找到 5 条结果 · 功率器件技术
基于陶瓷基板散热封装的SiC功率模块EMI抑制技术
EMI Mitigation for SiC Power Module With Chip-on-Ceramic Heatsink Packaging
Zhaobo Zhang · Wenzhi Zhou · Xibo Yuan · Elaheh Arjmand 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年8月
本文提出了一种芯片直接贴装于金属化氮化铝（AlN）陶瓷散热器的封装方案，旨在降低SiC功率模块的共模（CM）噪声并提升热性能。通过减少开关节点与地之间的共模电容耦合，该封装有效抑制了EMI噪声。实验验证了其在DC-DC变换器中的性能优势。
解读: 该技术对阳光电源的组串式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能系统具有重要价值。随着SiC器件在高性能逆变器和PCS中的广泛应用，高频开关带来的EMI问题和散热瓶颈日益突出。该封装方案通过优化寄生参数和散热路径，能够显著提升功率密度，并降低EMI滤波器设计难度，有助于减小产品体积与成...
电流源栅极驱动器：拓扑、应用及未来研究需求
Current Source Gate Drivers: Topologies, Applications, and Future Research Needs
Rajat Shahane · Satish Belkhode · Anshuman Shukla · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年9月
本文综述了功率电子器件的栅极驱动技术，重点对比了电压源驱动器（VSD）与电流源驱动器（CSD）。CSD通过控制栅极电流动态，在降低开关损耗、抑制电磁干扰及提升高频开关性能方面展现出显著优势，并探讨了其在未来功率变换器中的应用前景与研究挑战。
解读: 栅极驱动技术是提升阳光电源核心产品（如组串式逆变器、PowerTitan储能系统、风电变流器）功率密度的关键。随着SiC和GaN等宽禁带半导体在光伏及储能产品中的广泛应用，传统的电压源驱动已逐渐成为限制开关频率提升和效率优化的瓶颈。电流源驱动技术（CSD）能有效降低开关损耗并改善EMI特性，对优化阳...
用于碳化硅MOSFET自适应运行的栅极驱动电路
Gate-Drive Circuits for Adaptive Operation of SiC mosfets
Gard Lyng Rødal · Dimosthenis Peftitsis · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年7月
本文提出了两种用于碳化硅（SiC）MOSFET的自适应栅极驱动新概念。第一种基于自适应过驱动原理，分别以新型自适应电压源过驱动器（AVSOD）和传统自适应电流源过驱动器形式实现。这些自适应驱动器能够独立调节开关特性，有效优化SiC器件在不同工况下的开关损耗与电磁干扰（EMI）表现。
解读: SiC器件是阳光电源提升光伏逆变器和储能变流器（PCS）功率密度的核心。随着PowerTitan等储能系统及组串式逆变器向更高电压、更高开关频率演进，SiC MOSFET的开关损耗与EMI抑制成为技术瓶颈。该研究提出的AVSOD自适应驱动技术，能够根据负载动态调整驱动强度，在保证开关速度的同时抑制电...
基于Kharitonov定理的高功率IGBT开关主动电压控制鲁棒稳定性分析
Robust Stability Analysis of Active Voltage Control for High-power IGBT Switching by Kharitonov's Theorem
Xin Yang · Ye Yuan · Zhiqiang Long · Jorge Goncalves 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2016年3月
本文提出了一种主动电压控制（AVC）方法，通过经典反馈控制使IGBT集电极电压瞬态跟踪预定义轨迹。该方法在保证IGBT处于安全工作区（SOA）、抑制电磁干扰（EMI）、减轻电压/电流应力、优化功率损耗及实现器件均流方面具有显著优势。
解读: 该技术对阳光电源的核心产品线（如组串式/集中式光伏逆变器、PowerTitan/PowerStack储能系统及风电变流器）具有重要意义。在高功率IGBT应用中，开关过程的电压尖峰和EMI是影响系统可靠性的关键因素。通过引入主动电压控制（AVC），可精确调节IGBT开关轨迹，在提升系统效率的同时，有效...
基于局部屏蔽技术的氮化镓功率逆变桥EMI抑制
EMI Mitigation of GaN Power Inverter Leg by Local Shielding Techniques
Pawel B. Derkacz · Jean-Luc Schanen · Pierre-Olivier Jeannin · Piotr J. Chrzan 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年10月
本文提出了一种应用于半桥逆变桥的局部屏蔽技术，旨在降低转换器直流输入端的共模（CM）电流噪声。研究针对650V增强型氮化镓（GaN）功率晶体管开关展开，识别了逆变桥中点节点寄生电容的主要来源，并验证了屏蔽方案在抑制EMI方面的有效性。
解读: 随着阳光电源组串式逆变器及户用储能系统向高功率密度、高开关频率演进，GaN器件的应用成为提升效率的关键。该研究提出的局部屏蔽技术能有效解决高频开关带来的EMI挑战，有助于优化逆变器PCB布局及滤波器设计，减小系统体积。建议在下一代高频户用逆变器及小型化储能PCS研发中引入此类电磁兼容设计方法，以满足...