的新型栅极驱动器。首先,采用由低成本无源元件组成的电平转换电路来产生可调负电压。其次,提出了一种包含两个 n 沟道 MOSFET 的无源触发米勒钳位电路,为串扰电流 $i_{gd}$ 提供低阻抗路径。这部分电路具有成本低、实现和设计复杂度低的优...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项针对SiC MOSFET的新型电平位移驱动技术具有重要的战略价值。当前,我们在光伏逆变器和储能系统中正加速推进碳化硅器件的应用,以提升系统功率密度和转换效率。然而,SiC器件高速开关特性带来的dv/dt问题和串扰现象,一直是制约其性能充分发挥的关键瓶颈。 该技术的核心...

系统并网技术 ★ 4.0

提升基于IGCT的高功率应用中的关断性能——第一部分:超低电压下的异常大电流关断模式与安全工作区扩展

Enhancing Turn-Off Performance in IGCT-Based High Power Applications—Part I: Anomalous High Current Turn-Off Mode and Safe Operating Area Expansion at Ultra-Low Voltage

Jiabin Wang · Lvyang Chen · Xiangyu Zhang · Jiapeng Liu 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年11月

集成门极换流晶闸管(IGCT)以其低导通态电压和高浪涌电流能力而闻名,但历史上,其关断电流能力有限限制了它们的应用。本文研究了IGCT在超低电压条件下的一种异常高电流关断模式。通过全面的理论分析和仿真,证明了IGCT在超低电压下能够实现数倍于其额定电流的关断能力,突破了传统上对严格门极换流条件的要求。这一发现显著扩大了IGCT的安全工作区(SOA),为优化其在高功率应用中的使用提供了新视角。本文的研究结果为姊妹篇论文奠定了基础,姊妹篇论文将利用这一现象探索进一步提高IGCT关断性能的混合开关设计...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项关于IGCT器件关断性能提升的研究具有重要的战略价值。IGCT作为高压大功率半导体器件,其低导通压降和高浪涌电流能力一直是大型光伏逆变器和储能变流器的理想选择,但关断电流能力不足始终制约着其在超大功率应用场景中的推广。 该研究发现的"超低电压条件下异常高电流关断模式"...

电动汽车驱动 SiC器件 功率模块 ★ 4.0

功率模块机械表征综述:挑战、进展与未来展望

An Overview of Mechanical Characterization for Power Module: Challenges, Advances, and Future Prospects

Peng Sun · Xiaofei Pan · Zheng Zeng · Yukai Huang 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年11月

受半导体技术尤其是碳化硅技术进步的推动,人们已开发出众多封装设计以满足各种应用需求。在这些功率模块投放市场之前,必须对其可靠性进行全面评估。机械特性表征是评估功率模块可靠性的一项重要手段,因为它与功率模块故障直接相关。通常在亚微米尺度上的机械分布及其差异给测量带来了巨大挑战。因此,在不损害功率模块功能和完整性的前提下,实现对机械信息的准确采样仍是机械特性表征领域不懈追求的目标。本文全面综述了功率模块机械特性表征的现有先进方法,包括直接测量法和非接触测量法。分析了变形机制以及相关的测量挑战。对各种...

解读: 功率模块作为光伏逆变器和储能变流器的核心部件,其可靠性直接影响系统的长期稳定运行和全生命周期成本。该论文聚焦功率模块机械特性表征技术,对阳光电源的产品开发和质量管控具有重要参考价值。 从业务视角看,随着碳化硅等第三代半导体在公司高功率密度逆变器产品中的广泛应用,功率模块封装面临更严峻的热机械应力挑...

电动汽车驱动 SiC器件 可靠性分析 ★ 4.0

碳化硅功率器件结温提取:全面综述

Junction Temperature Extraction for Silicon Carbide Power Devices: A Comprehensive Review

Huiqing Wen · Xiaoyu Li · Fei Zhang · Zifeng Qu 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年10月

考虑到成本较高、结温较高以及结温变化范围更广等因素,用碳化硅(SiC)器件完全取代硅器件仍面临诸多可靠性挑战。因此,近年来,SiC 器件的结温提取显得尤为重要。此外,鉴于最新出现的 SiC 器件结温提取方法,对这些方法进行全面综述,包括对其进行科学分类和系统评估至关重要。本文旨在填补这一空白。首先,将对 SiC 器件的结温提取方法进行分类,包括物理接触法、光学方法、电阻 - 电容热网络法和温度敏感电参数(TSEP)法。然后,从测量精度、适用性、成本、在线实现以及功率集成发展等不同角度,对 SiC...

解读: 碳化硅(SiC)功率器件的结温提取技术对阳光电源的核心业务具有重要战略意义。在光伏逆变器和储能变流器产品中,SiC器件凭借其高效率、高功率密度的优势正逐步替代传统硅基器件,但其更高的结温工作环境和成本压力也带来了可靠性管理的挑战。精准的结温监测技术是保障产品长期稳定运行、延长使用寿命的关键。 该综...

功率器件技术 SiC器件 ★ 4.0

一种用于带开尔文源连接的并联SiC MOSFET动态电流均衡的电流平衡栅极驱动器

A Current-Balancing Gate Driver for Dynamic Current Sharing of Paralleled SiC MOSFETs With Kelvin-Source Connection

Che-Wei Chang · Matthias Spieler · Ayman M. EL-Refaie · Renato Amorim Torres 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年10月

将碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)并联是提高电流处理能力的一种经济有效的解决方案。此外,采用开尔文源极配置已被证明有助于改善开关性能。然而,并联器件之间的动态电流不平衡会带来重大风险,包括损耗不均、结温不一致,在极端情况下还会出现热失控,最终导致器件失效。本文首先推导了动态电流共享的时域数学模型,该过程可用等效电路模型描述。随后,进行了全面的参数研究,以探究寄生元件对动态电流共享的影响,并给出了实际的布局建议。利用电流共享机制,将差模电感(DMC)集成到栅极驱动器中以...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项SiC MOSFET并联均流技术具有显著的应用价值。在光伏逆变器和储能变流器等核心产品中,大功率应用场景普遍采用SiC器件并联方案以提升电流处理能力,这项技术直接切中了我们产品设计的痛点。 该论文提出的差模扼流圈(DMC)门极驱动方案,通过被动元件实现动态电流均衡,无...

第 2 / 2 页