找到 5 条结果 · 功率器件技术
利用4H-SiC的横向热电效应实现从毫瓦到数百瓦功率范围的红外激光探测
Utilizing the transverse thermoelectric effect of 4H-SiC for infrared laser detectors across a power range spanning from milliwatts to hundreds of watts
Yahui Huang · Jianyu Yang · Kunlun Wang · Yong Wang · Applied Physics Letters · 2025年6月 · Vol.126
山东大学核科学与能源动力工程学院，威海前沿核技术研究院，山东省核科学与核能技术综合利用重点实验室。本文研究了4H-SiC材料在宽功率范围内（从毫瓦级至数百瓦）作为红外激光探测器的应用，利用其横向热电效应实现高效的热电转换与信号响应。该方法无需外加偏压，具有快速响应、宽动态范围和高稳定性等优势，适用于高功率激光检测与监控系统。实验结果表明，基于4H-SiC横向热电效应的探测器在不同功率密度下均表现出优异的线性响应特性与重复性，展现出在工业与国防领域中的广泛应用前景。
解读: 该研究对阳光电源的SiC功率器件应用具有重要参考价值。4H-SiC横向热电效应探测技术可应用于公司SG系列光伏逆变器和ST系列储能变流器的功率器件温度监测系统，实现毫瓦到百瓦级的精确功率损耗检测。这项技术无需外加偏压、响应快速的特点，有助于提升产品的热管理效率和可靠性。可集成到iSolarCloud...
混合封装SiC功率模块中寄生电容对传导EMI及开关损耗的综合分析与优化
Comprehensive Analysis and Optimization of Parasitic Capacitance on Conducted EMI and Switching Losses in Hybrid-Packaged SiC Power Modules
Yifan Zhang · Yue Xie · Cai Chen · Xinyue Guo 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年11月
宽禁带（WBG）器件的高开关速度为功率模块发展带来突破，但寄生参数在高频切换下加剧了功率损耗与电磁干扰（EMI）问题。本文提出了一种具有超低寄生参数的1200V/24A SiC半桥功率模块，旨在优化开关性能并抑制EMI。
解读: 该研究直接服务于阳光电源核心产品线的技术迭代。随着公司组串式逆变器和PowerTitan/PowerStack储能系统向更高功率密度和更高开关频率演进，SiC器件的应用已成必然。通过优化功率模块的寄生电容，不仅能显著降低开关损耗，提升整机效率，还能有效解决高频化带来的EMI合规性难题，降低滤波器设计...
用于改善并联大功率SiC MOSFET模块电流共享性能的有源栅极驱动器
Active Gate Driver for Improving Current Sharing Performance of Paralleled High-Power SiC MOSFET Modules
Yang Wen · Yuan Yang · Yong Gao · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年2月
SiC MOSFET凭借高开关速度和低损耗优势，广泛应用于高功率密度电力电子系统。由于单模块电流容量有限，多模块并联是实现高功率输出的关键，但电流不均流问题是主要挑战。本文提出一种有源栅极驱动技术，旨在优化并联模块间的电流共享性能，提升系统整体可靠性与效率。
解读: 该技术对阳光电源的核心产品线具有极高的应用价值。在PowerTitan系列液冷储能系统及大功率组串式光伏逆变器中，为了达到兆瓦级功率输出，SiC模块并联技术已成为主流。电流不均流会导致局部过热，降低功率器件寿命。通过引入有源栅极驱动（Active Gate Driver），可以动态调节开关过程，有效...
一种用于提升大功率SiC MOSFET模块开关性能的新型有源驱动电路
A Novel Active Gate Driver for Improving Switching Performance of High-Power SiC MOSFET Modules
Yuan Yang · Yang Wen · Yong Gao · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年8月
碳化硅（SiC）MOSFET凭借高开关速度和低损耗优势，成为提升电力电子设备功率密度与效率的关键方案。然而，高开关速度易引发电压振荡、过冲、电磁干扰（EMI）及额外损耗。本文提出了一种新型有源栅极驱动器（AGD），旨在优化大功率SiC模块的开关特性。
解读: 该技术对阳光电源的核心业务具有极高价值。随着公司PowerTitan等大功率储能系统及组串式逆变器向更高功率密度演进，SiC器件的应用已成主流。该有源驱动技术能有效抑制SiC高速开关带来的EMI和电压尖峰，直接提升逆变器及PCS的可靠性与效率。建议研发团队关注该驱动方案在模块化大功率变换器中的集成潜...
线性与方形元胞SiC MOSFET单粒子响应对比研究
Comparison of the Single-Event Response for SiC MOSFETs With Linear and Square Cells
Xiaoping Dong · Qian Xu · Yao Ma · Mingmin Huang 等13人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2026年1月 · Vol.73
本文对比了方形与线性元胞结构SiC MOSFET在1443 MeV ¹⁸¹Ta离子辐照下的单粒子效应（SEE）敏感性。发现方形元胞因p-base/n⁻结尖角引发电流聚集和强电热耦合，更易失效；线性元胞电流分布更均匀，抗辐射能力更强。提出圆形电极方形元胞结构，在维持低导通电阻的同时缓解电流拥挤。
解读: 该研究对阳光电源面向航天、深空及高可靠性场景的功率器件选型具有重要参考价值。SiC MOSFET是ST系列PCS、PowerTitan储能系统及组串式逆变器核心开关器件，其抗辐射鲁棒性直接影响极端环境（如低轨卫星供电、空间站能源系统）下设备寿命与故障率。建议在下一代高可靠性光伏/储能变流器中优先采用...