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DE类电流驱动低di/dt整流器分析
Analysis of Class DE Current Driven Low di/dt Rectifier
| 作者 | Yutaro Minami · Hirotaka Koizumi |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2015年12月 |
| 技术分类 | 拓扑与电路 |
| 技术标签 | DC-DC变换器 功率模块 宽禁带半导体 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | DE 类整流器 低 di/dt 开关损耗 二极管电流应力 电力电子 传递函数 开关条件 |
语言:
中文摘要
本文分析了满足E类开关条件且二极管电流应力极低的DE类电流驱动低di/dt整流器。该拓扑通过将二极管电流应力限制在输出电流水平，显著降低了开关损耗。文中推导了任意二极管导通占空比下的输入电流初始相位角、电流及电压传递函数等关键特性。
English Abstract
Class DE current driven low di/dt rectifier satisfies Class E switching condition and low diode current stress, which is no more than the output current. Thus, the switching loss is decreased extremely. In this paper, the Class DE current driven low di/dt rectifier is analyzed for any diode-on-duty-ratio. The initial phase angle of the input current, the current and voltage transfer functions, the...
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SunView 深度解读
该研究提出的DE类整流拓扑通过优化开关条件和降低二极管应力，有效提升了功率变换效率。对于阳光电源而言，该技术可应用于高频化、小型化的功率变换模块设计中，特别是在户用光伏逆变器及电动汽车充电桩的辅助电源或高频DC-DC级中具有潜在应用价值。通过降低开关损耗，有助于提升产品功率密度，并减少散热设计压力。建议研发团队关注该拓扑在宽禁带半导体（如GaN/SiC）应用下的表现，以进一步优化产品能效。