← 返回
一种用于并网光伏系统的高效无变压器MOSFET逆变器
Efficient Transformerless MOSFET Inverter for a Grid-Tied Photovoltaic System
| 作者 | Monirul Islam · Saad Mekhilef |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2016年9月 |
| 技术分类 | 拓扑与电路 |
| 技术标签 | 光伏逆变器 功率器件技术 SiC器件 单相逆变器 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | 无变压器逆变器 光伏系统 MOSFET SiC二极管 单极性SPWM 功率效率 并网 |
语言:
中文摘要
本文提出了一种基于单极性正弦脉宽调制(SPWM)的全桥无变压器光伏逆变器。通过结合最新的超结MOSFET与碳化硅(SiC)二极管,该拓扑有效解决了传统MOSFET在无变压器逆变器中因体二极管反向恢复特性导致的效率瓶颈,显著提升了系统转换效率。
English Abstract
The unipolar sinusoidal pulse width modulation full-bridge transformerless photovoltaic (PV) inverter can achieve high efficiency by using latest superjunction metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET) together with silicon carbide (SiC) diodes. However, the MOSFETs aSiCre limited to use in transformerless PV inverter due to the low reverse-recovery characteristics of the body dio...
S
SunView 深度解读
该研究直接契合阳光电源组串式逆变器(String Inverter)的技术演进方向。随着户用及工商业光伏市场对高功率密度和高效率的极致追求,无变压器拓扑已成为主流。文中提到的超结MOSFET与SiC器件协同应用,可直接优化阳光电源SG系列组串式逆变器的功率模块设计,降低开关损耗,提升整机效率。建议研发团队关注该拓扑在漏电流抑制方面的表现,并评估其在下一代高频化逆变器产品中的量产可行性,以进一步巩固阳光电源在光伏逆变器领域的效率领先优势。