找到 5 条结果 · 电动汽车驱动
客座编辑特刊：面向零排放电动交通的电机驱动先进技术
Guest Editorial Special Issue on Advanced Technologies of Motor Drives for Zero-Emission E-Mobility
Yunwei Ryan Li · Wei Hua · Luca Zarri · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2025年4月
为实现《巴黎协定》将全球温升控制在2°C以内的目标，电动交通（e-mobility）迅速发展。然而，其电机驱动系统所耗电能仍部分来自化石能源，因此提升驱动系统能效成为实现净零排放的关键。本期特刊聚焦电机驱动在新材料、谐波抑制、电磁干扰抑制、智能控制、故障容错、能量管理及系统设计等方面的前沿进展，收录43篇高质量论文，涵盖提高能效的多种技术路径，推动电动交通可持续发展。
解读: 该特刊聚焦的电机驱动先进技术对阳光电源新能源汽车产品线具有直接应用价值。其中SiC/GaN器件应用、三电平拓扑技术可直接优化车载OBC充电机和电机驱动系统的功率密度与效率；PWM控制、SVPWM及模型预测控制MPC等智能控制算法可提升电机驱动精度和动态响应；谐波抑制与EMI抑制技术可改善充电桩的电能...
具有低功耗突触仿生潜力的(1–x)Bi0.88Nd0.12FeO3–xCaBi4Ti4O15薄膜中的可调谐电容性电阻开关特性
Tunable capacitive resistance switching with low-power synaptic bionic potential in (1–x)Bi0.88Nd0.12FeO3–xCaBi4Ti4O15 thin films
Wenlong Liu · Jin Zong · Di Li · Jiahua Wei 等5人 · Journal of Materials Science: Materials in Electronics · 2025年1月 · Vol.36.0
由于忆阻器具有独特的非线性、记忆性和局部活性，使其在神经网络计算系统中展现出广阔的应用前景，尤其是在低功耗、非易失性和自适应能力方面。本文采用溶胶-凝胶法制备了Au/(1-x)Bi0.88Nd0.12FeO3–xCaBi4Ti4O15（BNFO-CBTO，x = 0.1, 0.2, 0.3, 0.4, 0.5）非易失性存储器件，该器件表现出明显的电阻开关（RS）行为。(1-x)BNFO-xCBTO样品的电容性电阻开关行为可通过CBTO相进行调控，即CBTO相含量越高，电容性电阻开关现象越显著。此...
解读: 该忆阻器薄膜技术展现的超低功耗(nA级)非易失性存储特性,对阳光电源储能系统ST系列PCS的状态记忆单元及电动汽车驱动控制器具有应用潜力。其类突触行为模拟能力可启发iSolarCloud平台的神经网络预测性维护算法优化,特别是在电池SOC/SOH估算中引入忆阻器非线性特性,可降低边缘计算功耗。材料可...
大尺寸Co2+:ZnGa2O4单晶的生长与光学特性
Growth and optical properties of large-sized Co2+:ZnGa2O4 single crystal
Zhengyuan Li1Jiaqi Wei2Yiyuan Liu1Huihui Li1Yang Li1Zhitai Jia1Xutang Tao1Wenxiang Mu1 · 半导体学报 · 2025年7月 · Vol.46
四面体位点的Co²⁺离子在可见及近红外区域具有强吸收，有望用于1.5 μm人眼安全波长的被动调Q固体激光器。本文采用垂直梯度凝固法生长出体积约20 cm³的大尺寸高质量Co²⁺:ZnGa₂O₄晶体。XRD分析表明晶体为纯尖晶石相，半高宽仅58角秒；EDS测得Co²⁺浓度为0.2 at.%；光学带隙为4.44 eV。吸收光谱显示550–670 nm和1100–1700 nm处的吸收带分别对应于⁴A₂(⁴F)→⁴T₁(⁴P)和⁴A₂(⁴F)→⁴T₁(⁴F)跃迁，表明Co²⁺占据Zn²⁺四面体位。基态...
解读: 该Co²⁺:ZnGa₂O₄单晶材料虽属激光调Q器件领域，但其宽禁带半导体特性（4.44 eV带隙）对阳光电源功率器件研发具有参考价值。尖晶石结构的高晶体质量（XRD半高宽58角秒）和垂直梯度凝固法生长工艺，可启发SiC/GaN宽禁带器件的晶体缺陷控制技术。材料在近红外区域的强吸收特性，对光伏逆变器中...
增强型GaN p-FET及互补逻辑电路的偏振增强设计与开发
Design and Development of Polarization-Enhanced E-Mode GaN p-FET and Complementary Logic (CL) Circuits
Teng Li · Jingjing Yu · Sihang Liu · Yunhong Lao 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年4月
p型氮化镓（GaN）层中镁（Mg）受主的低电离率是导致增强型（E-mode）GaN p沟道场效应晶体管（p-FET）电流密度较低的关键因素。在本研究中，采用极化增强技术来提高p-GaN沟道的电离率。为实现GaN互补逻辑（CL）电路，制备了高性能的凹槽栅E-mode GaN p-FET。在制备过程中，发现沟道厚度（$t_x$）是影响器件性能指标的关键参数。随着$t_x$减小（即凹槽深度增大），可获得更负的阈值电压（$V_{th}$）；然而，代价是导通电阻（$R_{on}$）增大。沟道厚度$t_x$...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项氮化镓（GaN）互补逻辑电路技术具有显著的战略价值。该研究通过极化增强技术突破了p型GaN器件的电流密度瓶颈，实现了17.7 mA/mm的高电流密度和6.9×10^7的开关比，为GaN功率集成电路（PIC）的商业化应用奠定了重要基础。 对于阳光电源的核心产品线，该技术...
基于可重构自适应拓扑和中心对称线圈的电动汽车无线充电系统偏移容忍度研究
Misalignment Tolerance of Electric Vehicle Wireless Charging System Based on Reconfigurable Adaptive Topology and Centrosymmetric Coils
Zhongjin Huang · Chao Liu · Wenxuan Pan · Xiaoying Chen 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年4月
针对电动汽车无线充电中常见的线圈偏移问题，本文提出了一种基于可重构自适应拓扑和中心对称线圈的解决方案。该方法突破了传统研究仅局限于单方向偏移的限制，实现了整个充电平面内的偏移容忍，有效提升了无线充电系统的实用性和鲁棒性。
解读: 该技术主要针对电动汽车无线充电领域，虽然阳光电源目前的充电桩业务以有线直流快充为主，但无线充电代表了未来自动驾驶和智慧交通的演进方向。文中提到的可重构拓扑和中心对称线圈设计，对于提升充电系统的空间适应性和能量传输效率具有参考价值。建议研发团队关注该拓扑在未来高功率无线充电产品中的应用潜力，并探索其与...