找到 4 条结果 · 功率器件技术

排序:
功率器件技术 IGBT 功率模块 可靠性分析 ★ 5.0

利用动态场重构法研究开关条件下IGBT芯片的变形波动

Investigation of Deformation Fluctuation of IGBT Chips Under Switching Conditions Using the Dynamic Field Reconstruction Method

Jiahao Wang · Libing Bai · Cong Chen · Jie Zhang 等9人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年2月

IGBT芯片是功率电子模块的核心组件。研究电-热-机械耦合引起的IGBT芯片变形特性具有重要意义。本文开发了一种基于扫描激光位移测量的场重构技术,用于精确捕捉开关条件下的动态变形。

解读: IGBT是阳光电源组串式/集中式光伏逆变器、PowerTitan/PowerStack储能PCS及风电变流器的核心功率器件。该研究提出的动态场重构技术,能够深入揭示IGBT在极端开关工况下的热机械应力分布,对于提升阳光电源核心功率模块的寿命预测精度、优化封装散热设计及提高产品在复杂电网环境下的可靠性...

功率器件技术 SiC器件 宽禁带半导体 可靠性分析 ★ 5.0

基于动态阈值电压提取的SiC MOSFET在线结温测量

Online Junction Temperature Measurement for SiC MOSFET Based on Dynamic Threshold Voltage Extraction

Xi Jiang · Jun Wang · Hengyu Yu · Jianjun Chen 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年4月

本文提出了一种基于动态阈值电压的SiC MOSFET在线结温监测方法。该方法不依赖于负载电流变化,消除了复杂校准过程,为关键电力电子变换器的可靠运行提供了有效的结温估计方案。

解读: 该技术对阳光电源的核心产品线具有极高价值。随着公司在组串式逆变器、PowerTitan储能系统及电动汽车充电桩中大规模应用SiC MOSFET以提升功率密度和效率,结温的精准在线监测是提升系统可靠性、实现预测性维护的关键。该方法无需负载电流校准,易于集成至iSolarCloud平台或嵌入式控制系统中...

功率器件技术 GaN器件 宽禁带半导体 可靠性分析 ★ 4.0

通过瞬态热特性分析理解GaN HEMT在短路应力下的位错缺陷作用

Understanding the Role of Dislocation Defects of GaN HEMT under Short-Circuit Stress Through Transient Thermal Characterization

Xi Jiang · Yue Wu · Song Yuan · Xiangdong Li 等11人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年8月

氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)在高压短路应力下易发生快速失效。研究表明,衬底界面的位错缺陷在诱导器件退化和热击穿失效中起关键作用。本文探讨了短路应力下位错缺陷的形成机制及其对热性能的影响。

解读: 随着阳光电源在户用光伏逆变器及小型化储能系统中对高功率密度要求的不断提升,GaN器件的应用潜力巨大。本文揭示的位错缺陷与短路热失效机制,对公司研发团队在GaN功率模块的选型、驱动保护电路设计及热管理方案优化具有重要参考价值。建议在产品开发中引入该瞬态热特性分析方法,以提升高频化、小型化产品的可靠性设...

功率器件技术 可靠性分析 功率模块 多物理场耦合 ★ 3.0

MMC-HVdc系统中IGCT极端失效的系统性分析与表征——第二部分:失效机理与短路特性

Systematic Analysis and Characterization of Extreme Failure for IGCT in MMC-HVdc System—Part II: Failure Mechanism and Short Circuit Characteristics

Wenpeng Zhou · Zhanqing Yu · Zhengyu Chen · Fanglin Chen 等11人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年5月

本文针对模块化多电平换流器(MMC)高压直流输电系统中集成门极换流晶闸管(IGCT)的短路失效模式(SCFM)进行了研究。由于IGCT封装结构的限制,其短路失效机理难以直接观测。本文通过多物理场分析,揭示了IGCT在极端失效条件下的电流密度变化及短路特性,为高压电力电子器件的可靠性评估提供了理论依据。

解读: 虽然阳光电源目前的核心产品线(光伏逆变器、储能PCS、充电桩)主要采用IGBT或SiC功率器件,而非IGCT,但该文献研究的极端工况下功率器件失效机理、多物理场耦合仿真方法以及短路特性分析,对于提升阳光电源大功率储能系统(如PowerTitan)和集中式逆变器中功率模块的可靠性设计具有重要的参考价值...