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功率器件技术 SiC器件 ★ 5.0

利用4H-SiC的横向热电效应实现从毫瓦到数百瓦功率范围的红外激光探测

Utilizing the transverse thermoelectric effect of 4H-SiC for infrared laser detectors across a power range spanning from milliwatts to hundreds of watts

作者 Yahui Huang · Jianyu Yang · Kunlun Wang · Yong Wang
期刊 Applied Physics Letters
出版日期 2025年1月
卷/期 第 126 卷 第 22 期
技术分类 功率器件技术
技术标签 SiC器件
相关度评分 ★★★★★ 5.0 / 5.0
关键词 山东 核科学 核能技术 综合利用 威海核技术创新院
语言:

中文摘要

山东大学核科学与能源动力工程学院,威海前沿核技术研究院,山东省核科学与核能技术综合利用重点实验室。本文研究了4H-SiC材料在宽功率范围内(从毫瓦级至数百瓦)作为红外激光探测器的应用,利用其横向热电效应实现高效的热电转换与信号响应。该方法无需外加偏压,具有快速响应、宽动态范围和高稳定性等优势,适用于高功率激光检测与监控系统。实验结果表明,基于4H-SiC横向热电效应的探测器在不同功率密度下均表现出优异的线性响应特性与重复性,展现出在工业与国防领域中的广泛应用前景。

English Abstract

Shandong Provincial Key Laboratory of Nuclear Science, Nuclear Energy Technology and Comprehensive Utilization, Weihai Frontier Innovation Institute of Nuclear Technology, School of Nuclear Science, Energy and Power Engineering, Shandong University
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SunView 深度解读

该研究对阳光电源的SiC功率器件应用具有重要参考价值。4H-SiC横向热电效应探测技术可应用于公司SG系列光伏逆变器和ST系列储能变流器的功率器件温度监测系统,实现毫瓦到百瓦级的精确功率损耗检测。这项技术无需外加偏压、响应快速的特点,有助于提升产品的热管理效率和可靠性。可集成到iSolarCloud平台实现SiC器件的实时监控和预测性维护,对优化高功率密度产品的散热设计和延长使用寿命具有重要意义。建议在新一代1500V系统中率先导入该监测方案。