找到 6 条结果 · 功率器件技术

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功率器件技术 IGBT 功率模块 可靠性分析 ★ 5.0

IGBT模块的分数阶热网络建模与参数提取

On Fractional-Order Thermal Network Modeling and Parameter Extraction of IGBT Modules

Zhikui Yang · Xi Chen · Binxin Zhu · Lei Zhang 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年4月

准确可靠的热模型对于评估IGBT模块的热应力及分析其可靠性至关重要。本文首次引入分数阶热电容(FOTC)作为IGBT模块热分析的新建模元素,并提出了一种分数阶热网络建模方法及参数提取策略,旨在提升功率器件热行为预测的精度。

解读: IGBT模块是阳光电源组串式逆变器、集中式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能变流器(PCS)的核心功率器件。该研究提出的分数阶热网络模型相比传统整数阶模型,能更精确地描述功率器件在复杂工况下的瞬态热响应。在阳光电源的产品研发中,该技术可应用于高功率密度逆变器及储能系统的热设计优化...

功率器件技术 SiC器件 宽禁带半导体 可靠性分析 ★ 5.0

一种用于SiC MOSFET关断延迟检测的新方法及其在在线结温监测中的应用

A Novel Method for Turn-Off Delay Detection in SiC MOSFETs With Application to Online Junction Temperature Monitoring

Xiaohui Lu · Laili Wang · Lei Zhu · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年3月

传统的关断延迟检测方法需测量漏源电压(VDS),在电路设计上需兼顾高压摆幅与低压段的精确测量,难度极大。本文提出了一种测量关断延迟时间的新方法,通过简化测量电路,有效解决了高压环境下的信号检测难题,并将其应用于SiC MOSFET的在线结温监测。

解读: 该技术对阳光电源的组串式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能系统至关重要。随着SiC MOSFET在高效能功率模块中的广泛应用,结温监测是提升系统可靠性与功率密度的核心。该方法无需复杂的VDS高压采样电路,能降低硬件成本并提高在线监测的鲁棒性。建议研发团队将其集成至iSolarCl...

功率器件技术 SiC器件 ★ 5.0

基于双层检测的分布式安全状态估计在虚假数据注入攻击下的应用

Double-layer Detection-Based Distributed Secure State Estimation Under False Data Injection Attacks

Minggao Zhu · Dajun Du · Xue Li · Minrui Fei 等5人 · IEEE Transactions on Power Systems · 2025年7月

在信息物理电力系统(CPPSs)中,当测量数据或中间交换数据受到虚假数据注入攻击(FDIAs)篡改时,其真实性(即可信度)将遭到破坏,导致分布式状态估计失效。为解决这一问题,本文提出一种采用双层检测的新型分布式安全状态估计方法来应对虚假数据注入攻击。首先,第一层使用基于 $\chi ^{2}$ 的攻击检测器检查测量数据是否被篡改,若被篡改,则用基于卡尔曼方法的预测数据替换受污染的数据,以提高数据可信度和局部状态估计的准确性。然后,当满足事件触发机制时,这些可信数据(即经过检查/替换的数据)与相邻...

解读: 该双层检测机制的分布式安全状态估计技术对阳光电源的储能和光伏产品线具有重要应用价值。可应用于ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器的数据安全防护,特别是在大型储能电站和集中式光伏电站中的分布式控制系统。通过局部残差检测与一致性校验的双重防护,可有效提升iSolarCloud平台数据采集的可靠性,增强...

功率器件技术 SiC器件 可靠性分析 故障诊断 ★ 5.0

一种基于非接触式PCB罗氏线圈的SiC MOSFET栅极氧化层退化在线监测方法

An Online Gate Oxide Degradation Monitoring Method for SiC MOSFETs With Contactless PCB Rogowski Coil Approach

Jianlong Kang · Ankang Zhu · Yu Chen · Haoze Luo 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年8月

SiC MOSFET栅极氧化层的实时退化监测是提升功率变换器可靠性的关键。现有监测方法多需直接电气连接,降低了系统可靠性。本文提出一种基于开通瞬态电流变化率的非接触式监测方法,通过PCB罗氏线圈实现,有效避免了对主电路的干扰,提升了监测的安全性与准确性。

解读: 随着阳光电源在组串式光伏逆变器和PowerTitan/PowerStack储能系统中大规模应用SiC功率模块,器件的长期可靠性成为核心竞争力。该非接触式监测技术无需改变主电路拓扑,即可实现对SiC器件栅极健康状态的实时评估,极大地降低了系统故障风险。建议研发团队将其集成至iSolarCloud智能运...

功率器件技术 功率模块 可靠性分析 热仿真 ★ 5.0

基于脉冲信号开通延迟的功率MOSFET结温测量方法

Junction Temperature Measurement Method for Power mosfets Using Turn-On Delay of Impulse Signal

Bangbing Shi · Shiwei Feng · Lei Shi · Dong Shi 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2018年6月

本文提出了一种测量功率MOSFET结温的新方法。该方法利用脉冲信号的开通延迟,即脉冲信号上升沿与漏源电流上升沿之间的时间差进行测量。实验结果表明,开通延迟与结温之间具有良好的线性关系,可实现对功率器件结温的有效监测。

解读: 结温是影响功率器件寿命与可靠性的核心指标。该方法无需额外传感器,通过电路参数即可实现实时结温监测,对阳光电源的组串式光伏逆变器及PowerTitan/PowerStack储能变流器(PCS)具有极高应用价值。在高温、高功率密度运行场景下,该技术可辅助iSolarCloud平台实现更精准的器件健康状态...

功率器件技术 SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 ★ 4.0

基于低电流基极-集电极电压降的碳化硅双极型晶体管结温测量方法

Junction Temperature Measurement Method for SiC Bipolar Junction Transistor Using Base–Collector Voltage Drop at Low Current

Bangbing Shi · Shiwei Feng · Yamin Zhang · Kun Bai 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年10月

本文提出了一种用于估算碳化硅(SiC)双极型晶体管(BJT)垂直结温的电气测量方法。该方法基于关断过程中低电流下的基极-集电极电压降(VBC(low))进行测量,该电压对温度表现出良好的灵敏度和线性度。

解读: 随着阳光电源在光伏逆变器和储能PCS中对高功率密度和高效率的需求日益增长,SiC器件的应用已成为核心趋势。结温是影响功率器件寿命和可靠性的关键因素。该研究提出的基于VBC(low)的结温在线监测方法,无需额外传感器,可直接集成于阳光电源的iSolarCloud智能运维平台或逆变器驱动控制电路中。这对...